半导体器件物理实验报告格式

2024-11-05

半导体器件物理实验报告格式（通用2篇）

半导体器件物理实验报告格式篇1

微电子学院

《半导体器件实验》

实验报告

实验名称：作者姓名：作者学号：同作者：实验日期：

实验报告应包含以下相关内容：

实验名称：

一、实验目的二、实验原理

三、实验内容

四、实验方法

五、实验器材及注意事项

六、实验数据与结果

七、数据分析

八、回答问题

实验报告要求：

1.使用实验报告用纸；

2.每份报告不少于3页手写体，不含封皮和签字后的实验原始数据部分；

3.必须加装实验报告封皮，本文中第一页内容，打印后填写相关信息。

4.实验报告格式为：封皮、内容和实验原始数据。

半导体工艺化学实验报告篇2

实验名称：硅片的清洗

实验目的：1.熟悉清洗设备

2.掌握清洗流程以及清洗前预准备

实验设备：1.半导体兆声清洗机(SFQ-1006T)

2.SC-1;SC-2

实验背景及原理：

清洗的目的在于清除表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。有机污染包括光刻胶、有机溶剂残留物、合成蜡和人接触器件、工具、器皿带来的油脂或纤维。无机污染包括重金属金、铜、铁、铬等，严重影响少数载流子寿命和表面电导;碱金属如钠等，引起严重漏电;颗粒污染包括硅渣、尘埃、细菌、微生物、有机胶体纤维等，会导致各种缺陷。清除污染的方法有物理清洗和化学清洗两种。

我们这里所用的的是化学清洗。清洗对于微米及深亚微米超大规模集成电路的良率有着极大的.影响。SC-1及SC-2对于清除颗粒及金属颗粒有着显著的作用。

实验步骤：

1. 清洗前准备工作：

仪器准备：

①烧杯的清洗、干燥

②清洗机的预准备：开总闸门、开空气压缩机;开旋转总电源(清洗设备照明自动开启); 将急停按钮旋转拉出，按下旁边电源键;缓慢开启超纯水开关，角度小于45o;根据需要给1#、2#槽加热，正式试验前提前一小时加热，加热上限为200o。本次实验中选用了80℃为反应温度。

③SC-1及SC-2的配置：

我们配制体积比例是1:2:5，所以选取溶液体积为160ml，对SC-1 NH4OH：H2O2：H2O=20:40:100ml，对SC-2 HCl：H2O2：H2O=20:40:100ml。

2. 清洗实际步骤：

① 1#号槽中放入装入1号液的烧杯，待温度与槽中一样后，放入硅片，加热10min,然后超纯水清洗。

② 2#号槽中放入装入2号液的烧杯，待温度与槽中一样后，放入硅片，加热10min,然后超纯水清洗。

③ 兆声清洗10分钟，去除颗粒