半导体（共12篇）
半导体 篇1
摘要：自从我国实施改革开放以及对外开放后,我国社会各行业在发展中均取得显著成绩,尤其是经济和文化也得到了一定的发展。本文在经济文化不断发展的新时代下,对半导体的制程设备及其加工工艺进行分析和研究,其主要目的在于了解当前半导体的发展现状,明确其未来的发展方向,为促进其在信息化社会中的发展奠定坚实的基础。本篇文章主要对半导体的相关内容进行阐述,使人们能够对半导体有基本的认识和了解,同时对半导体设备及其加工工艺进行分析和研究。
关键词：半导体,加工工艺,制程设备
在科学技术不断更新和发展的信息化时代下,半导体逐渐以新产品的形式出现在人们的视野中,并受到社会各界的广泛关注。近年来,随着社会各行业的普遍兴起,半导体的应用日益广泛,其在不同行业中的应用,均在不同程度上为其的发展提供了有力的保障。本文对半导体加工工艺和其制程设备展开研究,具有一定的实践性意义。主要体现为,本文在明确半导体相关内容的基础上,主要以半导体的制程设备为基础,从不同方面探讨其具体的加工工艺,能够通过对其加工工艺的深入性分析,为日后提升半导体在各行业中的应用水平提供宝贵的建议,因此具有实践性意义。
一、半导体的相关内容阐述
半导体主要是指一种材料,是在恒温下具有导电性能,并且在导体和绝缘体之间存在的材料。就当前信息化网络时代下,半导体在社会各行业中均有广泛应用,尤其在家用电器中也以极为重要的组成部分存在,诸如收音机和电视机中均有较为广泛的应用。通常情况下,半导体的导电性质具有能够控制的性质,其能够导电的范围包括了绝缘体和导体之间的各种材料,无论从经济学的角度出发还是从科学技术的角度出发,半导体的发展对于我国社会经济的发展都具有十分重要的影响[1]。目前,人们生活中常用的电子产品,包括手机、录音机等,都在不同程度上与半导体有一定的联系,影响着人们的工作和生活。
二、半导体设备及其加工工艺分析
(一)探针台及其工艺分析
探针台是测试领域中十分重要的组成部分,主要应用于半导体和光电等行业中的测试,在当前科学技术日益更新的时代下,提高探针台的应用水平是十分重要的。探针台在应用过程中,主要适用于流程相对复杂以及器件相对高速的精密电气测量,主要是为了能够使其在测量过程中,保证测量的质量,并缩减其工艺的制造成本。探针台的加工工艺特点主要体现在以下几方面,首先,探针台的测试时间相对较长,测试工序和流程相对复杂,一般情况下,测试的环境需要明确其具体的测量温度,测试晶片的直径不仅要大,而且还要薄。其次,在测试过程中,该仪器的多种测试头应采用相对应的形式,自动装置应连接与小型连接操作器中。再次,要采用高精度定位的方式,将探针台测量的方向和直线尺度进行定位。最后,通过联网的形式,以探针台的具体操作为依据,实现多个探头的多方向外部接口,并且其接口部位应该以公开的形式出现。
(二)划片机及其工艺分析
划片机是半导体行业中的重要应用机器之一,划片机包括砂轮划片机和激光划片机,砂轮划片机主要是指能够综合水气电和传感器等技术的精密型数控设备,主要是为了对诸多材料进行划切和加工的工具,材料包括为二极管、氧化铁以及玻璃等。激光划片机则主要是利用高能光束的形式,对工件的表面实施照射,以此对其实现融化并且划片的目的[2]。划片机的加工工艺特点体现为,其一,划片机的切割具有高精度性,其在对材料进行切划过程中,采用的是具有高精度性质的空气轴承等,通过与材料之间的多次摩擦,实现密闭性的划切,划切的精准度相对较高。其二,划片机具有生产性,此种生产性主要是指在机器高速稳定运行下,其对材料的划切具有占地面积小的优势,并且能够极大程度上降低能源的消耗度。其三,划片机具有极高的可靠性,机器的构成是在高科技技术和配件的支持下完成的,出现故障的时间和几率相对较小,机器内部的零部件复合程度也在一定程度上缩减了零部件的数量。其四,划片机具有较强的操作性,通过专业的技术人员,能够实现对机器中各软件的系统配备。
(三)研磨倒角机及其工艺分析
研磨倒角机是当前时代下比较专业化的一种精密型机床,其主要应用于模具的制造、五金机械的生产和研磨等,半导体在其中的应用能够有效克服现有机械和电动加工制造过程中,产生的诸多缺点,并且使其在生产制造中具有一定的快捷性和准确性。一般情况下,切片机在完成对晶片的划切后,为了防止其在高速机器运转下的破碎,会采用倒角机对其实施研磨。研磨倒角机的加工工艺特点体现为,晶片的加工精准度要保持在一定高度,操作不仅要方便,同时也要相对快捷,研磨倒角机在使用过程中的占地面积也要相对较小,使用起来能够具有较好的性能和效果[3]。研磨倒角机加工的晶片所采用的是高速主轴,精度较高,尤其晶片的尺度能够随工件输送的装置变化而变化,具有自动调整的功能。
三、结语
在世界经济逐渐呈现一体化的发展趋势,以及社会市场环境变化的影响下,半导体加工工艺的发展要求日益提高,并且受到社会各界的广泛关注。在半导体行业竞争日益激烈的信息化社会中,用户对半导体的要求不断提高,包括加强对半导体制程设备技术水平的关注,以及具体加工工艺的手法等。本文在研究过程中,主要从探针台及其工艺分析、划片机及其工艺分析、研磨倒角机及其工艺分析等方面,展开对半导体设备及其加工工艺的深入性分析。期望通过本文关于半导体设备和半导体加工工艺的研究,能够更为深入的了解半导体的构成及其发展工艺,为日后促进半导体的全面发展及其应用,奠定坚实的基础。
参考文献
[1]李悦.半导体及集成电路工艺加工设备的运行管理与技术维护[J].现代仪器,2012,05(01):55-59.
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[3]杨荣,陈丽红,冯黎.半导体制造设备的进步支撑半导体产业的持续发展[J].集成电路应用,2015,08(04):28-31.
半导体 篇2
答：Direct Material 直接材料,例如:蕊片
Indirect Material间接材料,例如气体… Labor人力
Fixed Manufacturing机器折旧,维修,研究费用……等
Production Support其它相关单位所花费的费用
在FAB内，间接物料指哪些？
答：Gas 气体 Chemical 酸,碱化学液 PHOTO Chemical 光阻,显影液 Slurry 研磨液 Target 靶材 Quartz 石英材料 Pad & Disk 研磨垫 Container 晶舟盒(用来放蕊片)Control Wafer 控片 Test Wafer测试,实验用的蕊片
什幺是变动成本(Variable Cost)?
答：成本随生产量之增减而增减.例如:直接材料,间接材料
什幺是固定成本(Fixed Cost)? 答：此种成本与产量无关,而与每一期间保持一固定数额.例如:设备租金,房屋折旧及檵器折旧
Yield(良率)会影响成本吗?如何影响?
答：Fab yield= 若无报废产生,投入完全等于产出,则成本耗费最小
CP Yield:CP Yield 指测试一片芯片上所得到的有效的IC数目。当产出芯片上的有效IC数目越多,即表示用相同制造时间所得到的效益愈大.生产周期(Cycle Time)对成本(Cost)的影响是什幺?
答：生产周期愈短,则工厂制造成本愈低。正面效益如下:(1)积存在生产线上的在制品愈少(2)生产材料积存愈少(3)节省管理成本(4)产品交期短,赢得客户信赖,建立公司信誉
FAC
根据工艺需求排气分几个系统? 答：分为一般排气（General）、酸性排气（Scrubbers）、碱性排气（Ammonia）和有机排气（Solvent）四个系统。
高架地板分有孔和无孔作用?
答：使循环空气能流通，不起尘，保证洁净房内的洁净度;防静电；便于HOOK-UP。
离子发射系统作用
答：离子发射系统，防止静电
SMIC洁净等级区域划分
答：Mask Shop class 1 & 100
Fab1 & Fab2 Photo and process area: Class 100
Cu-line Al-Line OS1 L3 OS1 L4 testing Class 1000 什幺是制程工艺真空系统(PV)
答：是提供厂区无尘室生产及测试机台在制造过程中所需的工艺真空;如真空吸笔、光阻液涂布、吸芯片用真空源等。该系统提供一定的真空压力(真空度大于 80 kpa)和流量，每天24小时运行
什幺是MAU(Make Up Air Unit),新风空调机组作用
答：提供洁净室所需之新风，对新风湿度，温度，及洁净度进行控制，维持洁净室正压和湿度要求。
House Vacuum System 作用
答：HV(House Vacuum)系统提供洁净室制程区及回风区清洁吸取微尘粒子之真空源，其真空度较低。使用方法为利用软管连接事先已安装在高架地板下或柱子内的真空吸孔，打开运转电源。此系统之运用可减低清洁时的污染。
Filter Fan Unit System(FFU)作用
答：FFU系统保证洁净室内一定的风速和洁净度，由Fan和Filter(ULPA)组成。
什幺是Clean Room 洁净室系统
答：洁净室系统供应给制程及机台设备所需之洁净度、温度、湿度、正压、气流条件等环境要求。
Clean room spec:标准
答：Temperature 23 °C ± 1°C(Photo:23 °C ± 0.5°C)Humidity 45%± 5%(Photo:45%± 3%)
Class 100
Overpressure +15pa
Air velocity 0.4m/s ± 0.08m/s
Fab 内的safety shower的日常维护及使用监督由谁来负责
答：Fab 内的 Area Owner（若出现无水或大量漏水等可请厂务水课（19105）协助）
工程师在正常跑货用纯水做rinse或做机台维护时，要注意不能有酸或有机溶剂（如IPA等）进入纯水回收系统中，这是因为：
答：酸会导致conductivity(导电率)升高，有机溶剂会导致TOC升高。两者均会影响并降低纯水回收率。
若在Fab 内发现地面有水滴或残留水等，应如何处理或通报
答：先检查是否为机台漏水或做PM所致，若为厂务系统则通知厂务中控室（12222）
机台若因做PM或其它异常，而要大量排放废溶剂或废酸等应首先如何通报
答：通知厂务主系统水课的值班（19105）
废水排放管路中酸碱废水/浓硫酸/废溶剂等使用何种材质的管路?
答：酸碱废水/高密度聚乙烯(HDPE)浓硫酸/钢管内衬铁福龙(CS-PTFE)废溶剂/不琇钢管(SUS)
若机台内的drain管有接错或排放成分分类有误，将会导致后端的主系统出现什幺问题? 答：将会导致后端处理的主系统相关指标处理不合格，从而可能导致公司排放口超标排放的事故。
公司做水回收的意义如何?
答：(1)节约用水，降低成本。重在环保。(2)符合ISO可持续发展的精神和公司环境保护暨安全卫生政策。
何种气体归类为特气(Specialty Gas)? 答：SiH2Cl2
何种气体由VMB Stick点供到机台? 答：H2
何种气体有自燃性? 答：SiH4
何种气体具有腐蚀性? 答：ClF3
当机台用到何种气体时，须安装气体侦测器? 答：PH3
名词解释 GC, VMB, VMP
答：GC-Gas Cabinet 气瓶柜VMB-Valve Manifold Box 阀箱，适用于危险性气体。VMP-Valve Manifold Panel 阀件盘面，适用于惰性气体。
标准大气环境中氧气浓度为多少？工作环静氧气浓度低于多少时人体会感觉不适？
答：21%
19%
什幺是气体的 LEL? H2的LEL 为多少？
答：LEL-Low Explosive Level 气体爆炸下限H2 LEL-4%.当FAB内气体发生泄漏二级警报（既Leak HiHi），气体警报灯（LAU）会如何动作？FAB内工作人员应如何应变？
答：LAU红、黄灯闪烁、蜂鸣器叫听从ERC广播命令，立刻疏散。
化学供应系统中的化学物质特性为何?
答：(1)Acid/Caustic 酸性/腐蚀性(2)Solvent有机溶剂(3)Slurry研磨液
有机溶剂柜的安用保护装置为何?
答：(1)Gas/Temp.detector;气体/温度侦测器(2)CO2 extinguisher;二氧化碳灭火器
中芯有那几类研磨液(slurry)系统?
答：(1)Oxide(SiO2)(2)Tungsten(W)鵭
设备机台总电源是几伏特? 答：208V OR 380V
欲从事生产/测试/维护时,如无法就近取得电源供给,可以无限制使用延长线吗? 答：不可以
如何选用电器器材?
答：使用电器器材需采用通过认证之正规品牌
机台开关可以任意分/合吗?
答：未经确认不可随意分/合任何机台开关,以免造成生产损失及人员伤害.欲从事生产/测试/维护时,如无法就近取得电源供给,也不能无限制使用延长线,对吗? 答：对
假设断路器启断容量为16安培导线线径2.5mm2,电源供应电压单相220伏特,若使用单相5000W电器设备会产生何种情况? 答：断路器跳闸
当供电局供电中断时,人员仍可安心待在FAB中吗?
答：当供电局供电中断时,本厂因有紧急发电机设备,配合各相关监视系统,仍然能保持FAB之Safety,所以人员仍可安心待在FAB中.MFG
什幺是WPH?
答：WPH(wafer per hour)机台每小时之芯片产出量
如何衡量 WPH ?
答：WPH 值愈大,表示其机台每小时之芯片产出量高,速度快
什幺是 Move?
答：芯片的制程步骤移动数量.什幺是 Stage Move?
答：一片芯片完成一个Stage之制程,称为一个Stage Move 什幺是Step Move?
答：一片芯片完成一个Step 之制程, 称为一个Step Move.Stage 和 step 的关系?
答：同一制程目的的step合起来称为一个stage;例如炉管制程长oxide的stage, 通常要经过清洗,进炉管,出炉管量测厚度3道step AMHS名词解释? 答：Automation Material Handling System;生产线大部份的lot是透过此种自动传输系统来运送
SMIF名词解释?
答：Standard Mechanic InterFace(确保芯片在操作过程中;不会曝露在无尘室的大环境中;所需的界面)所需使用的器具有FOUP/Loadport/Mini-environment等;为什幺SMIF可以节省厂务的成本? 答：只需将这些wafer run货过程中会停留的小区域控制在class 1 下即可,而其它大环境洁净度只要维持在class 100 或较低的等级);在此种界面下可简称为“包货包机台不包人”;对于维持洁净度的成本是较低的;操作人员穿的无尘衣可以较高透气性为优先考量,舒适性较佳
为什幺SMIF可以提高产品的良率?
答：因为无尘室中的微尘不易进入wafer的制程环境中
Non-SMIF名词解释
答：non-Standard mechanic InterFace;芯片在操作的过程中会裸露在无尘室的大环境中,所以整个无尘室洁净度要维持在class1的等级;所以厂务的成本较高且操作人员的无尘衣要以过滤性为优先考量,因此是较不舒适的SMIF FOUP名词解释?
答：符合SMIF标准之WAFER container,Front Opening Unit FOUP MES名词解释?
答：Manfaucture Execution System;即制造执行系统;该系统掌握生产有关的信息,简述几项重点如下(1)每一类产品的生产step内容/规格/限制(2)生产线上所有机台的可使用状况;如可run那些程序,实时的机台状态(可用/不可用)(3)每一产品批的基本资料与制造过程中的所有数据(在那些机台上run过/量测结果值/各step的时间点/谁处理过/过程有否工程问题批注…等(4)每一产品批现在与未来要执行的step等资料
EAP名词解释?
答：(1)Equpiment Automation Program;机台自动化程序;(2)一旦机台有了EAP,此系统即会依据LOT ID来和MES与机台做沟通反馈及检查, 完成机台进货生产与出货的动作;另外大部份量测机台亦可做到自动收集量测资料与反馈至后端计算机的自动化作业
EAP的好处
答：(1)减少人为误操作(2)改善生产作业的生产力(3)改善产品的良率
为什幺EAP可以减少人为操作的错误
答：(1)避免机台RUN错货(2)避免RUN错机台程序
为什幺EAP可以改善机台的生产力?
答：(1)機台可以自動Download程式不需人為操作(2)系統可以自動出入帳,減少人為作帳錯誤(3)系統可以自動收集資料減少人為輸入錯誤
为什幺EAP可以改善产品的良率?
答：(1)在Phot/etch/CMP区中,可自动微调制程参数(2)当机台alarm时,可以自动hold 住货(3)当lot内片数与MES系统内的片数帐不符合时,可自动hold 住货
GUI名词解释? 答：Graphical User Interface of MES;将MES中各项功能以图形界面的呈现方式使得user可以方便执行
EUI名词解释?功能是什麼? 答：EAP User Interface;机台自动化程序的使用者界面,透過EUI可以看到機台目前的狀態及貨在機台內的情形
SORTER 分片机的功能?
答：可对晶舟内的wafer(1)进行读刻号(2)可将wafer的定位点(notch/flat)调整到晶舟槽位(slot)的指定方位(3)依wafer号码重新排列在晶舟内相对应的槽位号码上(4)执行不同晶舟内wafer的合并(5)将晶舟内的wafer分批至多个晶舟内
OHS名词解释?
答：Over Head Shuttle of AMHS(在AMHS轨道上传送FOUP的小车)FAB内的主要生产区域有那些?（有7个）
答：黄光, 蚀刻, 离子植入, 化学气象沉积, 金属溅镀, 扩散, 化学机械研磨
Wafer Scrap规定?
答：Wafer由工程部人员判定机台、制程、制造问题，已无法或无必要再进行后续制程时，则于当站予以報廢缴库，Wafer Scrap时请填写“Wafer Scrap处理单” Wafer经由工程部人员判定机台、制程、制造问题已无法或无必要再进行后续制程时应采取何种措施?
答：SCRAP（报废，定义请参照Wafer Scrap规定）
TERMINATE规定？
答：工程试验产品已完成试验或已无法或无必要再进行后续制程时，则需终止试验产品此时就需将产品终止制程，称之为TERMINATE
WAFER经由客户通知不需再进行后续制程时应采取何种措施? 答：TERMINATE
FAB疏散演练规定一年需执行几次?
答：为确保FAB内所有工作人员了解并熟悉逃生路径及方式，MFG将不定期举行疏散演练。演习次数之要求为每班每半年一次。
何时应该填机台留言单及生产管理留言单？
答：机台留言单：机台有部分异常需暂时停止部分程序待澄清而要通知线上人员时生产留言单：有特殊规定需提醒线上人员注意时
填写完成的机台临时留言单应置放于那里?
答：使用机台临时留言单应将留言单置放于LOGSHEET或粘贴于机台上
机台临时留言单过期后应如何处理?
答：机台临时留言单過期后应由MFG On-line人員清除回收, 讯息若需长期保存则请改用生产管理留言单。
生产管理留言单的有效期限是多久? 答：三个月
何时该填写芯片留言单？
答：芯片有问题时或是芯片有特殊交待事项需让线上人员知道则可使用芯片留言单
芯片留言单的有效期限是多久? 答：三个月
填写完成的芯片留言单应置放于何处? 答：FOUP 上之套子内 芯片留言单需何人签名后才可生效? 答：MFG 的 Line Leader或Supervisor 何谓Hold Lot? 答：芯片需要停下来做实验或产品有问题需工程师判断时的短暂停止则需HOLD LOT;帐点上的状态为Hold,如此除非解決hold住的原因否则无法继续run货
PN（Production Note，制造通报）的目的?
答：(1)为公布FAB内生产管理的条例。(2)阐述不清楚和不完善的操作规则。
PN的范围?
答：(1)强调O.I.或TECN之规定, 未改变(2)更新制造通报内容(3)请生产线协助搜集数据(4)O.I.未规定或未限制, 且不改变RECIPE、SPEC及操作程序
何谓MONITOR?
答：对机台进行定期的检测或是随产品出机台时的检测称之为MONITOR，如测微粒子、厚度等
机台的MONITOR项目暂时变更时要填何种文件?
答：Tempory Engineering Change Notice（TECN，暂时工程变更）
暂时性的MONITOR频率增加时可用何种表格发布至线上? 答：Production Note（PN，制造通知）
新机台RELEASE但是OI尚未生效时应填具何种表格发布线上? 答：Tempory Engineering Change Notice（TECN，暂时工程变更）
控片的目的是什幺?(Control wafer)答：为了解机台未来的run货结果是否在规格内,必须使用控片去试run,并量测所得结果如厚度,平坦度,微粒数…控片使用一次就要进入回收流程。
挡片(Dummy wafer)的目的是什幺?
答：用途有2种：(1)暖机(2)补足机台内应摆芯片而未摆的空位置。挡片可重复使用到限定的时间﹝RUN数、厚度…﹞后，再送去回收.例如可以同时run150片wafer的炉管,若不足150片时必须以挡片补足,否则可能影响制程平坦度等…;High current 机台每次可同时run17片,若不足亦须以挡片补足挡片的Raw wafer(原物料wafer)有不同的阻值范围吗?
答：是的;阻值范围愈紧的,成本愈贵;例如8~12欧姆用于当产品的原物料,0~100的可能只能用当监控机台微尘的控片
機台狀態的作用?
答：為能清楚地評量機台效率,並告訴線上人員機台當時的狀況
機台狀態可分為那兩大類? 答：(1)UP(2)Down
机台状态定义为availabe可用的状态有那些?
答：RUN : 机台正常,正在使用中BKUP : 机台正常,帮其它厂RUN货IDLE : 机台正常,待料或缺人手TEST : 机台正常,借工程师做工程实验或调整RECIPETEST_CW : 机台正常,正在RUN 控檔片
机台状态定义为SCHEDULE NON-AVAILABLE的有那些? 答：MON_R : 机台正常,依据OI规定进行检查,如每shift/daily/monthlyMON_PM : 机台正常,机台定期维护后的检查PM : OI规定之例行维修时机及项目;如汽车5000KM保养HOLD_ENG : 机台正常,制程工程师澄清与确认产品异常原因,停止机台RUN LOT
在机台当机处理完后;交回制造部时应挂何种STATUS? 答：WAIT_MFG
在工程师借机检查机台调整RECIPE时应挂何种STATUS? 答：TEST
若是机台MONITOR异常工程师借机检查机台时应挂何种STATUS? 答：DOWN
线上发现机台异常时通知工程师时应挂何种STATUS? 答：WAIT_ENG
线上在要将机台交给工程师做PM前等待工程师的时间应挂何种STATUS? 答：WAIT_ENG
工程在将机台修复后交给制造部等制造部处的这段时间应挂何种STATUS? 答：WAIT_MFG
维修时应挂何种STATUS? 答：OFF
Muti-Chamber的机台有一个Chamber异常时制造部因为派工ISSUE无法交出Chamber该挂何种STATUS? 答：HOLD_MFG
制程工程师澄清或确认产品异常原因停止机台RUN货时应挂何种STATUS? 答：HOLD_ENG
因工程部ISSUE而成机台不能正常RUN货时应挂何种STATUS? 答：HOLD_ENG
MES或电脑等自动化系统相关问题造成死机要挂何种STATUS? 答：CIM
因为厂务水电气的问题而造成机台死机的问题要挂何种STATUS? 答：FAC
生產線因電力壓降、不穩定造成生產中斷時,機台狀態應掛為? 答：FAC
生產線因MES中斷或EAP連線中斷而造成生產停止,此時機台將態為何? 答：CIM
机台状态EQ status定义的真正用意何在?
答：(1)机台非常贵重,所以必须知道时间都用到何处了,最好是24小时都用来生产卖钱的产品;能清楚知道时间用到何处,就能进行改善(2)责任区分,各个状态都有不同的责任单位,如制造部/设备工程师/制程工程师…等
什幺是 T/R?
答：Turn Ratio, 芯片之移动速度;即1天内移动了几个制程stage 如何衡量 T/R ?
答：一片芯片在1天内完成一个Stage Move,其 T/R值为 1.T/R 值愈大,表示其移动速度愈快,意谓能愈快完成所有制程.什幺是 EAR ?
答：Engineer Abnormal Report(工程异常报告);通常发生系统性工程问题或大量的报废时,必须issue EAR.异常事件是否issue EAR 主要依据EAR OI 定义
EAR 之目的为何 ?
答：在于记录Wafer生产过程中异常现象的发生与解决对策，及探讨异常事件的真正原因进而建立有效的预防及防止再发措施，以确保生产线之生产品质能持续改善 什幺是 MO ?
答：MO(Mis-Operation)指未依工作准则之作业,而造成的生產損失.MO 有何之可能影响?
答：(1)产品制程重做(REWORK)。(2)产品报废。(3)客户要求退还产品，并要求赔偿.如何防止 MO 之产生 ? 答：依工作准则作业.什幺是 Waferout ?
答：完成所有制程后并可当成产品卖出之芯片.什幺是 clean room(洁净室)?
答：指空气中浮尘被隔离之操作空间
为何要有 clean room ?
答：避免空气中的微浮尘掉入产品,进而破坏产品的品质
clean room 有何等级 ?
答：class 1, calss 10, class 100, class 1000, class 10000,…等级愈高(class 1)则表示要求环境之洁净度就愈高.如医院开刀房之环境为 class 1000.FOUP回收清洗流程?
答：(1)线上各大区将所使用过的FOUP送回Wafer Start 清洗。(2)下线MA将回收待清洗的FOUP.底盘逐一拆下。(3)Cassette 须量测有无问题.(全新的也须量测)。(4)拆下的Door& 底盘须用IPA擦拭干净。(5)拆下FOUP 放置Cleaner清洗。
FOUP回收清洗时间?
答：回收清洗时间为每三个月一次.然而RF ID 在每次清洗完Issue时会同时将下一次清洗的时间Updata上。
FOUP各部门领用流程? 答：各部门的领用人至W/S领取物品时,须填写”FOUP & 塑料封套 领料记录表”填上领取的件数以及部门.名字.工号即可
FAB 制造通报(Production Notice)responsibility?
答：(1)制造部负责通报的管理与执行，Fab相关部门因工程与生产需要可制作制造通报经单位主管及制造部同意后进线执行。(2)制造通报涉及工程限制（Constrain）时需由工程部门负责工程师在MES上设定/修改完成后交由制造部审核确认及生效后，此通报才能进线执行。
FAB 制造通报(Production Notice)规定和禁令?
答：(1)通报被取消则此通报将视为无效.(2)通报内容新旧版本相冲突时以新版本为主，initiator 需告知前份作废PN ,以便MA立取出(3)通报最长期限为一个月.如果通报想延长期限,必须重新提出申请与签核,但以一次为限.(4)至截止期后通报将自动失效.FAB 制造通报(Production Notice)管理?
答：(1)如果此通报由制造部主管直接公布,签署过程即省略(2)通报内容应尽量言简意赅,避免繁琐冗长的陈述(3)制造部各区文件管理人负责将取消或无效之生产通告传回Key-in Center 以避免被错误使用(4)通报应盖上Key-in center 有效公章.WHAT’S “Bank In”? 答：各部门依据规定执行Hold 货或设Future Hold，并下Bank In之制式Comment后，货到站后由当区MA/LL负责于MES作帐，Wafer存入Stocker。
WHAT’S “Bank Out”?
答：各部门于Hold Comment下Bank Out之制式Comment并通知当区主管，于MFG确认Hold Comment无误后，于MES作帐，Wafer依Comment处理。
WHAT’S ’Bank Period“?
答：每批存入Bank的Lot自Bank In起，至Bank out止，累积之时间
Bank 适用时机?
答：(1)客户通知暂停流程/放行之Wafer。(2)新制程开发，于重点层次预留/放行之Wafer。(3)经WAT检查后，有问题之Wafer。(4)经QE检查后，有问题之Wafer。(5)FAB预先生产，且需暂存之Wafer。(6)特殊原因且经MFG P&Q Section Manager同意之Wafer Bank Quota?limit?
答：(1)各部门申请的Bank有一定数量限制，依制造部与各部门讨论而定(2)PC部门则由PC与客户协议，依PC相关规定处理
Bank period规定?
答：(1)PC要求之Bank最长可存放六个月；但若Customer有特殊需求，且经PC与MFG P&Q Manager同意者，则不在此限。(2)Lot Type 为L/T/LF/C/D/Z/V者，存放期限为60天。(3)Lot Type 为P/R/M/E1~9/B者，若非PC所要求，则存放期限为7天且申请时需PC 同意。
FAB內空的FOUP應存放在那些指定位置上?
答：(1)放在指定的暂存货架上。(2)放在机台旁的待Run Wip货架上(3)Stocker內
为什幺FOUP 放在STOCK 入口而长时间不进去？
答：Stocker 已满，或不能读取RF ID。
为什幺FOUP会被送至WaferStart出口?
答：RF ID上的FOUP Clean Time 过期，或格式不正确。
何谓Bullet lot?
答：(1)就是优先权最高的lot(priority 1);(2)lot本身带有特别重要的目的;如客户大量投产前的试run产品,工程部特别重要的实验货,与其它重要目的.Bullet Lot Management Rule?
答：(1)Priority 皆为1(2)面交下一站，不得用AMHS System传送。(3)需提前通知下一站备妥机台。(4)有工程问题工程部必须优先解决此种lot 列出所有的Lot Priority，并说明其代表的含义
答：Priority 等级从1~5 优先权以1最大5最小Priority 1 :bullet lot(字义”子弹般快的lot“;此lot拥有特殊目的如重要实验,客户大量投片前试run货等..)priority 2 : hot lot(依MFG/MPC 定义而定;通常为试run货pilot lot, 验证光罩设计的实验lot..等)priority 3 : delay lot(需要加把劲否则无法准时交给客户的lot)priority 4 : normal lot(按预定进度进行的lot)priority 5 : control wafer(生产线上的控片面)将Lot 分pirority 优先权的生产管理意义? 答：生产线上众多的lot(可能有2000以上),各有不同的交期与目的,透过操控每批LOT的优先权数字设定来让所有MA知道产品安排的优先级
什幺是RF ID?
答：用来记录FOUP ID與MES對應的芯片ID、刻號、机台的EAP亦是透过RF ID 来和MES沟通了解当站该RUN那一种程序
什幺是stocker?
答：生产线上用来存放FOUP容器的仓储(FOUP有装载芯片和光罩两种)
为什幺FOUP 放在stocker 入口而长时间不进去？
答：(1)Stocker已滿(2)不能讀取RF ID 什幺FOUP 会被自动传输系统HOLD?
答：有同名的Lot.可根据Hold Reason 找出两个同名Lot 的位置。
当GUI显示说Mapping的片数和MES上的片数不匹配时如何处理？
答：请检查MES上LOT的片数和机台内Mapping出来的片数，若两者不同，请找PE/EE解决；若两者相同，请CALL EAP ENGINEER。
Process完成后GUI显示实际RUN的片数和MES上的数量不匹配时如何处理？
答：请检查MES上LOT的片数和机台内Process完成的片数，若两者不同，请找PE/EE解决；若两者相同，请CALL EAP ENGINEER
GUI显示“FOUP due day is expired”或“FOUP clean due day is empty“时如何处理？
答：检查SmartRF ID中清洗FOUP的时间是否已经过期或时间是空值：若已过期，请换一个FOUP。若是空值，请先做IssueRF ID，何谓Bank Lot?
答：若芯片有客户要求需要长时间的停止时则需使用BANK LOT;即帐点上的状态为BANK;除非客户再次通知后解除,否则无法往下RUN货
何谓future hold?
答：MES 上的一个功能;对于未来制程中的某一歩骤,若需要停下来执行实验或检查..等目的时,可预先提早下future hold
生产线那些地方,可以感测FOUP上的RF ID并回传此FOUP的位置? 答：Stocker 与机台
HOLD住待处理的问题芯片;必须放在何处? 答：放置在指定之HOLD LOT货架上
工程师使用的芯片、控挡片;必须放在何处? 答：放置在工程师芯片专用货架上
待run产品 ,必须放在何处?
答：放入STOCKER内或放置在机台旁之货架（推车上）
Fab通常如何定义产品的复杂度?
答：必须经过几道photo layer,有几层poly, 有几层metal越多层越复杂
假设一种产品的制程共有20次photo layer,103个stage 的产品,从投片到出货的周期时间(cycle time)为22天;试问此LOT 的平均T/R是多少? 答：103 stage/22天=4.7
假设一种产品的制程共有20次photo layer,103个stage 的产品,从投片到出货的周期时间(cycle time)为22天;试问平均C/T per layer(每一photo layer的cycle time)是多少?
答：22天/20=1.1
Signal Tower 的功能为何?
答：用以提醒操作者,机台的实时状况,实时处理,增加机台的使用率 Signal Tower有那几种灯号颜色? 答：红/黄/绿三种颜色
Signal Tower的红灯亮(ON)起来时,代表何意义? 答：机台的主要功能当掉讯息出现时
Signal Tower的红灯闪烁(flash)时,代表何意义? 答：机台有任何Alarm的讯息出现时
Signal Tower的绿灯亮(ON)起来时,代表何意义? 答：机台是在run货状态;且所有进货端都摆满了货
Signal Tower的绿灯闪烁(flash)时,代表何意义?
答：机台是在run货状态;但有某一个以上的进货端有空档,用以提醒操作人员进货(MIR;move in request)
Signal Tower的黄灯闪烁(flash)时,代表何意义?
答：机台是在可使用状态;但有某一个以上的出货端有货run完,等着出货,用以提醒操作人员把货拿走(MOR;move Out request)光罩产品有哪两种材料组成?
答：(1)BLANK;玻璃主体;使得光容易透过(2)PELLICLE;一种高分子材料,用来保护玻璃上的电路图,避免particle影响
简单分类光罩可分为哪两种？
答：Binary光罩(一般光罩)& PSM光罩(相位移光罩);PSM光罩一般用于窄线宽或某几个最重要的PHOTO 层如Poly/Contact/Metal 1 photo layer 现行工厂内有哪两种PELLICLE(光罩的鉻膜)？
答：I-line(365光源用)DUV（248光源用）
I-line pellicle的光罩可否用于DUV的曝光机?
答：不能;因为DUV光源的能量Energy较强,会将pellicle 烧焦
DUV pellicle的光罩可否用于I-line的曝光机? 答：可以
光罩上PATTERN或玻璃面有刮伤可否修补? 答：不能
PELLICLE毁损能否修补?
答：若没伤到pellicle下的电路图形，可撕除pellicle,重新贴上新的PELLICLE 何谓cycle time,周期时间?
答：wafer 从投片wafer start 到WAT电性测试结束这段生產时间(如早上出门.搭车到达公司所需经过的时间)
cycle time 周期时间是由那些时间所构成答：(1)Process time 所有步骤的制程时间总和(2)waiting time : 所有步骤中所耗费的等待时间,如等人或等机台有空(3)hold time:所有步骤因为异常等原因,被扣留下来检查的时间
如何降低cycle time 周期时间?
答：cycle time是process time(机台run货时间),waiting time(等候时间), hold time(等待澄清问题时间);所以任何有助于降低三者的活动皆有帮助
如何减少process time 总和? 答：(1)由制程整合工程师检讨流程中是否有步骤可以去除不做;如一些检查站点或清洗站点等(2)由工程部制程工程师研究改善缩短每一步骤的制程时间(需经过实验测试是否影响品质,此项达成度较难)如何减少waiting time总和?
答：waiting time 是因为少人少机台所造成;所以有下列几种方法(1)加人买机台(此方法必须说服老板人和机台都已充份利用最大化了)(2)改善人的能力;如每一MA有多种操作技能,加强派货能力等(3)改善机台的能力;如增加WPH每小时的产出量,设备工程师将机台维持在高的UP time等(4)检讨减少生产线上的wafer 数目;检讨是否有太早下线的wafer或不必要的实验货,过多少片数的LOT(例如透过公运输或多人共乘减少)路上的车辆
如何减少hold time 总和? 答：hold time 来自制程不稳定与机台不稳定和实验测试所致;与发生hold time后的后续处理时间;所以必须针对这几项来着手
如何简单地评定一个代工厂的能力?
答：(1)良率维持在稳定的高点(2)周期时间cycle tiem愈短愈好(3)製造成本愈低愈好
工厂准时交货率(On-Time Delivery Order)
答：值越高表示工厂准时交货的能力越好，对于客户的服务也越佳
工厂产量完成率(On-Time Delivery for Volume)答：衡量工厂满足客户需求的能力是否良好，但并不评估是否按照预定日程交货，值越高越好
控/挡片使用率(Control/Dummy Usage)
答：平均每生产一片芯片所需使用的控/挡片数量由于控/挡片可以重复使用，因此当生产线系统越稳定，技术员操作越熟练，则控/挡片寿命也越长，生产成本也因而降低。
何谓OI?
答：Operation Instruction操作指导手册；每一型号的机台都有一份OI。OI含括制程参数、机台程序、机器简介、操作步骤与注意事项。其中操作步骤与注意事项是我们该熟记的部分
何谓Discipline
答：简单称之为『纪律』。泛指经由训练与思考，对群体的价值观产生认同而自我约束，使群体能在既定的规范内达成目标，与一般的盲从不同。
如何看制造部的纪律好不好?
答：制造部整体纪律的表现，可以由FAB执行6S够不够彻底和操作错误多寡作为衡量标准！
如何看整个FAB纪律好不好?
答：FAB内整体的纪律表现，可以反应在Yield上。
公司的企业文化为何? 答：重操守（integrity）诚实（honesty）团队合作（team work）注重效能（effectiveness）永续经营和不断改进（PDCA——plan/do/check/action）
那些是对外不可说的事?
答：(1)产品良率(Yield)(2)订单数量(3)客户名字(4)公司组织(5)主管手机号码(6)公司人数(7)其它厂商Vendor的资料(8)生产线的机台台数及种类。
那些是对外不可做的事? 答：(1)与Vendor聚餐,需经过部门主管的同意(2)收佣金,有价证券(3)收受礼物(礼物价值>15RMB)(4)接受招待旅游(5)出入不正当场所
Fab4的工作精神为何? 答：OwnershipHands OnTeamwork&CooperateCall for helpFollow up;Discipline 何谓Ownership? 答：主人翁精神;对待处理公事如己之私事般完善;把事情做好而不是把事情做完
何谓Hands On ?
答：亲力亲为;总裁Richard要求所有人尤其是主管必须对自己的业务了若指掌
何谓Call for help ?
答：请求支持;任务过程中遇困难,必须寻求同事或主管帮忙,否则会误了大事
为什幺沟通时必须使用”精准“的字眼?,避免使用”好象“, ”可能“;”大概“ ,”差不多“ 等模糊字眼
答：因为团队的其它人必须根据你的话来下决定与做判断,一旦用了模糊字眼,就必须一来一往才能澄清问题,泿费时间,所以不了解的事,就直接回答不清楚
为什幺开会描述问题时,必须先讲结果或别人必须配合的AR(action request),然后再讲问题发生的原因? 答：因为开会时间有限,参与的人太多(如全厂的生产晨会);先讲结果或AR可以让人快速抓住重点,如果时间不足原因可以简略说明即可
为什幺会议中要避免某些人”开小会“(小组自行讨论)的现象? 答：因为你不是主持人,开小会使得议程被打断,讨论主题发散,会议时间冗长,泿费大家时间
为什幺开会,上台进行演示文稿时,要力求大声?
答：因为所有人必须跟据你的说明下判断或决定,而且小声讲也显得自己没有自信
什幺是6S运动?
答：在自己的工作区内彻底执行整理/整顿/清扫/清洁/纪律/安全6项作业准则标准
整理与整顿的意含差异?
答：整理为保管要的东西,丢掉不要的东西,整顿为针对要的东西进行定位/标示/归位的动作
清扫与清洁的意含差异?
答：清除为清除脏乱污垢,清洁为保持整理/整顿/清扫的成果
6S运动推广重点区域?
答：办公区与洁净室是两大重点
为何无尘室中的任何地板开孔都必须以警示围篱区隔?
答：为了安全考量;任何小洞都可能造成人员拌倒,芯片摔破
为何无尘室中的中间走道高架地板上要铺设钢板? 答：为防止move-in 机台所用的拖板车刮伤地板
无尘室中间走道高架地板上的钢板,如何铺设?
答：先铺设塑料垫,再铺设钢板,每一片钢板的接鏠边必须以胶带贴合,避免人员或芯片推车拌倒
无尘室中有那些地板必须以颜色胶带做定位?
答：中间走道,各Bay信道,机台安装前的定位标示,逃生信道,货架定位,零附件暂存区定位
无尘室中的最大发尘源为何? 答：无尘室中走动的人
那些会发尘的物品不得带入无尘室? 答：通常属于天然类的物质都会发尘,如一般纸张,木箱,铅笔,等
无尘室中施工时必须参考的layout 图,如何带入无尘室? 答：请以无尘纸影印人后带入
可在无尘室中做地板切割作业?
答：不行,因为会产生微尘,所以请将地板携出进行作业
可在无尘室中做地板钻孔作业?
答：可以,但钻孔时必须同时以吸尘器清除这些铁屑(必须2人同时作业)货架不能挡住那些紧急设施?
答：冲身洗眼器,灭火器,机台的紧急按钮(EMO)手套上写字记事情,为什幺违反6S规定? 答：因为笔墨会到处沾粘;是微尘的来源
口罩必须如何戴才不违反6S规定?
答：完全盖住口鼻;且全程保持标准,不得拉下口罩,露出鼻子
制程或设备工程师review 完问题货,如果不放回定位,hold lot 货架或stocker内会有何影响? 答：制造部MA,将大海捞针式地搜索此LOT,因为只有在Stocker和机台上才能感测RFID,回传该LOT的位置
如何从自身执行公司的机密文件管制?
答：机密文件档案严禁任意放置在档案柜内或桌面上,必须放入有锁的抽里。
办公区域内不可吃饮料类以外的食物属于那一种要求? 答：办公区的工作纪律
办公区域内不得任意喧哗属于那一种要求? 答：办公区的工作纪律
办公区域内严禁打电子游戏属于那一种要求? 答：办公区的工作纪律
有独立办公室的同仁在离开办公室时，必须关上门属于那一种要求? 答：办公区的工作纪律
下班时请将桌面上所有文件清除属于那一种要求? 答：办公区的整理整顿
桌面下方物品堆放整齐，不可有杂物属于那一种要求? 答：办公区的整理整顿
何谓OCAP?
答：Out of Control Action Plan, 即产品制程结果量测值或机台监控monitor量测值,违反统计制程管制规则后的因应对策
制造部人员如何执行品质监控系统OCAP?
答：遇产品或机台monitor量测值OOC或OOS时,必须Follow 相对应的检查流程(有厚度/微尘/CD/Overlay…等OCAP 窗体);并通知工程师检查工程上的问题
工程部人员(制程或设备工程师)如何执行品质监控系统OCAP?
答：制造部MA通知必须Follow的OCAP;必须依流程判断LOT或机台有工程间题
什幺是OOS?
答：out of spec;制程结果超出允收规格
什幺是OOC?
答：out of control;制程结果在允收规格内但是违反统计制程管制规则;用以警讯机台或制程潜在可能的问题
发现Fab内地板有如水的不明液体要如何处理?
答：请先假设它可能为强酸强碱, 以酸碱试纸检测PH值后再以无尘布或吸酸棉吸收后丢入分类垃圾桶中
Fab内的灭火器为那一类? 答：CO2 类
为什幺FAB必须使用CO2类的灭火器? 答：因为CO2无干粉灭火器产尘的顾忌
如果不依垃圾分类原则来丢垃圾会有什幺后果?
答：可能造成无尘室的火灾危机,因为酸碱中和,产生热后可能引起火灾
无尘室的正下方我们称为什幺? 答：sub-fab
Sub-fab的功能主要为何?
答：生产机台所需的供酸供气等需求,主要由此处来供应上来
Fab内的空气和外界进行交换的比例为何? 答：约20%~25%
Fab生产区域内最在意静电(ESD)效应的区域为何? 答：PHOTO 黄光区(低能量静电放电导致光罩的破坏)PHOTO 区如何消除静电效应
答：(1)机台接地(2)使用导电或防静电的材质(3)使用静电消除装置
PHOTO 区的静电消除器安置在那些地方?
答：(1)天花板(2)机台scanner上方(3)Stocker内
静电效应主要造成那些破坏? 答：(1)使得wafer表面易吸附particle(2)堆积的静电荷一旦有放电作用,即会因产生的电流造成组件的破坏
何谓冲身洗眼器?/何处可以找到?
答：无尘室中各区域皆会有;是一可紧急使用冲淋身体与眼睛的地方
遇到什幺状况时,需要使用冲身洗眼器
答：当碰到酸碱或任何其它溶剂时,请立即进入冲淋间,以大量清水冲淋15分钟,然后赶急至医护室进行下一步处理
为何要配合海关进行资产盘点?(机台/芯片/原物料)
答：因为进口的大部份资产都有关税优惠;海关为了解企业确实将这些进口的材料加工成品后卖钱;而不是转手卖掉.这一盘点对公司来说是非常重要的
PHOTO区域若发生miss operaton;可进行rework将光阻去除后重新来过;所以不用太紧张对吗?
答：错!重做多次将影响良率
PEL-STEL(short term exposure limit)短时间(15分钟)时量平均容许浓度
答：劳工在短时间之内可以连续暴露，而不会遭受刺激，慢性或不可逆的组织损害，或在每天之暴露没有超过工作日时量平均容许浓度时不致因昏迷以致于会增加意外事故，损害自我救援能力，或实质地降低工作效率。
PEL-Ceiling最高容许浓度：
答：在工作期间之任何时间暴露，均不可以超过的浓度。
LEL & UEL(Lower(Upper)Explosion Limit)
答：.爆炸下限 & 爆炸上限;可燃性气体分子在空气中混合后的气体百分率,达爆炸范围时，可引起燃烧或爆炸，此爆炸范围的下限及上限称为LEL及UEL例如 SiH4 1.4%-96%
TLV(THRESHOLD LIMIT VALUE)国际标准阈限值、恕限量
答：空气中的物质浓度，在此情况下认为大多数人员每天重复暴露，不致有不良效应。在此浓度每天呼吸暴露8小时不致有健康危害。但因每人体质感受性差异很大，因此，有时即使低于TLV之浓度方可能导致某些人之不舒服、生病或使原有情况加剧。
PEL-TWA(time-weighted average)工作日时量平均容许浓度：各国家对同要物质可能有不同 TWA;例如AsH3 在 USA:20ppb Taiwan:50ppb
答：正常8小时一个工作天,40小时一工作周之时间加权的平均浓度下，大部份的劳工都重复一天又一天的曝露，而无不良的反应。
PHOTO
PHOTO 流程?
答：上光阻→曝光→顯影→顯影後檢查→CD量測→Overlay量測
何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？
答：Photoresist(光阻).是一种感光的物质，其作用是将Pattern从光罩(Reticle)上传递到Wafer上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。
何为正光阻?
答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。
何为负光阻?
答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。
什幺是曝光？什幺是显影？
答：曝光就是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将曝光完成后的图形处理，以将图形清晰的显现出来的过程。
何谓 Photo?
答：Photo=Photolithgraphy,光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。
Photo主要流程为何?
答：Photo的流程分为前处理，上光阻，Soft Bake, 曝光，PEB，显影，Hard Bake等。
何谓PHOTO区之前处理?
答：在Wafer上涂布光阻之前，需要先对Wafer表面进行一系列的处理工作，以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。前处理主要包括Bake，HDMS等过程。其中通过Bake将Wafer表面吸收的水分去除，然后进行HDMS工作，以使Wafer表面更容易与光阻结合。
何谓上光阻? 答：上光阻是为了在Wafer表面得到厚度均匀的光阻薄膜。光阻通过喷嘴（Nozzle）被喷涂在高速旋转的Wafer表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer的表面。何谓Soft Bake?
答：上完光阻之后，要进行Soft Bake，其主要目的是通过Soft Bake将光阻中的溶剂蒸发，并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。
何谓曝光?
答：曝光是将涂布在Wafer表面的光阻感光的过程，同时将光罩上的图形传递到Wafer上的过程。
何谓PEB(Post Exposure Bake)?
答：PEB是在曝光结束后对光阻进行控制精密的Bake的过程。其目的在于使被曝光的光阻进行充分的化学反应，以使被曝光的图形均匀化。
何谓显影? 答：显影类似于洗照片，是将曝光完成的Wafer进行成象的过程，通过这个过程，成象在光阻上的图形被显现出来。
何谓Hard Bake?
答：Hard Bake是通过烘烤使显影完成后残留在Wafer上的显影液蒸发，并且固化显影完成之后的光阻的图形的过程。
何为BARC?何为TARC?它们分别的作用是什幺？
答：BARC=Bottom Anti Reflective Coating, TARC=Top Anti Reflective Coating.BARC是被涂布在光阻下面的一层减少光的反射的物质，TARC则是被涂布在光阻上表面的一层减少光的反射的物质。他们的作用分别是减少曝光过程中光在光阻的上下表面的反射，以使曝光的大部分能量都被光阻吸收。
何谓 I-line？
答：曝光过程中用到的光，由Mercury Lamp(汞灯)产生，其波长为365nm，其波长较长，因此曝光完成后图形的分辨率较差，可应用在次重要的层次。
何谓 DUV？
答：曝光过程中用到的光，其波长为248nm，其波长较短，因此曝光完成后的图形分辨率较好，用于较为重要的制程中。
I-line与DUV主要不同处为何?
答：光源不同，波长不同，因此应用的场合也不同。I-Line主要用在较落后的制程（0.35微米以上）或者较先进制程（0.35微米以下）的Non-Critical layer。DUV则用在先进制程的Critical layer上。
何为Exposure Field?
答：曝光区域，一次曝光所能覆盖的区域
何谓 Stepper? 其功能为何?
答：一种曝光机，其曝光动作为Step by step形式,一次曝整個exposure field,一個一個曝過去
何谓 Scanner? 其功能为何?
答：一种曝光机，其曝光动作为Scanning and step形式, 在一個exposure field曝光時, 先Scan完整個field, Scan完後再移到下一個field.何为象差？
答：代表透镜成象的能力,越小越好.Scanner比Stepper优点为何？
答：Exposure Field大，象差较小
曝光最重要的两个参数是什幺？ 答：Energy(曝光量), Focus(焦距)。如果能量和焦距调整的不好，就不能得到要求的分辨率和要求大小的图形，主要表现在图形的CD值超出要求的范围。因此要求在生产时要时刻维持最佳的能量和焦距，这两个参数对于不同的产品会有不同。
何为Reticle?
答：Reticle也称为Mask，翻译做光掩模板或者光罩，曝光过程中的原始图形的载体，通过曝光过程，这些图形的信息将被传递到芯片上。
何为Pellicle?
答：Pellicle是Reticle上为了防止灰塵(dust)或者微塵粒子(Particle)落在光罩的图形面上的一层保护膜。
何为OPC光罩？
答：OPC(Optical Proximity Correction)为了增加曝光图案的真实性，做了一些修正的光罩，例如，0.18微米以下的Poly, Metal layer就是OPC光罩。
何为PSM光罩？
答：PSM(Phase Shift Mask)不同于Cr mask, 利用相位干涉原理成象，目前大都应用在contact layer以及较小CD的Critical layer（如AA，POLY，METAL1）以增加图形的分辨率。
何為CR Mask？
答：傳統的鉻膜光罩,只是利用光訊0與1干涉成像,主要應用在較不Critical 的layer
光罩编号各位代码都代表什幺？
答：例如003700-156AA-1DA, 0037代表产品号，00代表Special code,156代表layer,A代表客户版本，后一个A代表SMIC版本，1代表FAB1，D代表DUV(如果是J,则代表I-line),A代表ASML机台（如果是C，则代表Canon机台）
光罩室同时不能超过多少人在其中？
答：2人，为了避免产生更多的Particle和静电而损坏光罩。
存取光罩的基本原则是什幺？
答：(1)光罩盒打开的情况下，不准进出Mask Room,最多只准保持2个人(2)戴上手套(3)轻拿轻放
如何避免静电破坏Mask？
答：光罩夹子上连一导线到金属桌面，可以将产生的静电导出。
光罩POD和FOUP能放在一起吗？它们之间至少应该保持多远距离？
答：不能放在一起，之间至少要有30公分的距离，防止搬动FOUP时碰撞光罩Pod而损坏光罩。
何谓 Track?
答：Photo制程中一系列步骤的组合，其包括：Wafer的前、后处理，Coating(上光阻)，和Develop(显影)等过程。
In-line Track机台有几个Coater槽，几个Developer槽？
答：均为4个
机台上亮红灯的处理流程？
答：机台上红灯亮起的时候表明机台处于异常状态，此时已经不能RUN货，因此应该及时Call E.E进行处理。若EE现在无法立即解决，则将机台挂DOWN。
何谓 WEE? 其功能为何?
答：Wafer Edge Exposure。由于Wafer边缘的光阻通常会涂布的不均匀，因此一般不能得到较好的图形，而且有时还会因此造成光阻peeling而影响其它部分的图形，因此 将Wafer Edge的光阻曝光，进而在显影的时候将其去除，这样便可以消除影响。
何为PEB？其功能为何？
答：Post Exposure Bake，其功能在于可以得到质量较好的图形。（消除standing waves）
PHOTO POLYIMIDE所用的光阻是正光阻还是负光阻
答：目前正负光阻都有，SMIC FAB内用的为负光阻。
RUN货结束后如何判断是否有wafer被reject？
答：查看RUN之前lot里有多少Wafer,再看Run之后lot里的WAFER是否有少掉，如果有少，则进一步查看机台是否有Reject记录。
何谓 Overlay? 其功能为何?
答：迭对测量仪。由于集成电路是由很多层电路重迭组成的，因此必须保证每一层与前面或者后面的层的对准精度，如果对准精度超出要求范围内，则可能造成整个电路不能完成设计的工作。因此在每一层的制作的过程中，要对其与前层的对准精度进行测量，如果测量值超出要求，则必须采取相应措施调整process condition.何谓 ADI CD?
答：Critical Dimension，光罩图案中最小的线宽。曝光过后，它的图形也被复制在Wafer上，通常如果这些最小的线宽能够成功的成象，同时曝光的其它的图形也能够成功的成象。因此通常测量CD的值来确定process的条件是否合适。
何谓 CD-SEM? 其功能为何?
答：扫描电子显微镜。是一种测量用的仪器，通常可以用于测量CD以及观察图案。
PRS的制程目的为何？
答：PRS(Process Release Standard)通过选择不同的条件（能量和焦距）对Wafer曝光，以选择最佳的process condition。
何为ADI？ADI需检查的项目有哪些？
答：After Develop Inspection，曝光和显影完成之后，通过ADI机台对所产生的图形的定性检查，看其是否正常，其检查项目包括：Layer ID,Locking Corner,Vernier,Photo Macro Defect 何为OOC, OOS，OCAP？
答：OOC=out of control,OOS=Out of Spec,OCAP=out of control action plan 当需要追货的时候，是否需要将ETCH没有下机台的货追回来？
答：需要。因为通常是process出现了异常，而且影响到了一些货，因此为了减少损失，必须把还没有ETCH的货追回来，否则ETCH之后就无法挽回损失。
PHOTO ADI检查的SITE是每片几个点？
答：5点，Wafer中间一点，周围四点。
PHOTO OVERLAY检查的SITE是每片几个点？
答：20
PHOTO ADI检查的片数一般是哪几片？
答：#1，#6，#15，#24;统计随机的考量 何谓RTMS，其主要功能是什幺？
答：RTMS(Reticle Management System)光罩管理系统用于trace光罩的History,Status,Location,and Information以便于光罩管理
PHOTO区的主机台进行PM的周期？
答：一周一次
PHOTO区的控片主要有几种类型
答：(1)Particle :作為Particle monitor用的芯片,使用前測前需小於10顆(2)Chuck Particle :作為Scanner測試Chuck平坦度的專用芯片,其平坦度要求非常高(3)Focus :作為Scanner Daily monitor best 的wafer(4)CD :做為photo區daily monitor CD穩定度的wafer(5)PR thickness :做為光阻厚度測量的wafer(6)PDM :做為photo defect monitor的wafer
当TRACK刚显示光阻用完时，其实机台中还有光阻吗？
答：有少量光阻
当TRACK刚显示光阻用完时，其实机台中还有光阻吗？
答：有少量光阻
WAFER SORTER有读WAFER刻号的功能吗？
答：有
光刻部的主要机台是什幺? 它们的作用是什幺?
答：光刻部的主要机台是: TRACK(涂胶显影机), Sanner(扫描曝光机)为什幺说光刻技术最象日常生活中的照相技术
答：Track 把光刻胶涂附到芯片上就等同于底片,而曝光机就是一台最高级的照相机.光罩上的电路图形就是”人物“.通过对准,对焦,打开快门, 让一定量的光照过光罩, 其图像呈现在芯片的光刻胶上, 曝光后的芯片被送回Track 的显影槽, 被显影液浸泡, 曝光的光刻胶被洗掉, 图形就显现出来了.光刻技术的英文是什幺
答：Photo Lithography
常听说的.18 或点13 技术是指什幺?
答：它是指某个产品,它的最小”CD" 的大小为0.18um or 0.13um.越小集成度可以越高, 每个芯片上可做的芯片数量越多, 难度也越大.它是代表工艺水平的重要参数.从点18工艺到点13 工艺到点零9.难度在哪里?
答：难度在光刻部, 因为图形越来越小, 曝光机分辨率有限.曝光机的NA 是什幺?
答：NA是曝光机的透镜的数值孔径;是光罩对透镜张开的角度的正玹值.最大是1;先进的曝光机的NA 在0.5---0.85之间.曝光机分辨率是由哪些参数决定的? 答：分辨率=k1*Lamda/NA.Lamda是用于曝光的光波长;NA是曝光机的透镜的数值孔径;k1是标志工艺水准的参数, 通常在0.4--0.7之间.如何提高曝光机的分辨率呢?
答：减短曝光的光波长, 选择新的光源;把透镜做大,提高NA.现在的生产线上, 曝光机的光源有几种, 波长多少?
答：有三种: 高压汞灯光谱中的365nm 谱线, 我们也称其为I-line;KrF 激光器, 产生248 nm 的光;ArF 激光器, 产生193 nm 的光;下一代曝光机光源是什幺? 答：F2 激光器.波长157nm
我们可否一直把波长缩短,以提高分辨率? 困难在哪里?
答：不可以.困难在透镜材料.能透过157nm 的材料是CaF2, 其晶体很难生长.还未发现能透过更短波长的材料.为什幺光刻区采用黄光照明？
答：因为白光中包含365nm成份会使光阻曝光,所以采用黄光;就象洗像的暗房采用暗红光照明.什幺是SEM
答：扫描电子显微镜(Scan Electronic Microscope)光刻部常用的也称道CD SEM.用它来测量CD
如何做Overlay 测量呢?
答：芯片(Wafer)被送进Overlay 机台中.先确定Wafer的位置从而找到Overlay MARK.这个MARK 是一个方块 IN 方块的结构.大方块是前层, 小方块是当层;通过小方块是否在大方块中心来确定Overlay的好坏.生产线上最贵的机器是什幺
答：曝光机;5-15 百万美金/台
曝光机贵在哪里?
答：曝光机贵在它的光学成像系统(它的成像系统由15 到20 个直径在200 300MM 的透镜组成.波面相位差只有最好象机的5%.它有精密的定位系统(使用激光工作台)
激光工作台的定位精度有多高?
答：现用的曝光机的激光工作台定位的重复精度小于10nm 曝光机是如何保证Overlay<50nm
答：曝光机要保证每层的图形之间对准精度<50nm.它首先要有一个精准的激光工作台, 它把wafer移动到准确的位置.再就是成像系统,它带来的图像变形<35nm.在WAFER 上, 什幺叫一个Field?
答：光罩上图形成象在WAFER上, 最大只有26X33mm一块(这一块就叫一个Field),激光工作台把WAFER 移动一个Field的位置，再曝一次光，再移动再曝光。直到覆盖整片WAFER。所以，一片WAFER 上有约100左右Field.什幺叫一个Die?
答：一个Die也叫一个Chip;它是一个功能完整的芯片。一个Field可包含多个Die;
为什幺曝光机的绰号是“印钞机”
答：曝光机 很贵；一天的折旧有3万-9万人民币之多;所以必须充份利用它的产能,它一天可产出1600片WAFER。
Track和Scanner内主要使用什幺手段传递Wafer：
答：机器人手臂(robot), Scanner 的ROBOT 有真空(VACCUM)来吸住WAFER.TRACK的ROBOT 设计独特, 用边缘HOLD WAFER.可否用肉眼直接观察测量Scanner曝光光源输出的光
答：绝对禁止;强光对眼睛会有伤害
为什幺黄光区内只有Scanner应用Foundation(底座)答：Scanner曝光对稳定性有极高要求(减震)近代光刻技术分哪几个阶段?
答：从80’S 至今可分4阶段:它是由曝光光源波长划分的;高压水银灯的G-line(438nm), I-line(365nm);excimer laser KrF(248nm), ArF laser(193nm)I-line scanner 的工作范围是多少?
答：CD >0.35um 以上的图层(LAYER)KrF scanner 的工作范围是多少?
答：CD >0.13um 以上的图层(LAYER)ArF scanner 的工作范围是多少?
答：CD >0.08um 以上的图层(LAYER)什幺是DUV SCANNER
答：DUV SCANNER 是 指所用光源为Ｄeep Ultra Voliet, 超紫外线．即现用的248nm,193nm Scanner
Scanner在曝光中可以达到精确度宏观理解：
答：Scanner 是一个集机，光，电为一体的高精密机器；为控制iverlay<40nm,在曝光过程中，光罩和Wafer的运动要保持很高的同步性．在250nm/秒的扫描曝光时，两者同步位置<10nm．相当于两架时速1000公里／小时的波音747飞机前后飞行，相距小于10微米
光罩的结构如何？
答：光罩是一块石英玻璃，它的一面镀有一层铬膜（不透光）．在制造光罩时，用电子束或激光在铬膜上写上电路图形（把部分铬膜刻掉，透光）．在距铬膜5mm 的地方覆盖一极薄的透明膜（叫pellicle），保护铬膜不受外界污染.在超净室（cleanroom）为什幺不能携带普通纸
答：普通纸张是由大量短纤维压制而成，磨擦或撕割都会产生大量微小尘埃（particle）．进cleanroom 要带专用的Cleanroom Paper.如何做CD 测量呢? 答：芯片(Wafer)被送进CD SEM 中.电子束扫过光阻图形(Pattern).有光阻的地方和无光阻的地方产生的二次电子数量不同;处理此信号可的图像.对图像进行测量得CD.什幺是DOF
答：DOF 也叫Depth Of Focus, 与照相中所说的景深相似.光罩上图形会在透镜的另一侧的某个平面成像, 我们称之为像平面(Image Plan), 只有将像平面与光阻平面重合(In Focus)才能印出清晰图形.当离开一段距离后, 图像模糊.这一可清晰成像的距离叫DOF
曝光显影后产生的光阻图形（Pattern）的作用是什幺？
答：曝光显影后产生的光阻图形有两个作用：一是作刻蚀的模板，未盖有光阻的地方与刻蚀气体反应，被吃掉．去除光阻后，就会有电路图形留在芯片上．另一作用是充当例子注入的模板．
光阻种类有多少？
答：光阻种类有很多．可根据它所适用的曝光波长分为I-line光阻,KrF光阻和ArF光阻
光阻层的厚度大约为多少？
答：光阻层的厚度与光阻种类有关．I-line光阻最厚，0.7um to 3um.KrF光阻0.4-0.9um.ArF光阻0.2-0.5um.哪些因素影响光阻厚度？
答：光阻厚度与芯片（ＷＡＦＥＲ）的旋转速度有关，越快越薄，与光阻粘稠度有关．
哪些因素影响光阻厚度的均匀度？
答：光阻厚度均匀度与芯片（ＷＡＦＥＲ）的旋转加速度有关，越快越均匀，与旋转加减速的时间点有关．
当显影液或光阻不慎溅入眼睛中如何处理
半导体领域的“大师” 篇3
这位72岁的老人，自费从日本来到深圳参观高交会。一下飞机，不顾路途劳累就直奔高交会场馆，细细参观了１、２、３、５、９号展馆。“他平常的活动通常都是半年前就安排好的，”大见忠弘的助手告诉记者，“他特意推掉其他安排，专程从日本来到深圳。”
大见忠弘先生是一位在世界半导体领域有着影响力的科学家。他学术的高度，不仅在日本令其同行难以望其项背，在美国和欧洲都有着广泛而深刻的影响。不仅如此，大见忠弘在世界半导体界有着“践行家”的美誉——以最快的速度、最佳的方式将科研成果转变成生产力，被业界认为是将学者、科学家、企业家于一身的“集大成者”。从70年代开始，大见忠弘每年的研究经费都在39亿到40亿日元之间，他的学术视野可谓是站在世界最前沿。
正因如此，他的到来成为了本届高交会最大的亮点之一。在组委会为他举办的专场新闻发布会现场上，一头银发的大见忠弘教授娓娓道来目前世界半导体产业发展遭遇的瓶颈及其未来发展方向。
记者：您是第一次来观摩深圳高交会，参观完高交会给您留下什么样的印象，特别是本届高交会展出的技术的先进性，请您评价一下？您看完本高交会不会向日本企业家推荐，让他们前来参会？
大见忠弘：我虽然是首次参加高交会，但对中国的高科技发展和进步感到非常的惊讶和痴迷，我亲身体验和看到中国在短时间内实现了对于世界高新技术水平的赶超。刚才有人提问，我此次回国会不会向同行和企业宣传这次活动，我作为活跃在国际半导体领域、特别是对欧美有着非常了解的学者，通过看这次展览，我感觉到中国、日本、美国应该联起手来合作，这样才是推动世界半导体再发展的必由之路。
记者：到现在为止，您参加了多少次有影响的展会？您现在还会参加什么样的展会？您选择参加这次高交会，您是看中了它什么？参加完之后，您觉得达到目的了吗？
大见忠弘：世界上的相关展览会，如美国、欧洲的展会，我几乎没有不看的。但到深圳确实是首次，我个人觉得硅电子的发展已经到了瓶颈的阶段，再往下发展基本上处于停滞状态，这个阶段给这一技术的突破带来了很多困难。
我个人主要是从事硅电集成电路的研究，硅电集成电路的进步就是世界半导体的进步。我目前正在尝试的研究是，将硅电集成电路的研究成果进一步转化成综合设施，这其中关键一点是计算网自报设备转化的功能，如果这个过程顺利进行的话，技术会就出现一个突飞的进步。此外，在太阳能的运用方面、在太阳能电池的功能提高方面，也是世界技术下一步发展的很重要的课题。现在，我可以这样讲，制作太阳能电池的装置消耗的能力要比太阳能发电的能量还要多，所以我认为这一领域的研究非常重要，如果在太阳能制作技术和太阳能制作装置有一个飞跃，则会从根本上解决地球温暖化的问题。
记者：听完您的一番介绍，可以说您无论从技术开发到其产业化方面都非常专业，深圳是一个非常具有创业精神的城市，本届高交会有很多只是拥有科研成果、但未能又急于将技术转化成产品的企业，您能否给这些企业提供一些建议？
大见忠弘：我作为一个大学教授，培养了许多电子工程方面的人才，在他们的培养过程中，我感觉年轻人追求真理是一个过程，在追求真理中把这些成果转化成现实则是更重要的。在追求真理过程当中，一定要有非常完美的、不差毫厘的、解决产品无损的研究成果，把这个研究成果尽快尽早的向世界公开、合理推进，不然，只是做一些似是而非、不是很完美、不是很科学的研究成果，是完成不了技术成果转化为市场的跨跃。
记者：深圳高交会处于年轻发展阶段的展会，您能否用您的观察，谈一下这届高交会敏感的地方和您觉得改进的地方?
大见忠弘：参加这次的展会的感受是，首先在科学上一定要严谨，其次要有“再现性”，能够再现的就是科学的。
半导体 篇4
2010年中国集成电路市场规模增长29.5%
2010年全球半导体市场规模2983.2亿美元, 市场增速达31.8%, 是继2000年以来市场增速最快的一年。在经历了2009年的下滑之后, 市场大幅反弹, 结束了连续多年来的低迷发展态势。
赛迪顾问半导体业务群总监李珂介绍, 中国集成电路方面, 市场也同样结束了连续多年来增速下降的趋势, 2010年市场增速达29.5%, 实现销售额7349.5亿元。是继2005年之后市场增速最快的一年 (图1) 。市场反弹得益于全球经济的复苏, 市场对下游整机电子产品的需求旺盛, 从而带动对上游集成电路产品的需求。
此外, 由于2010年下游市场对芯片需求强劲, 因此整体上使得芯片价格相对往年较为坚挺, 在某些产品领域甚至出现芯片价格上涨的现象, 芯片价格也是影响市场发展的因素之一。整体来看, 2010年之所以能实现市场的大幅反弹, 关键的因素还是因为2009年市场受全球金融危机影响造成衰退, 从而导致市场基数较低, 因此2010年全球市场和中国市场双双实现高速增长。
数据来源:赛迪顾问, 2011年2月
数据来源:赛迪顾问, 2011年2月
中国集成电路自给率低状况仍未改变
虽然2010年中国IC设计业的发展非常迅速, 包括珠海欧比特、北京君正、国民技术、福星晓程等公司成功登陆创业板, 但是这些企业的壮大并未实质改变国内自给率不足10%的现状。
根据海关的最新统计数据, 2 0 1 0年中国集成电路进口额达1569.9亿美元, 同比增速31.0%。出口方面, 中国集成电路2010年出口额为292.5亿美元, 同比增速25.5%。可以看出, 中国集成电路产品进出口差额较大, 中国所需的集成电路多数仍然需要进口, 中国集成电路市场的发展速度也基本与进口规模的增速保持一致。
未来几年市场将保持平稳发展态势
对于已经开始的2011年半导体市场走向, 笔者同诸多企业高层交流, 均表示无法预测, 但是一致意见是:在经历了2010年的高速增长之后, 无论是全球市场还是中国市场, 市场将会进入平稳发展的阶段。
台积电上海厂的一位副总经理表示, 目前几乎所有的代工厂都开始冷静对待2011年的产能。
赛迪顾问给出的结论是, 2011年市场发展的驱动力仍然主要来自PC、手机、液晶电视以及其它产量较大的电子产品, 市场增速预计在10%左右 (图2) 。
对于2011年中国集成电路市场的驱动力, 李轲表示, 未来新兴应用将成为市场增长的推动因素之一。x Pad等新兴电子产品市场的发展也在一定程度上推动了半导体市场的发展, 随着医疗电子、安防电子以及各个行业信息化建设的持续深入, 应用于这些行业的集成电路产品所占的市场比重将会越来越大。
未来3年, 汽车电子的增速将会明显放缓, 但依然将明显高于整体集成电路市场的增长, PC领域的增速也将会有所放缓, 这将直接影响到存储器市场和CPU市场的发展。值得注意的MCU产品, 未来随着社保卡发卡量的增加, 用于IC卡领域的MCU将会受到带动, 而且随着MCU应用范围的拓宽, 中国MCU的增速将明显快于整体集成电路市场。
“4号文件”将对产业产生积极影响
作为本次半导体年会的重要内容, 被称为“4号文件”的《进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》的解读成为与会人士关注焦点。
据中国半导体行业协会秘书长陈贤透露, 目前发改委正会同财政部和税务总局等相关单位抓紧落实“4号文件”的实施细则, 行业协会目前也在紧密与集成电路各产业链企业沟通, 为政府相关部门决策提供可靠依据, 从而协助确保新政策落到实处。
陈贤表示, “4号文件”中所提及的政策, 将本着先易后难、先简后繁的顺序陆续展开, 比如落实税收政策就要先于引导设立股权或创业投资基金, 而企业利用知识产权无形资产质押贷款, 可能银行这一关不好过。
虽然目前具体的实施细则还没有公布, 但是与会的企业人士均对“4号文件”对产业的促进作用表示相当乐观。
中国半导体协会常务副理事长许金寿表示, “4号文件”明显加大了对集成电路产业的支持力度, 文件的表述中“集成电路”一词出现的频次已经增加到61次, 同时支持范围延伸至封装、测试、设备和材料等产业链上下游。同时, 更加注重解决企业在实际经营中遇到的不便与困难, 因此该文件将前所未有地发挥对产业的促进作用。
但是, 某企业高层对政策部分内容表示了担忧, 他表示新的文件中提及鼓励国内IC企业间的兼并与重组, 但是具体实施可能会遇到地方政府的阻力, 而且单靠企业自己的力量很难解决。
半导体硅材料 篇5
半导体硅材料和光电子材料的发展现状及趋势
随着微电子工业的飞速发展, 作为半导体工业基础材料的硅材料工业也将随之发展，而光电子科技的飞速发展也使半导体光电子材料的研究加快步伐，所以研究半导体硅材料和光电子材料的发展现状及未来发展趋势势在必行。现代微电子工业除了对加工技术和加工设备的要求之外,对硅材料也提出了更新更高的要求。
在当今全球超过亿美元的半导体市场中,95%以上的半导体器件和99%以上的集成电路都是用高纯优质的硅抛光片和外延片制作的。在未来30-50年内,它仍将是集成电路工业最基本和最重要的功能材料。半导体硅材料以丰富的资源、优质的特性、日臻完善的工艺以及广泛的用途等而成为了当代电子工业中应用最多的半导体材料。
随着国际信息产业的迅猛发展, 电子工业和半导体工业也得到了巨大发展,并且直到20世纪末都保持稳定的15%的年增长率迅速发展,作为半导体工业基础材料的硅材料工业也将随之发展，所以研究半导体硅材料的发展现状及未来发展趋势势在必行。
一、半导体硅材料的发展现状
由于半导体的优良性能，使其在射线探测器、整流器、集成
电路、硅光电池、传感器等各类电子元件中占有极为重要的地位。同时,由于它具有识别、存储、放大、开关和处理电信号及能量转换的功能,而使“半导体硅”实际上成了“微电子”和“现代化电子”的代名词。
二、现代微电子工业的发展对半导体硅材料的新要求 随着微电子工业飞速发展, 除了本身对加工技术和加工设备的要求之外, 同时对硅材料也提出了更新更高的要求。
1. 对硅片表面附着粒子及微量杂质的要求
随着集成电路的集成度不断提高,其加工线宽也逐步缩小,因此, 对硅片的加工、清洗、包装、储运等工作提出了更高的`新要求。对于兆位级器件, 0.10μm的微粒都可能造成器件失效。亚微米级器件要求0.1μm的微粒降到10个/片以下同时要求各种金属杂质如Fe、Cu、Cr、Ni、A1、Na 等, 都要控制在目前分析技术的检测极限以下。
2. 对硅片表面平整度、应力和机械强度的要求
硅片表面的局部平整度(SFQD)一般要求为设计线宽的2/3,以64M存储器的加工线宽0.35μm为例,则要求硅片局部平整度在22mm2范围内为0.23μm, 256M电路的SFQD为0.17μm。同时,器件工艺还要求原始硅片的应力不能过分集中,机械强度要高,使器件的稳定性和可靠性得到保证,但现在这方面硅材料尚未取得突破性进展,仍是以后研究的一个课
题。
3. 对硅片表面和内部结晶特性及氧含量的要求
对大规模集成电路来说, 距硅片表面10μm 左右厚度区域为器件活性区,要求该区域性质均匀且无缺陷。64M和256M电路要求硅片的氧化诱生层错(OSF)≤20/cm2。为达到此要求,目前比较成熟的工艺是采用硅片吸除技术,分为内吸除和背面损伤吸除。现在器件厂家都根据器件工艺的需要,对硅片提出了某种含氧量要求。
4. 对硅片大直径化的要求
为了提高生产率、降低成本,器件厂家随着生产规模的扩大,逐步要求增大硅片直径,使同等规模芯片的收得率明显提高,给器件厂家带来极为显著的经济效益。
三、半导体光电子材料
1、半导体激光材料
电子器件和光电子器件应用时半导体材料最重要的两大应用领域。半导体材料Si，GaAs和GaN，InP等几十重要的电子材料，也是重要的光电子材料。在1962年，GaAs激光二极管的问世，作为了半导体光电子学的开端。激光的激射波长取决于材料的带隙，且只有具有直接带隙的材料才能产生光辐射，它使注入的电子-空穴自己发生辐射复合以得到较高的电光转化效率。
产生激光的条件有：
1、形成粒子数反转使受激辐射占优势;2、具有共振腔以实现光量子放大;3、外界输入能量至少要达到阀值，使激光管的增益至少等于损耗。 2、半导体显示材料半导体显示材料有发光二极管LED和电致发光显示。 发光二极管LED发光二极管LED它是由数层很薄的掺杂半导体材料制成。当通过正向电流时，n区电子获得能量越过PN结的禁区与p区的空穴复合以光的形式释放出能量。而LED广泛应用于各方面，现如今的半导体白光照明、车内照明、交通信号灯、装饰灯、大屏幕全彩色显示系统、太阳能照明系统、以及紫外、蓝外激光器、高容量蓝光DVD、激光打印和显示等。 为了实现高亮度白光LED，我们可以通过红绿蓝三种LED可以组合成为白光;也可以基于紫外光LED，通过三基色粉，组合成为白光;也可基于蓝光LED，通过黄色荧光粉激发出蓝光，组合成为白光。 电致发光 电致发光又称为场致发光，与LED的低电场结型发光相比，是一种高电场作用下发光。电致发光材料分为粉末发光材料和薄膜发光材料。 半导体粉末发光材料的发光特性主要有一线特殊杂质作为激活剂和共激活剂所决定的，ZnS粉末常用Cu作为激活剂;Al、Ga、In等作为共激活剂。其中对于ZnS粉末，用Mn、Cu作激活剂可以发黄光，用Ag作为激活剂可以发蓝光，用Cd、Ag作为激活剂发出红绿光。 薄膜发光材料发光机理和粉末材料基
本相同，但薄膜材料可以在高频电压下工作，发光亮度也较高。 阴极射线管是将电信号转换成光学图像的电子束管，常见的由彩色电视显像管，它的光电转换时通过其中的荧光屏来实现的，所用的蓝粉和绿粉以ZnS为主。 3、太阳能电池材料太阳能电池材料分为硅电池材料和化合物半导体材料。硅电池材料有单晶硅电池、多晶硅电池、带状硅电池和薄膜硅电池材料。化合物半导体材料有CuInSe2电池、CdTe电池、GaAs电池和GaSb电池。
四、半导体材料的发展趋势
随着硅的直径增大,杂质氧等杂质在硅锭和硅片中的分布也变得不均匀,这将严重的影响集成电路的成品率,特别是高集成度电路。为避免氧的沉淀带来的问题,可采用外延的办法解决。即用硅单晶片为衬底,然后在其上通过气相反应方法再生长一层硅,如2个微米、个微米或0.5个微米厚等。这一层外延硅中的氧含量就可以控制到1016/cm3以下,器件和电路就做在外延硅上,而不是原来的硅单晶上,这样就可解决由氧导致的问题。尽管成本将有所提高,但集成电路的集成度和运算速度都得到了显著提高, 这是目前硅技术发展的一个重要方向。目前硅的集成电路大规模生产技术已经达到0.13-0.09微米,进一步将到0.半导体硅材料07微米,也就是70个纳米甚至更小。根据预测,到2022年,硅集成电路技术的线宽可能达到10个纳米,这个尺度被认为是硅集成电路的“物理
极限”。就是说,尺寸再减小,就会遇到有很多难以克服的问题。随着技术的发展,特别是纳米加工技术的发展,也可能把这个“极限”尺寸进一步减小;但总有一天,当代的硅微电子技术可能会走到尽头。
随着集成电路集成度的提高,芯片的功耗也急剧增加,使其难以承受;现在电脑CPU的功耗已经很高,如果说将来把它变成“纳米结构”, 即不采用新原理,只是按《摩尔定律》走下去,进一步提高集成度,那么加在它上面的功耗就有可能把硅熔化掉!另外一个问题是光刻技术, 目前大约可以做到0.1微米,虽然还有些正在发展的光刻技术,如X 光、超紫外光刻技术等,但要满足纳米加工技术的需求还相差很远。再者就是电路器件之间的互连问题,对每一个芯片来说,每一个平方厘米上有上千万、上亿只管子,管子与管子之间的联线的长度要占到器件面积的60-70%,现在的连线就多达8层到10多层,尽管两个管子之间的距离可以做得很小,但是从这个管子到另外一个管子,电子走的路径不是直线,而要通过很长的连线。线宽越窄,截面越小,电阻越大,加上分布电容,电子通过引线所需的时间就很长,这就使CPU的速度变慢。另外纳米加工的制作成本也很高,由于这些原因,硅基微电子技术最终将没有办法满足人类对信息量不断增长的需求。
五、结论
值班室的半导体 篇6
在这个偏僻的气象站，中专毕业的我算是稀有人才。站长老刘当时就把我列为站里两“宝”，另一“宝”就是值班室里那台很气派的半导体收音机（好像是上海红灯牌），形状大小与现在的微波炉相仿。这台功能和效果在当时堪称最佳的收音机，是省局作为仪器配给气象站的。当然，除了收听高空天气形势外，这台收音机主要还是供我们娱乐。
小马、小金特爱听相声，大李和刘站长则着迷于评书，我们几个的共同爱好是听歌。记得每晚八点半是“歌曲时间”，此时，气象观测记录已整理完毕，工作步入一天中最清闲的时段。收音机里的“歌曲时间”，就成了我们的“享受时间”。《北京颂歌》《雄伟的天安门》《草原英雄小姐妹》……以及张掁富、耿莲凤的男女声二重唱，令我们如痴如醉。有时，我有点想家，情绪开始低落，但只要听到值班室传出的歌声，我顿时就会兴奋起来。刘站长似乎看出了这点，只要我沉默不语，他就过去给我调收音机频道，一般总能调出歌声来。
当时，我和小马、小金都是单身汉，吃住都在站里，也共同享受着收音机资源，每周至少共同收听三次“歌曲时间”。如果碰上一首“校园歌曲”（如《走在乡间的小道上》《踏着夕阳归去》），那简直就是我们仨的节日了，狂热的劲头，一点也不逊色于现在少男少女迷周杰伦或超级女声。当时演唱台湾校园歌曲的王洁实、谢丽斯是我的崇拜偶像，我连发型都弄成王洁实的“分头”。
半导体冷热杯 篇7
该冷热杯的致冷温差可以达到10℃, 致热温差可以达到20℃。电路采用场效应管整流器, 有工作效率高的特点。通过制作, 你可以得到一款在冬天和夏天用得着的小电器。
工作原理
图1是工作原理图, 主要由5部分组成。分别是变压器变压二极管整流电路、场效应管整流电路、整流脉冲控制电路、三倍压整流电路和致冷致热转换电路。
1. 变压器变压二极管整流电路:
220V电压由变压器B变压后有两组电压输出, 分别5V一组和9V一组, 5V给致冷块使用, 9V供散热风扇用。9V电压由VD1半波整流C1滤波后产生12V的电压供风扇使用。
2. 场效应管整流电路:
基本电路如图2所示。它是通过场效应管的导通与截止工作的。当电压的正半周时, 上正下负。矩形脉冲加到场效应管V2、V4的G极。V2、V4导通, 电流从V2的S极流入从D极流出, 过负载RL到V4的S极流入D极流出, 形成回路。当电压的负半周时, 矩形脉冲加到V1、V3的G极, V1、V3导通, 电流从V3的S极流入D极流出过负载RL再从V1的S极流入D极流出, 形成回路 (注意, 此时不是场效应管内部二极管导通) 。这样在负载上形成完整的全波电压。由于场效应管的导通电压很低, 约0.1V左右, 因此大电流消耗的功率也很低, 这正是我们的采用这种电路的原因。但关键是要做到加在栅极上的脉冲电压与输入电压对应, 也就是加在V1、V3和V2、V4上的脉冲宽度要尽可能一致, 否则将出现短路的情况。
3. 整流脉冲控制电路:
基本电路如图3所示, IC1为运算放大器μA741。L为变压器次级线圈。R1～R4为4只等阻值的100k电阻, 由于每只电阻的阻值总有一些不相同, 这样就能使IC1输出为高电平或低电平。当线圈L有电压输出时, IC1反相输入端就会有大于或小于同相输入端电压产生。这个电压为原来 (静态) 反相输入端电压与线圈L上电压代数之和。这样, 输出端在输入电压负半周时, 输出一个脉冲。同样道理, IC2也会输出一个脉冲, 但由于线圈L接IC1、IC2电阻上的端头不同, 产生脉冲时间上也不相同。也就是IC2在线圈输入交流电压的正半周输出脉冲, IC1在输入交流电压的负半周输出脉冲。输出这两个脉冲用于控制场效应管整流电路中的场效应管的栅极使之完成全波整流。
4. 三倍压整流电路:
这部分电路用于产生约15V的电压供脉冲控制电路使用。工作时, 正半周VD2导通, 电压通过电路C2充电。负半周时, 负半周电压加上C2上的电压又通过VD3加到电容C3上, 产生二倍电压。正半周电压再次到来时, 正半周电压加上C3上的二倍电压, 形成三倍压通过二极管VD4加到电容C4上。这样, C4上就有15V的电压。电路工作时, 电容C2比C4充放电电流大, 这点在制作中要注意。VD5～VD7和C5～C7组成的另一个三倍压整流电路原理相同。
5. 致冷致热转换电路:
它是通过开关来改变致冷致热的。K2为双刀双掷拨动开关, K2打到1时为致热状态, 致冷块电压上负下正。当K2打到2时, 致冷块电压变为上正下负, 为致冷状态。致冷时, 绿色指示灯LED1亮;致热时, 红色指示灯LED2亮。
元件选择
变压器B用功率15W的。变压器的次级线圈要进行改制, 拆去原来的次级线圈, 用Ф0.32mm的漆包线绕9V线圈, 用Ф1.1mm漆包线绕5V线圈。改制好的变压器如图4所示。场效应管V1～V 4用IRFZ44。运算放大器IC1和IC2用μA741或LM741。二极管VD1～VD7用1N4001。K1用1×2的小型拨动开关。K2用额定电流3A以上的2×2拨动开关, 如图5所示, 这种开关在电工商店有售。小型风扇M采用电压12V, 大小6cm×6cm的电脑CPU风扇。致冷块TEC采用TEC—07105, 6V 5A的型号。发光管LED1和LED2采用Ф3mm的型号。
制作和调试
1.电路板制作
根据电路图制作一块大小为62mm×80mm的电路板, 元件的排列情况如图6所示。完成电路板制作, 元件焊接无误后, 接上变压器B, 先用100Ω1W电阻接原来致冷块位置。接上电源, 用示波器观察IC1和IC2的输出端波形, 如图7所示。同时要求IC1和IC2的输出脉冲波形宽度要尽可能相等。如相差太大, 可以调节电阻R4或R8。正常后, 再用示波器接场效应管整流电路输出端, 可以看到全波整流后的完整波形如图8所示。如有问题再调整电阻R4和R8直到正常。然后拆去电阻接入致冷块 (制冷块发热面要装散热片, 否则易损坏致冷片) 。用万用表测致冷块电流不小于2.5A, 10分钟后用手摸场效应管表面应不发热, 并且致冷块能致冷, 说明电路工作正常。
2.致冷装置制作
找一个边长为6cm, 高为4cm的长方体CPU铝散热器, 用螺丝攻在散热器上方装致冷块位置的两侧各钻出一个直径为3mm的固定螺丝孔 (具体打孔方法:先用电钻钻出2.8mm的孔, 再用3mm的螺丝攻出螺丝孔) 。把致冷块上下涂上导热硅脂后贴在铝散热器上, 如图9所示。接着制作隔热片, 剪一块大小和铝散热器一样, 厚度和致冷块一样的海棉, 中间切去大小和致冷块一样的一块。并将隔热片放在散热器上。接着用厚4mm的铝板剪一个直径为62mm的一块圆片作为致冷基座。如找不到4mm厚的铝板也可以用2块2mm厚的铝板叠合使用, 但夹层要加入导热硅脂。然后用平头螺丝固定在散热器上。安装好的致冷装置如图10所示。
3.致冷杯改制方法
买一只直径为85mm, 高为80mm的小保温杯 (内为不锈钢内胆, 外为塑料的那种) , 如图11所示。用钢锯锯开底部, 在不锈钢内胆夹层中装入耐热砂 (可以用市售开水瓶速热器中的) 来增加导热效果。装满耐热砂后再在底部装一块直径和致冷基座一样大小的密封铝板或锡板, 锡板效果会更好一些。笔者使用的是锡板。为了使致冷杯不易移动, 一般密封板安装要比杯子底座稍进去一些。制成后的杯子底部如图12所示。最后将杯子放在致冷底座上试试, 杯子和底座要能紧密贴合。然后, 找一个长方形的塑料外壳, 将变压器, 电路板, 致冷组件固定在塑料壳内。为了使风扇有更好的散热效果, 必须在外壳上开一些小孔, 并且将风扇反装, 使风吹入散热器中。致冷杯的整体安装图如图13所示。外观如图14所示。
4.致冷效果测试
半导体量子点 篇8
纳米科学是新世纪的科学前沿, 它将改变人类的生产和生活方式。同时, 纳米科技在基础科学方面向人们提出许多新的挑战, 促进基础科学的发展。半导体量子点是半导体纳米材料的典型结构, 它将在信息技术领域发挥重要作用。人们制备量子点和研究其性质的努力已经进行了二十多年, 取得了很多进展。但是, 人们所预期的量子点材料的优越性并没有充分体现, 距离实现理想半导体量子点的目标仍然有巨大的差距。本文力图对造成这些困难的基础性问题做简单的说明。
2. 半导体量子点
制备具有三维纳米结构的量子点是半导体材料科学研究前沿。半导体材料技术的发展历史已经有了一百多年, 最初的半导体材料是自然界的矿物。上世纪五、六十年代在材料提纯和晶体生长理论和技术的基础上高纯度半导体单晶材料得以出现和发展。单晶材料包括锗、硅等元素半导体, 以及以砷化镓为代表的化合物半导体。半导体单晶是纯度最高的人工材料, 主要用来制作半导体晶体管基本结构P-N结。再后来, 由于外延晶体生长技术的发展, 产生了以薄层材料为基础的半导体异质结和量子阱。上世纪七十年代初, 分子束外延 (Molecular Beam Epitaxy, MBE) 技术的出现使半导体材料技术突飞猛进。MBE使半导体层状材料生长技术的精确度达到了一个原子单层以下, 使超晶格理论概念的广泛应用成为现实。由单晶材料到量子阱和超晶格, 材料结构形式的变化直接改变半导体中电子的量子化运动。随着半导体材料技术的进步, 器件性能大幅地提高, 新型器件不断出现。半导体激光器在当代信息技术中扮演着重要角色, 是信息存取和输运等方面的关键器件, 它的历史代表了半导体材料和器件的发展历史。在气体激光器出现不久的1962年, 就出现了P-N结半导体激光器。但是这种激光器的阈值电流很大 (>50, 000 A/cm2) , 因此而无法在室温下连续工作, 只能是实验室观察研究的对象。十几年之后, 异质结和量子阱成功地应用于半导体激光器, 使其阈值电流被降低了两个数量级 (<500 A/cm2) 。这一进步使半导体激光器获得实际应用。现在, 半导体激光器是光纤通讯技术的基石。
量子阱的基本结构是一层厚度大约等于电子德布罗意波长 (10-100纳米) 的窄禁带半导体夹在宽禁带半导体中。量子阱的电子结构是由体材料单一电子能带分裂出的数个子带。由于这种子能带结构可以通过调节结构和生长参数改变, 因此量子阱和超晶格被称为“能带工程”。由量子阱概念出发, 人们自然地提出了量子点的概念。如果把量子阱中的薄层改变成纳米颗粒, 这些颗粒中的电子结构则相应地成为分立的电子能态, 就像常压下气体原子中的电子能级。由于这种电子结构的相似性, 半导体量子点被称为“人造原子”。与量子阱和超晶格的“能带工程”相应, 半导体量子点的制备应该被称为“能级工程”。与量子阱的连续子能带相比, 具有分立电子结构的量子点是更为理想的半导体激光器工作介质。
半导体量子点被认为可以应用在许多新型光电子器件中, 如单电 (光) 子器件、微腔光源、激光器等。这些量子点器件将在信息技术领域发挥巨大的作用。但是, 量子点概念最初是针对半导体激光器提出的, 而且现在看来, 量子点最有可能首先在半导体激光器方面获得广泛应用。因此, 可以用激光器对工作物质的要求来说明量子点体系应该在结构上所具有的性质。激光器介质的工作单元应该是相对独立而又性质结构全同的粒子, 它们具有同一的电子能量结构, 在受激状态下的光发射线宽尽可能窄。根据这些要求, 可以想象出理想量子点体系所应该具有的结构性质:同一体系中的量子点应该具有相同的大小和形态, 因此它们的电子能级相同;量子点体积密度尽可能的大;在介质中周期性的排列。在纳米尺度上做到这些异常困难。因此, 虽然在概念上由量子阱和超晶格到量子点的延伸自然而简单, 但是要在技术上做到这种进步却非常艰巨。从上世纪八十年代初量子点概念的提出到现在历经了二十多年, 人们做出了许多努力, 但是现实与理想半导体量子点体系的距离依然不可测度。这与当年量子阱和超晶格伴随着M B E技术的“迅即”成功形成了鲜明对比。为了制备理想的半导体量子点体系, 人们首先需要应对来自基础科学的挑战和困难。这些困难和挑战可以从量子点的结构和生长两个方面说明。
3. 半导体量子点的结构形态
研究、制备和应用半导体量子点首先需要明确量子点的结构形态。在量子理论计算中, 量子点一般被假定为椭圆、球冠、金字塔等形状简单的几何体。但是, 这种假定对材料和器件来说是远远不够地。单晶材料的几何形态和微观结构可以用宏观的概念和晶体格点来说明。量子阱是平面结构, 定义它的结构形态也无困难, 因为半导体的表 (平) 面理论和技术已经很完备。而对于量子点, 目前要精确地定义它们的结构形态却很困难。到现在为止, 关于量子点结构的研究依然沿用的是半导体表 (平) 面科学的概念。在理论和实验研究中, 量子点往往被假定为具有多面体的小晶粒, 人们关注的是决定这些小晶粒形态的晶面取向。但是, 这种假定是不确切的。量子点是三维的纳米结构, 物质结构在原子尺度上的不连续性非常突出。在这种情况下, 晶体表面或平面概念的宏观连续性和微观周期性都已经不再适用。具体地说, 即使可以假定量子点是简单多面体, 那么这些多面体之间的弯曲或连接对其结构的影响应该更为重要。因此研究和定义量子点结构形态首先需要考虑的是纳米尺度上的原子结构, 需要一种似乎可以称为“弯曲表面理论”的基础科学。
在半导体材料科学研究的历史中, 结构和结构缺陷是紧密相连的两个概念。结构缺陷是半导体材料研究的重要方面。半导体单晶材料的主要结构缺陷是位错和点缺陷等。量子阱是厚度只有几纳米或几个原子高度的薄层材料, 因此, 它的主要结构缺陷是高度为一个原子大小的界面台阶。这些结构缺陷对材料的性质有重要的影响, 它们在结构形态上直观而清晰。量子点的尺度只有几纳米, 它的性质对结构缺陷应该更为敏感, 因此量子点结构缺陷的研究尤为重要。但是, 量子点的研究已经进行了二十多年, 相关的论文发表了无数, 而量子点的结构缺陷却几乎是从未被提起。这大概是因为量子点本身的结构形态还无从定义, 因此它的结构缺陷也就无从说起。但是可以肯定, 随着研究的深入, 量子点结构缺陷研究必将成为半导体量子点研究的重要方面。
4. 半导体量子点自组装生长
作为三维纳米结构, 理想量子点的生长制备技术应该是把单个原子按照预定设计逐一地排列。由于量子点要埋藏在介质中, 还需将不同种类的原子完美的键合起来。另外, 为了达到激光器的要求, 量子点的面积密度至少要在1 0 10每平方厘米以上, 而且同一体系, 它们必须是在体积和形状上相同的“全同粒子”。无疑, 要达到这种技术水平对人类来说是非常遥远的。现在, 制备量子点是用MBE晶体生长的“自组装现象”。
4.1 自组装量子点的MBE生长
MBE晶体生长过程是在10-10 Torr以上的超高真空的条件下, 向温度为几百℃的晶体衬底喷射原子或分子束流。经过扩散运动, 沉积到衬底晶体表面的粒子最终成为衬底晶体原子。MBE晶体生长速度可以调节到每秒0.1个原子单层以下。在整体上MBE晶体生长是一个动力学过程, 但是在一定条件下, 平整的晶体生长表面可以达到局域热力学平衡态。因此, 晶体生长过程可以按照台阶流动 (step flow) 的机制进行。这样一来, 除了高度为一个原子的台阶以外, MBE晶体生长表面保持在原子尺度上平整。因此, MBE可以容易地生长量子阱和超晶格这些具有平面结构的半导体材料。
由上面对M B E晶体生长过程的简单描述可以认为它是一种精确的平面技术, 而量子点是三维的纳米结构, 所以MBE似乎不能直接用来生长量子点。人们早期尝试制备量子点的方法是微细加工结合MBE生长。但是微细加工的精度达不到纳米的尺度。更重要的是, 微细加工不可能使不同原子之间完美地键合起来, 必然形成界面缺陷。因此, 为了制备量子点, 应该探索出一种在一定条件下进行的自然而又连续的晶体生长过程。九十年代初, 人们发现如果外延层和衬底的晶格常数不同, 外延层生长会自发地由台阶流动的二维生长方式转换为三维岛状生长, 在生长表面形成纳米颗粒。这些颗粒尺寸的不均匀性只有10%, 表现出量子点的量子效应, 它们被称为自组装量子点。图二示意地描绘出了量子阱的二维台阶生长和量子点自组装的岛三维生长模式。由于自组装现象的发现, 半导体量子点研究开始了新的阶段。在随后的将近十年的时间里, 自组装量子点材料和器件研究是半导体材料科学中最为热门的课题之一。按照理论预计, 自组装量子点激光器的性能应该远远的优于量子阱。但是经过十几年的努力, 量子点激光器在性能上只是接近或略好于量子阱。目前, 人们普遍认为, 自组装量子点体系尺寸不均匀性是进一步提高其功能的根本障碍。
4.2 自组装量子点尺度的不均匀性
前面提到, 作为激光器的工作物质, 在受激条件下光发射的线宽应该尽可能窄。He-Ne气体是全同粒子, 它的光发射线宽决定于量子力学测不准原理、原子热运动多普勒效应和相互碰撞等, 这些因素的作用比较小, 因此气体的光发射线宽在0.1毫电子伏以下。半导体量子阱的线宽决定于界面的平整度, 大约为几个毫电子伏。而自组装量子点体系的发光线宽最大。以In As/Ga As量子点为例, 线宽为～20-30毫电子伏。实验证明, 单个InAs/GaAs量子点的发光线宽为～3毫电子伏。因此, 整个量子点体系的线宽应该决定于～10%的量子点尺寸不均匀性。量子点体系的尺寸不均匀性很有害的, 使量子点体系发光线宽大为增加, 降低了激光器的许多性能参数。另外, 量子点不均匀也使量子点体系的工作效率大为降低。如果单一量子点发光线宽是3毫电子伏, 整个体系的发光线宽按25毫电子伏计, 量子点体系内只能有不到25%的量子点参与激光器工作。
尽管尺寸不均匀性被普遍认为是影响量子点的最重要因素, 但是从量子点自组装现象被发现至今, 在这方面几乎没有实质的进展。在减小量子点尺寸不均匀性的研究上表现出的窘迫性, 揭示了当代材料科学制备技术精确性的极限。量子点的自组装是复杂过程, 人们对它的认识很有限。量子点自组装可能是一个晶体生长过程, 它们的形成决定于动力学因素。自组装量子点也可能代表是一种热力学平衡态, 它们的形成依赖原子在生长表面热运动自发地完成。实际情况也许比以上两种假设要复杂得多, 动力学和热力学因素在量子点自组装过程中的不同阶段发挥着不同的作用。但是, 可以想象最为有利的情形是自组装量子点体系是一个完全的热力学平衡态, 它们的平均大小、形态、密度等结构参数是热力学平衡态的平均值, 不均匀性取决于热力学平衡下的泊松分布。需要指出, 热力学讨论的对象一般是宏观物体, 组成这些宏观物体的粒子数应该在1010～1020以上。这类宏观物体平均参数相对波动的影响非常微弱。而量子点的尺度只有几纳米, 它的粒子数大约为105～106。因此, 热力学平衡态的理想自组装量子点体系的尺寸分布可能很大, 造成的尺寸不均匀性也很大, 是难以克服的本征性质。
5. 结语
从半导体量子阱到量子点是技术上的一个飞跃, 真正实现这一目标还有很长的路要走。以上这些基础性的问题首先需要人们认真思考和面对。
摘要：本文简单介绍了半导体量子点的概念, 以及用分子束外延技术生长半导体量子点的方法;并对目前半导体量子点生长和应用所面临的基础性问题作了讨论。
关键词：半导体量子点,分子束外延,纳米技术,半导体量子点,分子束外延生长,不均匀性
参考文献
[1]王占国, 陈涌海, 叶小玲.纳米半导体技术.化学工业出版社.2004.
半导体与智能电网 篇9
这些例子随处可见。如今的最新手机拥有的功能比20世纪60年代充斥房间的IBM大型主机更加强大。医疗专业人员可通过掌上诊断工具来进行诊断—这曾只是科幻小说中构想出来的情节。在2010年, 印度推出了一款只售35美元的平板电脑, 它于今年5月开始销售。
这些令人惊喜的成果都受惠于半导体行业的迅猛发展:采用新的工艺技术保持创新, 提供封装更小、速度更快、成本更低的集成电路 (IC) 。这种“少即是多”的制造形态为美国和全球经济带来了显著的利益, 而且会继续发展下去。近些年来, 受到速度更快、价格更低的芯片推动, 信息技术已经大幅降低美国的通货膨胀率, 使生产增长率实现了翻番。
下一步会发生什么?我认为应该成功利用这个行业的积极趋势, 用于推动高效发电、输配电和用电。例如“智能电网”。它的重要目标在于, 在电网电能有余量时可以运行某些电器或为车辆充电, 在电网需求高峰时要有相应的节能措施以达到电网平衡和节能的目的。将智能功率转换芯片和相应的通信功能集成到家用电器之内, 将会使该重要的功能有望实现。
功率集成电路 (Power IC) 也有助于限制浪费。目前, 由于电网老化, 约有2/3的电力都会丢失。如果希望用“自修复式系统”替代这些老化的电网, 可以利用结合了传感、通信、存储和处理的设备加以实现。
半导体制造技术综述 篇10
人来研究半导体器件已经超过135年[1]。尤其是进近几十年来, 半导体技术迅猛发展, 各种半导体产品如雨后春笋般地出现, 如柔性显示器、可穿戴电子设置、LED、太阳能电池、3D晶体管、VR技术以及存储器等领域蓬勃发展。本文针对半导制造技术的演变和主要内容的研究进行梳理简介和统计分析, 了解半导体制造技术的专业技术知识, 掌握该领域技术演进路线, 同时提升对技术的理解和把握能力。
1 半导体技术
半导体制造技术是半导体产业发展的基础, 制造技术水平的高低直接影响半导体产品的性能及其发展。光刻, 刻蚀, 沉积, 扩散, 离子注入, 热处理和热氧化等都是常用的半导体制造技术[2]。而光刻技术和薄膜制备技术是半导体制造技术中最常用的工艺, 下面主要对以上两种技术进行简介和分析。
2 光刻技术
主流的半导体制造过程中, 光刻是最复杂、昂贵和关键的制造工艺。大概占成本的1/3以上。主要分为光学光刻和非光学光刻两大类。据目前所知, 广义上的光刻 (通过某种特定方式实现图案化的转移) 最早出现在1796年, Aloys Senefelder发现石头通过化学处理后可以将图像转移到纸上。1961年, 光刻技术已经被用于在硅片上制造晶体管, 当时的精度是5微米。现在, X射线光刻、电子束光刻等已经开始被用于的半导体制造技术, 最小精度可以达到10微米。
光学投影式光刻是半导体制造中最常用的光刻技术, 主要包括涂胶/前烘、曝光、显影、后烘等。非光学光刻技术主要包括极深紫外光刻 (EUV) 、电子束光刻 (E-beam Lithography) 、X射线光刻 (X-ray lithography) 。判断光刻的主要性能标准有分辨率 (即可以曝光出来的最小特征尺寸) 、对准 (套刻精度的度量) 、产量。
随着半导体行业的发展, 器件的小型化 (特征尺寸减小) 和集成电路的密集度提高, 传统的光学光刻制造技术开始步入发展瓶颈状态, 其面临的关键技术问题在于如何提高分辨率。
虽然, 改进传统光学光刻制造技术的方法多种, 但传统的光学投影式技术已经处于发展缓慢的阶段。与传统的投影式光刻技术发展缓慢相比, 下一代光刻技术比如EUV、E-beam、X-ray、纳米压印等的发展很快。各大光刻厂商纷纷致力于研制下一代光刻技术, 如三星的极紫外光刻、尼康的浸润式光刻等。目前先进的光刻技术主要集中在国外, 国内的下一代光刻技术和光刻设备发展相对较为滞后。
3 薄膜制备技术
半导体制造工艺中, 在硅片上制作的器件结构层绝大多数都是采用薄膜沉积的方法完成。薄膜的一般定义为在衬底上生长的薄固体物质, 其一维尺寸 (厚度) 远小于另外二维的尺寸。常用的薄膜包括:Si O2, Si3N4, poli-Si, Metal等。常用的薄膜沉积方法分为化学气相沉积 (Chemical Vapor Deposition) 和物理气相沉积 (Physical Vapor Deposition) 两种。化学气相沉积利用化学反应生成所需的薄膜材料, 常用于各种介质材料和半导体材料的沉积, 如Si O2, poly-Si, Si3N4等[3]。物理气相沉积利用物理机制制备所需的薄膜材料, 常用于金属薄膜的制备, 如Al, Cu, W, Ti等。沉积薄膜的主要分为三个阶段:晶核形成—聚集成束—形成连续膜。为了满足半导体工艺和器件要求, 通常情况下关注薄膜的一下几个特性: (1) 台阶覆盖能力; (2) 低的膜应力; (3) 高的深宽比间隙填充能力; (4) 大面积薄膜厚度均匀性; (5) 大面积薄膜介电电学折射率特性; (6) 高纯度和高密度; (7) 与衬底或下层膜有好的粘附能力。台阶覆盖能力以及高的深宽比间隙填充能力, 是薄膜制备技术的关键技术问题。我们都希望薄膜在不平整衬底表面的厚度具有一致性。厚度不一致容易导致膜应力、电短路等问题。而高的深宽比间隙填充能力则有利于半导体器件的进一步微型化及其性能的提高。同时, 低的膜应力对所沉积的薄膜而言也是非常重要的。
4 结语
虽然, 与不断更新换代的半导产品相比, 半导体制造技术发展较为缓慢, 大部分制造技术发展已经趋于成熟。但是, 随着不断发展的半导体行业, 必然会对半导体制造技术的提出更高的要求, 以满足半导体产品的快速发展。因此, 掌握和了解半导体制造技术的相关专利知识有利于推进该领域的发展。
参考文献
[1]Most of the classic device papers are collected in S.M Sze, Ed., Semiconductor Devices:Pioneering Papers, World Sci., Singapore, 1991.
[2]刘恩科.半导体物理学[M].第7版, 电子工业出版社, 2008.
半导体产业的本地优势 篇11
[关键词] 集成电路 制造 产业链
[中图分类号] F426 [文献标识码] A [文章编号] 1674-2583（2014）02-0004-06
1 Foundry与中国制造
关于半导体产业的本地的优势，这里讲的本地优势，并不是说只是局限于我们在上海的企业，在中国大陆的企业。所有的人从世界各地来到中国大陆这个市场，怎样和当地产业结合起来，怎样发挥本地市场的优势，一直是我们半导体企业要考虑的问题。
从实际的结果来讲，半导体企业、集成电路企业的本地优势和其他产业比较，优势还没有在中国大陆这个市场上淋漓尽致得发挥出来。这也是回顾过去十到二十年来，这个产业和其他产业相比，取得的成绩还不是非常突出。究其原因，想和大家在这里一起探讨。
半导体行业有一个非常普及的词汇，把Foundry叫代工。“工”在中国字里面，有很多不太“积极”的词意，再加上一个“代”字，就好象你不是这个行业的一个主角，总是一个配角。就是人家在做什么事，你顺便去替人家做一些事，这点想与同行商榷，Foundry这个词的中文我们能不能改一改，至少把它改成“制造”，强调“技术”成份多一些。也就是说应该从半导体产业的整个产业链层面，从制造到设计、再到投资、IP、软件，来看待Foundry产业。
前些年大家一说到中国，就想起了中国制造，实际上“中国制造”中的“制造”词意本身确实已经发生了一些变化。以前说到“中国制造”，就说是模仿别人，因为我们人工成本低。现在你再看行业老大台积电公司，它的制造成本的價格其实并不低，它引领我们的半导体行业在技术进步，而不是我们一说到“中国制造”就说我们是在模仿。还有，中国的人工成本到底低不低？我们看到，中国不少企业甚至把企业的物流仓库都放到日本去，我问他为什么？他说日本的人工成本低。上海自贸区里边现在要搞高科技的仓库，这个物流仓库的成本甚至超过了日本。所以说“中国制造”的内涵实际上已经发生了变化。
国内现在集成电路的设计产业里，设计企业有600多家，其中超过一个亿产值的设计公司已经超过100家。整个中国半导体设计的产业，总产值数据已经接近台湾的半导体设计业产值。所以，单从“制造”这个词本身来看，它已经发生了很大的变化，它已经把电子产业相关的重要元素联系在一起。我觉得这一点就是我们探讨半导体产业在整个大陆生态环境链中新的变化。当中要特别注意的一点，我们说金鱼从小的鱼缸跳到一个大的鱼缸后，这个金鱼就很难再跳出来。鲤鱼可以跳龙门，就是说，我们现在正处于一个产业重大变化的过程当中。
2 产业链与芯片需求
中国大陆的半导体进口还是非常的大，这是大家都已经熟知的事实。在这方面，我们可以从一些数据看到一些有意思的现象，中国国内的半导体产业中，芯片供应的产业链应对全球半导体的需求，有个曲线。中国半导体的发展曲线与全球需求之间的曲线走势是非常不一样的，我们发现中间有一条线，就是中国国内品牌的系统厂家对中国半导体的需求在过去从2007年到2017年，分析十年的发展趋势线，你会发现这两条曲线还是比较一致的。
但是，跟全球的半导体需求比较，发展趋势就不一致。说明什么呢？说明我们中国半导体本地的需求走势和我们本地的系统厂家在发展的趋势方面是比较一致的。但是和全球的需求是不一致的，这两条发展曲线之间没有形成一个很好的互动，来应对全球半导体的实际需求。说明我们在中国本地的芯片产业链和全球的需求结合上是有问题的。
为什么全球的半导体产业与整机产业的需求关联走得快，本地的关联走得慢。我们看到的这个产业链之间的合作是有问题的。中国半导体进口总量排名在上升，集成电路在石油、农业产品、钢铁等这么多产业之中排在第一位。大家要看清它是为什么？进口的总量越多，说明围绕这个芯片产品线，它的资源或者它的产业链还不够丰富。或者导致我们在本土不能有更多的自主产品为本土的产品来服务。
还有很多产业的产品进口量非常少，说明这个产业的芯片已经在本土形成了一套从资源到设计，到产品制造，到用户消费一有一条很好的产业链，这也恰恰说明了我们中国半导体产业过去的十几年发展成果。在做九0九工程时，我们就说半导体的进口量是最大的，排在前三名。十几年过去了，今天我们的芯片进口还是排在最前面，看来，我们半导体产业和整机产业的合作还是存在潜在问题的。
在这个发展过程中，我们这些做半导体的人可以感受到我们在和整机产业合作的过程中，哪一个半导体企业和整机产业走得更近，那么这个企业的发展就会更好。特别是中国市场市场排名前十位的公司，如Intel、三星、Toshiba等芯片公司，这些半导体做得比较好的产品公司，它具有两个特点：一个是它和整个产业链，不光是整机厂，还包括跟软件与系统的结合。结合得越好，那么它在这个市场上越活跃。越是这样，它在本地的产业链布局中也越下大资本，布局也更周密。
3 芯片产业的上游与下游
另外一个特点就是前面这些企业所做的产品，恰恰是我们中国众多的设计公司，或者产品公司所不能做的，或者做的比较少的。这些产品被有产业链优势的这些公司所牢牢的控制着。国内某知名半导体制造厂现有几百家客户，这些客户做的产品，可以分几类，但产品都比较接近，说明大家都在一个比较接近的一个圈子里做。所以说再后退一步看看我们在这个产业链当中的位置，对今后半导体产业的发展大概有一些启示作用。我们可以看到这些在中国市场上做的比较好的企业，它已经在中国市场上从设计、制造到封装，已经开创了很好的局面。
再看一看全球球产业的情况。发展比较好的半导体企业，如Intel、格罗方德（Global Foundries），我们会发现一些北美的企业在谈业务的时候，美国的企业比较愿意和美国的公司做，比如说他们做Foundry愿意与美国的半导体企业合作，原因就是它在产业发展的过程中，在做设计的时候，在定义它的产品的时候，在它的周围有一个比较好的产业链，沟通比较方便。共同制定策略时就可以比较容易得与这些企业紧密合作，能够做得更好。比如说电脑产业完全是这样一个趋势，我们跟美国的设计公司在谈业务的时候，他们觉得如果你们要在美国本土设立工厂，就可以和你们的设计团队直接合作，直接合作可以做得更好。
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回想起十多年前在美国的时候，那时候就看到台积电已经非常深深地扎根在北美的市场了，正是由于和美国的企业有很多技术上的交流，它才会有今天。台积电虽然在台湾，但是它可以通吃全球这样一个定位，对于我们中国本土的企业，是可以很好借鉴的宝贵经验。
韩国、日本也是完完全全地有这样的产业链之间非常好的沟通。我自己常年与日本企业打交道，为什么现在日本的半导体企业发生了这么大的问题？我认为问题并不出在日本半导体行业本身，例如NEC到今天它的专利，它的工艺技术，它的设计其实并不亚于我们中国企业，也并不亚于它的竞争对手。关键的问题是上世纪九十年代初，NEC在全球半导体行业排名第一位，以后就一直往下掉，从第五名、第六名、第七名，一直跌出第十名以后。后跟Renesas合并，合并以后又从第三名跌到第四名、第五名、第六名，现在跌出前十名。这里的关键是日本的整机产业和日本的软件产业，包括IT产业。上世纪八十年代到九十年代再到现在，它已经变成日落西山的产业。日本半导体原来和它是非常紧密的合作，虽然现在合作还在，但是合作的动力消失了。我认为这点是日本半导体产业慢慢走下坡路的一个重要原因。所以，我们可以看到整个半导体产业怎样和上下游结合起来，是我们半导体业需要认真考虑的。
再看汽车半导体产业，汽车产业也是这样的，当时在NEC、或后来的Renesas，我们没有一个做产品设计的。在汽车产业里，做芯片產品设计者，我们称他为先驱。像博世这样做汽车电子产品的公司会直接采购芯片，要先去整车厂，和整车厂协同创建下一代的芯片平台，把新一代的技术定位好了以后，再与最终的客户来洽谈半导体的设计以及产品的生产。
4 芯片行业的大协作
从以上方方面面的经验看，我们在产业链结合方面还是非常薄弱。同样我还有另外一个经验，大家记得日本福岛大地震时Renesas最新先进的12英寸厂房几乎是全面毁灭了，一个星期以后，大概同一天时间，有几千多人从日本的不同产业界，包括政府、行业协会、客户，带着工具，带着各种需要的设备来到Renesas工厂。客户告诉芯片厂家，我的订单不会变，你几个月之内恢复投产，你需要这样的帮助。就是说像这样一个非常紧密的合作和客户关系，在我们中国半导体产业链，至少我现在还没有看到有这么强烈的合作。
所以，我对我们的行业协会说不要总是看着我们这点半导体企业，看到由四百多家变成五百多家我们挺高兴的。我们传统的设计年会去年参会是八九百人，今年一千多人了，协会觉得很有成就感，这是非常好的。我建议我们的行业协会，或者我们半导体的企业，应该走出去和整个产业链结合在一起，比如和石油产业链、动车、及一些劲爆的产业结合。我们能够走出去和他们走在一起，这样的话整个集成电路产业就能够真正地带动起来，我们就能进入第二个“土豪金”的时代。否则就只能是在我们产业链内部讲自己的事情，而与应用则无关。
现在芯片产业随着整个中国经济的发展，受到的重视程度越来越高。举几个例子，比如说最近某知名半导体制造企业准备正式进入显示驱动芯片产业里，能够把成熟的半导体制造技术进入到显示驱动芯片的产业里。我们看到了一个问题，中国大多数的面板产业，现在发展得如火如荼，但在中国大陆做显示驱动设计公司是少之又少，而且日子过得都不是很舒服。我们看显示产业，特别从整个产业链看，制造企业与同行的其他企业，和台湾的驱动芯片设计企业都启示出非常的敬业精神，他们的企业进步非常大，这个现象在中国大陆，目前为止还看不到。
另外一个例子，现在我们的Flash技术进入到IT产业的各个领域，在Flash存储芯片产业中Toshiba做得非常好，其中一个原因就是说它跟SanDisk的合作。这块市场我们也是看到了，恰恰因为中国这么大的一个市场。有这种自发行为也好，或者政府把它们联系在一起也好，到现在中国也没有做得很好的Flash的本土企业。所以从这些领域来看的话，如果让我们做半导体的企业来重新来思考一下，在我们的发展过程中，我们在中国这个巨大的市场里，我们怎样才能把我们的投资、我们的设计、我们的最终需求方方面面的价值链，主动地去找一找，把它们联系在一起呢？
我希望政府替我们的半导体产业多呼吁一下。呼吁在哪里呢？不只是在我们产业的内部，而是让外边的半导体产业进来。外边的产业更多地了解这个小小的芯片，芯片实际上是在整个的经济价值链当中起关键的作用的一环。同时，经过这样的一个紧密联系的过程，我们的芯片产业才能够更好地向前发展。
2014年中芯国际要在这方面努力，中芯国际怎样能够走得更好？在我们的半导体产业链中，2013年我们已有一些动作，2014年将有更多的动作，把我们上下的产业链更好地整合在一起，包括芯片设计企业。同时我们也希望走出去和其他的产业加强沟通。实际上我们做的一些方方面面的动作，也是在学习我们行业的其他的先辈们的先进经验。
比如说，除了做芯片生产以外，我们还要在IP上加大投入。在后道加工方面，我们有自己的Foundry，在Foundry以外怎样能够抓住，也在做方方面面的考虑。甚至我们在自己内部也在做连接，这个方法确实给我们带来了很好的收益，也给我们的客户带来比较好的附加价值。
中芯国际今后在和整个产业链的合作过程中，希望和大家一起想一想，怎么来合作？今天有几个可以跟大家来分享的例子：一个是与综合的大学合作，再有中芯国际在中国大陆的4G发展过程中，与中移动合作进行4G技术开发应用。今后中移动对中芯国际来说能够在基础领域、工艺、以及内部设计的合作上起到积极的作用，这个对Foundry来讲就是最期待的合作。
5 芯片代工面临更大的挑战
我们再回到最初说过的代工这个词。我们不用将代工去称作设计或称作制造，而最需要的是和最顶端的运营商来探讨怎样来做。比如说中国本地的安全性需要一些工艺设计的支持。前一段时间阿里巴巴淘宝来找到我们，说要参加中芯国际的工厂，中芯国际很感兴趣，淘宝讲以前他们对半导体没有概念，当淘宝走到这么大的一个电子商务的时候，有两个事情他们认为要开始学习。
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数据中心变得越来越大，大量的数据中心的存储设备从硬盘转到了半导体存储SSD，在这过程中它就感受到以前只是把硬盘这几件事搞清楚就可以了，现在用半导体技术但是连半导体是怎么做的都不知道，更不用说半导体的产业链了。将来巨大的数据中心全都改成半导体存储的时候，淘宝应该怎么办？中芯给他们上了一堂课，讲的是非常基础的半导体知识。
说到淘宝，大家都在淘宝上买东西。淘宝大量的货物出去的时候，如果每一个货物上都贴一个电子标签ID，淘宝便能够跟踪到货物现在走到什么地方了？运输的情况怎么样？司机有没有把货运东西放到合适的地方等等，这些可以依靠传感器跟踪，这个业务能够和半导体紧密联合在一起。这也给我们的一个启发，就是当你这个思路打开以后，你会发现我们做半导体生产的企业居然和淘宝可以紧密地结合在一起。这个思路打开了以后，我想对我们的整个产业，不管是芯片设计、或者是做IP、还有做生产的企业，对我们在中国有一个巨大市场的产业链情形下，会有比较好的推动作用。
中芯国际从面向中国市场的发展来看也是如此。我们在先进工艺上28纳米刚开始，我们的信心可以清楚地表现出来。我们的先进工艺正在追赶前面的几位老大哥，虽然追赶得非常的辛苦。因为你在追，人家也没有停下来。
成熟的工艺面向中国市场，通过和产业链的交流我们发现其实我们已经有了这些技术，经过我们和客户的沟通，我们发现我们可以拿出很多特色产品出来。我们发现在这样的技术上，我们的工程师、我们的市场人员好好地钻研一下，也可以拿出相当不错的产品增加我们产品的附加价值。所以中芯国际希望在有些领域能够更好地发挥在中国市场上的优势。同时在IP的开发上，中芯国际这几年特别加大了投入，为了更好地面向我们周边客户，更好地支持他们的产品设计，能够更快、多快好省地进入到中芯国际这个平台当中来。
我们大多数的中国的设计公司从规模上基本还不大，所以它对中芯国际的IP有很多期待和要求，我们非常愿意和Synopsys、Mentor Graphics这样的公司合作，也鼓励中芯国际要更多地和本地的中小设计公司联系，与他们合作，使得一些IP能够更快地在中芯国际这样的平台上得到认证，来为我们的本地的产业服务。
我们发现有很多的本地的IP的拥有者，能够很好地抓住本地的市场一些需求，很快开发出一些市场需要的IP，在中芯国际的平台上迅速得到认证，为我们的客户服务得很好。我想这个也是由于在本地，对我们本地的业务能够看得更清楚。合作伙伴旁边就是中芯国际，非常方便了解。这样，双方就能很快的结合起来服务于客户。
所以，在这一过程中，中芯国际确实得到了包括本地的产业客户的支持，使我们有了一个比较好的发展。从2002年的本地客户非常少，到2003年有定期订单的客户有350家以上，有这样的客户群来支撑在本地的业务，确实是中芯国际继续向前发展的一个良好的保障。同时我们在中国本地的营销效率在不同的场合也跟大家分享过。
2007年，中芯国际的中国本地收入，只有12%。到了2013年第二季度就已经超过40%。说明中芯国际和本地的产业联系越来越紧密，也说明由于有中芯国际这样的本地企业，我们本地的产业实力也得到更好的发展。
我们还有不少的这样的本地企业，能够和我们周边的企业一起来开发先进的技术，包括上面提到的成熟技术。中芯国际在北京第二个工程已经建设得如火如荼，前几天已经封顶。2104年第一季度芯片制造设备预计会陆续到位。
有消息说，2014年中国政府的产业支持会有更大的动作，大到没法形容。我们希望在本地，不光是政府，包括相關的其他产业也能越来越重视集成电路，并促进我们这个产业向前发展。
总结起来，我们希望能够利用中芯国际非常好的国际化团队，这些来自北美，来自欧洲，来自日本、韩国、台湾和本土的技术人员组成一个很好的团队，和我们这些年来在生产、技术、开发上面积累的经验，以及在技术方面不断的投入，特别是立足于中国本地的市场，一定能够更好地为本地的集成电路用户企业服务，希望真正的“土豪金”时代能够真正到来。（本文按录音整理）
半导体市场今年可翻身 篇12
资料来源：databeans
另一家著名市调公司Gartner半导体研究总监Steve Ohr日前表示：由于“整体经济的不确定性，加以库存持续偏高，导致半导体产业动荡。受影响的主要产品包括PC、内存、模拟和分立器件，PC业务原为半导体产业的主要驱动力，但2012年出现多年来首度负成长，滑落2.5%，诱致2012年世界半导体市场下降3%，计2976亿美元。公司预期“苹果效应”2013年将持续发酵，可望带动NAND与ASIC(包括A4、A5和A6处理器)营收，成长率分别达17.2%和9.4%，同时，全球智能手机产量成长率可达33%，平板电脑产量预计可大幅增长38.5%，达2.07亿台。在上述产品牵引下，2013年世界半导体市场预期将增长4.5%，达3110亿美元。