高发射率（共7篇）
高发射率 篇1
0 前言
随着世界范围内能源短缺,国家在重视一次能源开发的同时, 将能源节约摆在关系到国计民生、子孙后代的战略高度上[1]。高发射率材料目前广泛应用于工业炉中,提高窑炉热效率,有着“工业炉技术发展里程碑”之称,全球能耗中工业炉能耗占2/5,常规窑炉热效率较低,提高炉壁的发射率可取得5%~30%的节能效果,因为提高炉壁发射率可降低其反射率(ε+ρ=1),减少废气对反射能量的吸收;炉壁表面的高发射率涂层中的晶格振动及电子跃迁能够对辐射能的波段重新调整,增加强热效应波段所占比例,有利于被加热物吸收,但常规炉壁的发射率随着温度的升高会急剧降低,所以选择合适材料对提高高温发射率及节能至关重要。此外,高发射率材料在航空航天领域也有重大需求,作为飞行器的新型防热结构,能够以红外辐射形式将基体的热量快速高效地辐射出去,降低基体温度,解决飞行器穿过大气层返回地面过程蒙皮过热的问题。太空航天器的应用中高发射率材料亦尤为重要,在高真空环境中,系统产生的热量只能以辐射能的形式排出,所以太空条件中的防热结构只能依赖高发射率材料。
1 高发射材料种类
高发射率材料有单一材料和复合材料两类。碳化硅或碳化硅基材料有较高的发射率,但仅限于中温范围,对SiC高发射率材料进行改进,通过添加化学试剂通过预烧,形成氧化膜保护层,可提高其高温下的发射率。根据基恩位移定律,单一材料仅对有限波段有较高发射率,全波段内平均发射率较低,所以通过材料复合的设计思想,可实现材料优势互补,扩展波段响应范围。
日本对高发射率材料研究统计,廉价氧化物作为高发射率材料主要分两类:(1)矿物质原料,如2MgO·2Al2O3·5SiO2、锆英砂等,在8~14 μm波段发射率可达0.9左右,但短波区发射率较低;(2)过渡金属氧化物,由于存在较多的电子层,根据电子跃迁机制将会产生短波红外辐射,如Fe2O3、NiO、Co2O3、MnO2、Cr2O3等多价态的过渡金属氧化物互相复合可以形成缺位,产生杂质辐射机制,提高短波段的发射率。
2 提高涂层发射率的途径
2.1 涂层表面结构粗糙化
涂层的形貌显著影响发射率,C.DWen[2]建立铝合金模型分析涂层粗糙度与发射率之间的关系,将表面分为理想表面和实际表面。对于理想表面,通过菲涅耳方程和基尔霍夫定律得到。
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式中 n——折射率;
k——消光系数。
实际表面可分为镜面区域(σ/λ<0.2),几何区域(σ/λ>1),中间区域(0.2<σ/λ<1)。镜面区域,运用衍射理论,高斯对表面粗糙度和反射系数进行研究得出。
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式中 ρr——粗糙表面反射率;
ρp——抛光表面反射率。
由上可知,随σ/λ的增大ρr减小,发射率则是增大的。中间区域,根据能量守恒定律及基尔霍夫定律得出单方向上的发射率表示为。
ε′λ(θd)=1-ρ′λ(θd) (3)
从而该区域内,随着表面粗糙度的提高涂层发射率也呈增大趋势。Z.Huang[3]等研究了粗糙度对金薄膜发射率的影响,通过溅射沉积在镍合金表面形成不同粗糙度的金薄膜,证明粗糙度大的薄膜随温度的升高发射率显著增加,这归因于高粗糙度表面的辐射面积增大,且薄膜完整性遭到破坏,降低镜面反射。
2.2 适当的涂层厚度
当一定波段的光谱打入物体时,可能发生吸收、反射和透射,定义光的穿透深度为dp。
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穿透深度与消光系数成反比,要提高涂层发射率,则涂层厚度至少大于dp,否则会发生一定的透射。通过实验研究厚度与发射率的关系,发射率随涂层厚度增加存在临界值,临界值时的涂层厚度为dc,dc之前有增加趋势,之后保持稳定甚至有所降低;而多层涂层时,两层之间可能发生反射,关系较为复杂。
2.3 表面纹理优化
表面纹理对材料发射率有较大影响,通过几何形貌来分析发射率,通常利用V形沟槽、圆弧形沟槽、锥形沟槽等建立模型,沟槽的斜面角度对发射率有较大的影响;在辐射散射方面,理论和试验表明当H(Hight)/W(Width)>5,其发射率较高,显示了黑体性能,对于非球形粒子(Hight/Dimension=5)有较高的发射率。
2.4 涂层的纳米复合化
纳米粒子大的比表面导致平均配位数下降,不饱和键和悬键增多,能够增强红外吸收和热发射率,同时纳米化增大粒子之间的平均间距,物质纳米化后破坏原来物质内部固有的各种化学键, 减弱粒子之间的各种相互作用力, 增大组成物质的基本微观粒子之间的平均间距, 致使单位体积内的粒子数会显著减小, 可提高热辐射的透射深度从而降低吸收指数和吸收系数, 提高物体的发射率与吸收率。
2.5 掺杂改善
大量的工作证明有效的掺杂可以显著提高材料在特定波段的发射率,归结其原因:(1)自由载流子吸收,杂质载流子吸收通常分布在1~5 μm波段,特别是多八面体结构的d-d轨道间的电子转移,一般情况下由于半导体材料的电子转移,该波段的发射率较高,自由载流子浓度对发射率的提高存在最佳值,过度将会起到负面影响;(2)掺杂离子的不同半径能够使得晶体产生缺陷,使原有的晶格发生扭曲,降低晶格振动对称性,增强偶极的非简谐振动,晶体的声子振动类型发生转变,另外,在杂质及缺陷处会形成局部振动的模式,产生杂质能级,诱导电子发生跃迁,产生光谱吸收;(3)掺杂稀土离子或过渡金属离子可以调整辐射波段,过渡金属及稀土镧系和锕系元素拥有未填满d及f层电子,可发生d态或f态跃迁,当其掺入适当的晶体中时产生电偶极矩,在晶场作用下使难以发生的跃迁得以实现。
3 高发射率涂层的制备方法
3.1 溶胶-凝胶法
该方法制品具有纯度高、颗粒细、化学均匀性好、成分容易控制、工艺设备简单等优点。X.Zhao等[4]选择溶胶凝胶法将B掺杂进SiO2薄膜,晶化过程中B元素形成Si-O-B,提高了膜层粗糙度和发射率以及使用寿命;还制备了多壁碳纳米管掺杂双层SiO2/SiO2-PbO的溶胶凝胶涂层,纳米管的多向排列增加了涂层的粗糙度,降低反射因子,可提高长波段的发射率,溶胶-凝胶法是典型的化学合成技术,节能降耗十分显著,还可以实现无机纳米氧化物的改性,得到高性能的有机-无机杂化涂层,是制备纳米粉体的一种有效方法。但它也有一定的局限性,合成过程使用的金属醇盐比较昂贵,难以实行大型化的生产,制备粉体时,粒子团聚现象明显,影响烧结体的致密度和微观结构的均匀性,降低材料的高温性能。
3.2 物理气相沉积法
采用高能电子束轰击前驱物产生气态分解物,沉积在基体表面形成均匀薄膜,Jian Yi等[5]以SiC为原料在无缝钢管上通过EB-PVD沉积SiC/SiO2薄膜,薄膜表面光滑紧密,全波段内发射率和反射率分别为0.7和0.35。此种方法制备的涂层性能优越,但成本高,对基体材料性能要求较高,难以普及。
3.3 阳极氧化法
罗列超等[6]在硫酸中利用阳极氧化制备了光亮的铝阳极氧化涂层,对阳极氧化电压及电解液温度和组成等参数进行优化,制备了高发射率和反射率的热控涂层,通过后续微孔封闭技术,使涂层抗紫外线和原子氧能力显著提高。但阳极氧化膜层通常较薄,隔热性能略有不足,而且对金属基体有要求,必须为阀金属。
3.4 高温熔烧法
通过基体金属熔化冷却过程将陶瓷粉体嵌合在基体表面,这种涂层容易制备且损坏后易修复,王黔平等[7]以玻璃熔块、粘土、Cr2O3、ZrSiO3为原料,在不锈钢管表面制备耐磨、耐高温涂层,涂层剪切强度和抗热震能力也非常优越。但这种方法要求基体材料熔点高,并且熔烧过程导致基体发生热处理,使基体力学性能降低。
3.5 微弧氧化法
一种通过在金属基体表面发生等离子体放电烧结进行氧化物陶瓷沉积的方法。哈工大Z.Jiang 和F.Wang等[8]以电解液Na3PO4和CO(CH3COO)2在钛合金上微弧氧化制备膜层,其发射率在3~8 μm最高可达0.94,3~20 μm波段内平均可达0.9,且剪切强度大于10 MP;微弧氧化过程中在电解液体系加入添加剂SiC,能够沉积在膜层中,提高短波段的发射率。该种方法制备的膜层在基体表面原位生长,膜层与基体界面形成离子键结合和高机械咬合,具有较高的结合力,并且表面粗糙度、掺杂种类和晶型易于调节,是未来高发射率膜层发展的主要趋势。
4 结论
高发射率涂料作为一种新型耐热环保涂料,主要通过快速高效的将基体的热量以红外辐射的形式辐射出去,从而降低基体温度,在节能领域中有着广泛的应用。同时高发射率材料在航空航天领域中作为降低飞行器机体温度的新型防热涂层,是一种不可替代的材料。
本文系统的总结了高发射率涂层的制备方法,并分别指明各种制备方法的优缺点。纳米化、复合化以及薄膜化将是高发射率涂层的发展趋势,具有良好的应用前景。
参考文献
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高发射率 篇2
红外高发射率涂料是一种具有良好热辐射性能的涂料,涂覆在燃烧器或加热器表面能够增大热辐射在热传递过程中的比例,强化热传递,起到节能降耗的作用。该涂料目前已广泛应用在石油化工、冶金、玻璃、陶瓷等工业领域并获得了很好的节能效果。目前制备出来的红外涂料其发射率普遍还比较低,因此进一步研究涂料配方中高发射率填料和耐高温粘结剂对涂料辐射性能的影响方式,开发出具有较好辐射性能的涂料配方就显得相当重要。
通常涂料配方中原料种类比较多,为了判断和确定配方中各种原料对涂料目标性能的影响大小以及具体的影响方式,如果进行全面试验,需要的试验量很大,因此很有必要使用科学的试验设计方法,用相对较少的试验量获得尽量多的有用信息,从而分析和确定出涂料优化配方。红外涂料主要由高发射率填料和粘结剂组成,其中填料对涂料的辐射性能影响最大,因此本文采用配方均匀设计方法先对填料制备过程中使用到的原料进行定量研究,得到填料发射率发生变化的数学模型,为进一步深入研究不同种类粘结剂对涂料辐射性能的影响方式奠定基础。
1 配方均匀设计的理论基础
配方设计在材料、化工、食品、制药等领域中的作用十分重要,如果希望寻求优化配方,就需要进行配方设计。假设某种产品由s种原料M1,…,Ms组成或合成,各种原料在产品中的质量分数分别为X1,…,Xs,且满足关系式X1≥0,…,Xs≥0,X1+…+Xs=1。这s种原料的试验范围是单纯型Ts,如要比较n种不同的配方,那么这些配方就必须对应试验范围Ts中的n个点。
配方均匀设计方法是由王元和方开泰于1990年提出的,其主要思想是通过使用逆变换算法将所选择的n种试验配方尽可能均匀地分布在试验范围Ts内,减少试验量的同时获得尽量多的有用信息。具体设计方案可按如下步骤获得:
(1)确定原料种数s和配方数n,根据对应的均匀设计表查出生成向量(h1,h2,...,hs-1),并由该生成向量产生均匀设计表Un*(ns-1)或Un(ns-1),用{qki}表示设计表Un*(ns-1)或Un(ns-1)中的元素;
(2)对设计表中每个qki,计算
(3)计算
{Xki}对应n和s的配方均匀设计,并用UMn(ns)表示。
当原料仅有三种的时候,即s=3时,对应的UMn(n3)有如下简单形式:
2 高发射率填料配方设计与结果分析
试验选用过渡金属氧化物Fe2O3,MnO2,CuO制备高发射率填料,参考相关资料将三种原料的组成(质量百分含量)限定在0.70≤Fe2O3≤0.90,0.05≤MnO2≤0.15,0.05≤CuO≤0.15。由于原料X1(Fe2O3)含量较高,如果将原料X2(MnO2),X3(CuO)在试验范围T3内作为独立变量选择均匀设计表,并用X1=1-X2-X3给出X1所占的比例,上述设计方案将重点考虑X2和X3,设计的实验均匀性不一定会很好,因此,采用相应地数学变换来获得均匀设计方案:
令{(ck1,ck2),k=1,2,...,n}为C2中的一组分散均匀的点集,通过变换X1,X2,X3可以获得单纯形T3上的一组点。由公式(4)可知{(ck1,ck2)}应满足如下关系式:
由ck1,ck2所决定的区域D如图1所示,4条曲线相交的部分即为区域D,该区域落在矩形R=(0.01,0.09)*(0.25,0.75)之中。如果在矩形R中能够获得一个均匀设计,那么落入D区域内的点可以视为在D上的一个均匀设计,通过数学变换即可获得满足要求的设计方案。取n=21,参考均匀设计表U*21(217)使用表,选用表U*21(217)的第1和第5列进行相应设计,获得具体试验方案(表1),图1矩形区域中圆点为设计点。
将上述3种原料按表1所示试验方案经称量混合后在1 300℃下反应并保温5 h,自然冷却后所得到的粉体经过研磨后测试其在80℃时的法向全发射率,结果见表1。由表1可以看出第1组配方的法向全发射率最大,其红外辐射性能最好。
为了进一步调整和优化配方,对上述试验结果进行多元线性回归分析,回归方程设为:
将试验数据代入回归方程,从自变量X1,X2,X3和因变量Y的8组观测值出发,用最小二乘法求出a0,a1,a2,a3的估计值,使得下列表达式中的Q达到最小。
经最小二乘法计算,得到多元线性回归方程为:
该回归方程的统计量F值、p值、残差平方和、标准差、多重相关系数、信噪比分别为16.50,0.006 3,6.335E-004,0.011,0.727 9,10.906。由回归方程系数可以看出Fe203的含量对样品法向全发射率的影响较大,而Mn02、CuO的含量对其影响则较小,且两者所产生的效果相当。
为了验证回归方程的适用情况,选取了试验范围T3内的其他5个组成点进行试验,试验结果表明,按新组成点制备出的填料粉体其法向全发射率数值与预测值相当,说明该回归方程适用性较好,可以作为高发射率填料制备的数学模型用来选择合适的原料组成区域,具体验证结果见表2。
3 结语
采用配方均匀设计方法,对红外涂料中使用的高发射率填料进行了配方设计,并获得了数学模型,经试验验证,获得的数学模型适用性较好。利用该数学模型,选用发射率在某一固定值处的多个组成点或是某一范围内的多个组成点来制备填料,然后使用这些填料进行试验,就可以分析出粘结剂种类和使用量对红外涂料辐射性能的影响方式,并能最终确定出优化的涂料配方组成。
参考文献
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S波段高可靠固态发射机设计 篇3
本文研制的S波段固态发射机由8只2.2 k W末级功率组件合成后输出15 k W的功率。采用开关电源,提高了发射机效率;采用强迫风冷,结构简单可靠;采用双监控系统大幅提高了发射机的使用可靠性。并且在雷达工作时可在线更换故障组件,实现了连续不间断工作。本发射机已应用于新一代航管一次雷达[3,4,5]。
1 发射机组成及工作原理
本发射机组成框图如图1所示,其由双工系统、两路互为冗余的前级组件/发射监控、功率分配器、末级功放组件、板线/波导功率合成器、电源系统、和冷却系统组成。
两套独立的发射激励器送来两路15~20 m W的射频信号分别送至前级组件A和B,雷达监控通过发射监控控制双工开关选通一个前级组件的输出送至1:8分配器,分成8路,每路功率约16 W驱动8个末级组件,另一路前级组件的输出送至假负载。末级组件输出的2.2 k W功率先通过两个4:1板线合成器,再通过一个2:1的波导合成器,合成输出15 k W的射频信号[6,7,8,9]。
2 关键技术
2.1 双工及发射双监控设计
高可靠雷达双机系统是指雷达有两套系统,如果一套系统出现故障,会自动切换到另一套系统工作。但对于输出功率较大的发射机,数量较多的末级组件如果也采用双套备份的话,成本过高。同时末级组件由多个功率管并联合成所需的功率,单个功率管的失效对发射机总的输出功率影响较小,具有一定故障弱化功能[10]。
因此本发射机对薄弱的前级组件及监控系统采用双机冗余设计,这样设计具备很高的可靠性,同时比传统的雷达双机系统成本明显降低。
前级组件双机设计具有通道切换功能,当工作通道出现故障被迫停机时,会自动转入备份通道继续工作。工作通道出现故障可能有多种原因,工作的前级组件出现故障会导致通道故障;工作通道发生类似射频激励过脉宽、天馈线过反射等现象,系统会产生相应故障,将所有威胁系统安全的故障经汇总后,便形成了申请通道切换的一个条件。当系统有切换要求时,双工开关进行动作,将原来输出至末级组件的射频信号转送给吸收负载,将原来输送至吸收负载的射频信号送给末级组件,实现前级组件的切换[11,12,13]。
发射监控具有两套独立的监控系统,它们可以控制各自的前级组件,当雷达监控控制双工开关进行选择前级组件A或B的输出送至末级组件时,发射监控A或B同时也被确认为工作通道。工作通道的发射监控可以控制末级组件,同时不享有控制权的发射监控及其前级组件进入热备份状态,这两套监控系统不允许同时享有系统的控制权。
双监控系统在控制各自系统工作的同时,还要监视整个系统的状态,要掌握对方系统的工作情况,确认各自系统是处于控制权地位或是备份权地位。控制发射机监控的雷达主监控需要掌握发射系统的工作状态,要确认当前工作通道是A通道还是B通道,以确认接收子系统与之相对应,确保向正常的通道发出使能、开机等控制信号。同时根据双工开关位置回馈信号可以确认通道使能命令发出以后,发射系统通道切换是否正常响应完成,然后再决定下一步的操作。
2.2 末级组件设计
2.2 k W末级组件是本发射机的核心部件。末级组件原理框图如图2所示,其由PIN开关、驱动模块、1:6功率分配器、6个450 W功放模块、6:1功率合成器、输出定向耦合器以及储能电容器、BITE电路等组成。
输入末级组件的16 W激励信号通过PIN开关和射频电缆,成为约13 W的射频信号,送给驱动模块中第一级65 W功率管,其输出信号分成两路再驱动两个110 W功率晶体管,再经过隔离器、均衡器和1:6分配器,分成6路约23 W的功率信号,激励6只完全相同的450 W模块,6:1板线合成器将6路450 W功率合成到2.2 k W输出。
PIN开关的作用是在设备维护和更换备件时可通过监控系统关断单个末级组件。BITE电路可将组件状态回馈给监控系统。储能电容的作用是脉内给末级微波功率管提供脉冲电流,脉间由电源给储能电容充电。
450 W模块是末级组件的基本单元,为确保发射机的高可靠性指标,450 W模块中的末级微波功率管的选择尤为重要,文中选用1个110 W功率管推2个280 W功率单元再由3 d B电桥合成达到450 W的输出功率。
450 W模块的原理框图如图4所示,为提高抗失配能力,在模块输出增加了大功率隔离器[14]。
2.3 可靠性设计
航管雷达的可靠性要求高,为了达到整机MTBCF指标,发射机的设计除了前级、发射监控采用双套备份,还采取了下列措施:
(1)精心设计微波功率管的匹配电路和分配/合成器,对级并联的放大链级间做好隔离,放大链前后级之间通过调整供电电压和激励功率避免后级过激励;
(2)通过理论计算和模拟试验,根据所需的风压和风量选用合适的风机。并采取下列措施:1)考虑最大限度的利用和增大进出口的通风面积;2)气流通路及量程做到短、直,力戒急剧的弯曲过渡,或者截面突然变化;3)优化滤尘网,合理解决好通风和滤网的关系。这样可保证微波功率管的结温满足一级降额,从而大幅提高发射系统的可靠性;
(3)除+36 V发射电源以外的其他辅助电源由两个并联使用的电源模块提供,当一个电源损坏时,另一个电源单独工作也能满足发射机监控电路所需的电流,同时可更换有故障的电源而不影响整机工作。另外辅助电源输出的每个电源品种在送至各个分机前均通过单独的保险丝,在某个分机负载短路时,对应的保险丝熔断,从而不影响其他分机工作,做到分机负载短路故障互相隔离;
(4)降低系统的MTTR:本发射机的各个组成单元均为可插拔的组件或分机形式,结构上采取了便于插拔的措施。这样,用备份件替换损坏的组件时很方便,完全可以达到MTTR≤0 min的指标。每一个前级、末级组件都只由一一对应的电源单独供电,当组件损坏时,关断组件和对应的电源,便可更换故障组件,达到了不关机在线维修[15]。
3 技术指标与测试结果
根据上述设计研制成功了S波段全固态发射机,本文对发射机性能进行了测试,结果如下:工作频段2.78~2.820 GHz;输出功率≥15 k W;最大脉宽为100μs;最大工作比为8%;发射机效率为≥17%。
图5为该发射机的实物照片,图6为该发射机的输出功率,图7为效率指标的实测值。
4 结束语
根据雷达整机实际使用情况,该发射机可靠性高,满足航管雷达系统24 h不间断连续工作的要求,并进行了批量生产。同时设计思路能够移植到L波段航管雷达发射机等其他固态发射机的设计中。
摘要：介绍了一种S波段集中式全固态雷达发射机,发射机设计采用前级组件及发射监控热备份技术,能在发热达到一定温度时,或其他故障发生时进行前级组件自动切换。发射机同时应用了开关电源和强迫风冷结构,性能优良,大幅提高了发射机使用可靠性。经实际测试,发射机输出功率>15 k W,瞬时带宽40 MHz,发射脉宽100μS,工作比8%,已连续工作5 000 h无故障。
高发射率 篇4
(1) 检修维护需要注意技术安全
TSW2500 发射机的电路部分是由一路10KV高压和一路220V低压组成, 其在检修的情况下会接触有些带电部位, 如果在带电的情况下接触势必会造成人身安全问题, 故在日常检修时会更加注意技术安全。不能进行带电工作。在检修工作中, 需要注意进行必要的安全措施:1.停电2.验电3.装设地线4.悬挂安全标识牌5.装设遮拦。 在平时的检修中, 我们还会遵守两人责任制, 相互监督对方安全, 检修过程中相互呼应而不会导致出现人身安全, 相互复查确保发射机安全可靠。在日常检修中, 检修班长会提前有个简单的任务介绍, 安排各个部分的检修人员和内容, 最后还要进行复查。 确保在维护过程中不会出现人身安全和设备安全问题。 TSW2500 发射机的射频机箱、整流机箱和TSM机箱门都装有通地钩连锁, 通地钩用来给储能的元器件放电以防止意外电流。取下通地钩就会中断连锁线, 发射机就无法加上高压, 保证检修人员的人身安全。 而检修发射机TSM时, 需要将发射机TSM机箱内部的通地钩挂上, TSM自身具备钥匙连锁安全系统, 在机保接地开关接地时, 机保接地开关将52 个TSM功率模块的输出和辅助整流器的输出 (Va V1, Vg1V2, Vg2V2) 进行接地放电, 同时, 装在机保接地开关上的微动开关 (K401) 会切断连锁系统。 不会因为误加高压导致人身事故和设备事故, 故严格的按照说明书的安全操作是十分安全的。
(2) 日常检修维护中的高周、水路问题与注意点
日常维护由发射机的清洁为主, tsw2500 发射机的日常清洁是在高末回路, 使用安全的工具器检查线缆的绝缘部分有无裂缝老化或者绝缘层的地方脱落严重, 或者有没有严重伤痕。 在元器件的链接部分检查螺丝有无变色、打火、松动锈蚀或者断裂等现象, 如有上述现象必要的情况需要更换相关线缆盒螺丝, 螺丝接柱。
其次, 元器件表面的灰尘颗粒容易引起发射机的打火, 而发射机的打火会造成短时或者长时间的停播, 所以在日常维护上, 首先要清洁发射机内部机箱里面的灰尘, 在发射机高周部分上, 3π 网上因为可以调节所以上面会在每次检修的时候上一层薄薄的润滑油, 在使用中灰尘会布满3π 网络上, 所以每次检修需要将上面的一层润滑油擦去, 然后重新上上一层润滑油, 避免在3π 网络上因为污油的曾在而导致打火现象。 3π 网络调谐线如遇到滑动接点磨损还需要进行更换。
再有发射机在使用过程中发生打火的现象, 打火主要发生在发射机的门接触铜条上和发射机内部的几个放电球, 为什么发射机会放电打火呢, 主要是因为下面几点:打火产生的原因是①因污尘引发电路短路所产生的打火;②因运行设备负载的长期过热或疲劳运行, 导致绝缘介质的损伤引发电路短路所产生的打火。而打火在发射机中出现的主要几个表象是高温、强光、爆破音。所以在停机空隙进行检修时检查放电、打火的痕迹, 用布擦净积碳和赃物, 使用百洁布和细砂纸打磨不平整的表面, 然后使用酒精抹布惊醒擦拭。 还需要注意各个放电球两个球体之间的距离, 大概有手指粗细, 如果距离过近会导致这个放电球间的不断打火。 遇到这个问题, 可以通过重新调整至技术规定下的额定值。 在遇到线缆的接点和接头处产生过热而变色的时候, 需要清洁这些地方并进行紧固。如遇到接点和接头因大电流烧毁的时候需要及时的进行更换。日常检修维护在使用过程中需要注意一些说明书上面并没有规定的事情, 比如我们机房在发射机使用一段时间后, 频繁的出现过发射机的水泵异响, 损坏等问题, 该发射机的水路是整个系统中十分重要一环, 该型发射机有主备两个水泵, 防止因为损坏而导致的长时间停播事故, 但在多年的使用过程中, 因为一路水泵不间断的工作导致内部温度过热, 叶片长时间工作导致固定的螺丝松动而产生的异响。 最终导致掉高压至黑灯丝, 播音时出现此类问题导致长时间的无法正常播音, 产生重大隐患。 后来在日常检修维护时我们将定期的进行主备用水泵倒换, 大大的降低了此类问题出现的概率。 平时的维护中不止需要注意水泵的温度和异响, 在规定的日常检修中, 播音和关机的时候需要对流量表K121, K122, K123, K124, K125, K126进行检查和记录数值, 并与额定规定值进行对比。 对水箱的水位进行检查, 如果过低需要及时的补水, 如果水位下降的过快的话需要对发射机的水路进行检查。 我们在维护中发现, 水位下降快比较容易出问题的是发射机冷凝器风机上的细水管, 主要因为水质差、使用时间长老化导致在冬春, 秋冬季节交替时昼夜温差变化大导致的热胀冷缩而产生的漏水。 该处漏水在维修中十分困难, 需要对发射机冷凝器的进行放水后焊接, 维修时间长, 在播音时间长关机间隙短的发射机影响很大。 所以在日常维护中需要仔细的检查水管是否漏水, 更换洁净度较高的纯水。还有导致漏水的会在发射机内部的真空电容水冷接头与高末电子管的水冷头上, 由于长时间使用的问题与水质的问题会导致真空电容的水管出现细砂眼而导致漏水, 该处漏水不容易被发现, 很容易导致长时间的滴漏扩大砂眼面积导致更严重的漏水导致长时间停播。 所以在日常检修中需要特别的注意, 出现问题时需要及时代播进行维修。而高末电子管我们在使用中出现的问题是在对发射机进行长时间的大检修中, 我们对水路进行维护的时候发现高末电子管上的水路软管与高末管连接处的密封胶垫因为长时间的腐蚀和老化已经出现细微裂缝。在发现问题后进行更换, 由于没有备份的胶垫, 只能手工制作相似的胶垫, 但是制作的胶垫的质量问题, 更换后使用近一年的时间, 在播音中发现水箱水位下降严重, 将发射机机门打开后发现水管已经漏水, 将其关机取下后发现该胶圈已经断裂损坏, 更换相似的胶圈。故障发生后, 我们对其它发射机高末水管进行检查, 对老化严重的更换质量过关的国产胶圈。 水路的维护时相当重要的, 比如在日常正常损耗后补充的蒸馏水, 如果水质不过关, 就会导致严重的水路损坏问题, 在日常使用中, 因为水路质量问题堵塞TSM机箱内的冷却水路软管而导致水管爆裂, 模块损坏进而导致停播事故并且处理此类故障需要大量的时间, 容易造成长时间的停播事故, 故在平时需要使用高品质的蒸馏水。
高发射率 篇5
基于知识产权因素, 现有超声相控阵阵元发/收核心技术未公开;常规的超声激发方法是通过在换能器两端施加高压脉冲激发出超声波信号[4,5], 这种激发方式简单可靠, 但发射信号参数难以调控, 限制了声束控制的灵活性与损伤检测分辨率。本文基于FPGA (Field Programmable Gate Array) 技术, 系统性地设计延时算法模块与时序控制模块, 采用ADI公司最新推出的含4通道基单元的AD9106 (单芯片尺寸5 mm×5 mm) 构建超声相控阵发射系统, 可较容易扩展至32~128乃至更多通道的大规模相控阵发射系统, 配套设置高速发射/接收切换开关, 从而实现多阵元的自发自收, 大幅降低了系统中发射和接收硬件模块的复杂性和外形尺寸, 同时抑制激发模块的高压发送脉冲。并通过实验验证了系统的可行性。
1 系统总体设计方案及功能概述
超声相控阵发射系统是以FPGA逻辑控制模块为核心, 自主设计了激励信号生成模块、信号调理模块、高速切换开关模块和阵列换能器, 结构框图如图1所示。
1.1 SPI发送控制模块
系统基于Altera公司EP1S10 FPGA开发板, 采用自顶向下模块化设计思想, 以硬件描述语言构建SPI总线控制模块, 实现与激励信号生成模块通信, 利用FPGA的并行处理能力, 在激励信号产生的同时, 计算规划出各个阵元激发延时值, 从而精确控制D/A转换器的启动时间。采用窄带调制正弦激励信号[6], 使应力波的能量传递更为集中, 可最大限度地抑制信号在各向异性材料中传播的发散效果。
SPI (Serial Peripheral Interface) 总线是一种同步串行外设接口, 由一个主设备和多个从设备组成, 以串行方式与各种外围接口器件进行通信、交换信息, 且仅需3~4根数据线和控制线即可扩展具有SPI接口的各种I/O器件[7]。SPI接口由SDI, SDO, SCK和CS这4种信号构成。系统采用FPGA为主机, AD9106为从机的工作方式。SPI发送控制模块根据AD9106芯片的性能和时序要求发送控制指令和数据, 完成数字波形的存储, 进而实现数据数模转换。该控制模块基于Verilog HDL语言利用状态机的思想编写实现。
系统利用SOPC Builder和QuartusⅡ定制NiosⅡCPU和外设, 实现对波形数据的片上存储, 并通过Verilog HDL语言编程将数据按一定的时序送入SPI总线控制模块。SOPC的硬件配置如图2所示。其中片上存储器包括RAM和ROM, 用作CPU的高速缓存;SRAM (IDT71V416) 用作存储波形数据;EPCS用作烧录程序代码和配置信息。
1.2 激励信号生成模块
基于Analog Devices公司2012年12月份发布的AD9106芯片设计和构建激励信号生成模块, 用于产生频率、相位任意可调, 非线性失真系数仅为0.014%[8]的模拟波形。AD9106是一种高性能, 高集成的4通道差分电流输出型DAC, 功耗低, 180 MSPS工作, 4 m A电流输出, 功耗仅为315 m W, 休眠模式功耗低至5 m W, 片内集成4 096×12位DPRAM, 可设置为4通道复杂数字波形发生器, 提供一个灵活的同步串行通信SPI端口, 其尺寸只有5 mm×5 mm, 利用该芯片可以在同等尺寸 (20 cm×14 cm) 8通道电路板上集成32通道发射系统。激励信号生成模块功能示意图如图3所示。
1.3 信号调理模块
信号调理模块主要由差分接收放大器及电压跟随器组成, 选用270 MHz低成本AD8130设计, 将AD9106的差分输出电流转换成单端电压输出。该芯片共模输入电压范围可达±10.5 V, 在高频时具有较高的共模抑制比 (CMRR) , 适用于将差分信号转换为单端信号。AD8130的频率响应曲线如图4所示。单通道差分接收放大电路及电压跟随器电路如图5所示。
1.4 切换开关模块
切换开关模块主要担负快速可控交替切换阵列换能器的发射与接收功能, 实现阵元的自发自收, 减少发射和接收硬件的复杂性, 同时抑制高压发送脉冲, 保护接收电路。该模块须满足: (1) 低接入损耗 (接入损耗控制在-1 d B以内) 。 (2) 高度隔离, 开关的接入损耗与隔离度密切相关, 即有“泄漏大→传送信号少→接入损耗大”的关系 (泄漏电流控制在0.5μA以下) 。 (3) 快速开/关 (使能/禁止切换的延时时间控制约在10 ns, 相当于铝板中25μm的声程[9]) 。 (4) 发射端耐高压 (±60 V) 冲击。综合考虑上述指标, 选用TI公司的8通道, 低损耗, 可编程的TX810进行设计切换开关模块, 提供一个3位的编程端口。该模块具有灵活的可编程特性, 用于控制开关的开断与流过开关的偏置电流, 适合超声系统的应用。单通道切换开关模块的原理如图6所示。
2 实验验证
2.1 实验平台
为验证超声相控阵发射系统中SPI总线接口、切换开关以及超声相控发射电路激励信号的特性, 构建图7所示的实验平台装置。主要测试SPI时序逻辑;小信号通过开关时的接入损耗及抑制发射端高压信号的能力;激励信号生成模块发射的频率特性、相位分辨率和非线性失真度。
2.2 SPI发送控制模块特性研究
为验证基于FPGA编写的SPI总线接口是否符合时序要求, 将SPI关键信号线CS、SCLK和DATA, 分别接安捷伦HP-54820A示波器的3个通道。在FPGA代码段中设置传送数据1010-1010-1010-1111, 数据发送完成后将CS拉高, 通信结束。将编译无误的程序下载到开发板, 得到的SPI发送控制模块时序如图8所示。
从图中可看出, 数据准确无误, 数据传送完成后CS高电平, 传送停止。设计符合要求, 发送特性良好。
2.3 切换开关特性的研究
为了验证切换开关的性能 (小信号通过开关时的接入损耗及抑制发射端高压信号的能力) , 在开关模块的输入端输入频率800 k Hz, 峰峰值110 m V的正弦波来测试小信号通过开关的接入损耗, 用Agilent DSO7054A分别监测输入和输出信号, 如图9所示。实际测得峰峰值108 m V (理论值为110 m V) , 对应的插入损耗为-0.16 d B (幅值) 。经多次测量不同峰峰值、频率条件下的数据如表1所列, 分析可知, 小信号通过开关后损耗极低, 接入损耗在-0.5 d B之内。
针对切换开关抑制发散端的高压信号及其保护接收端的能力, 考察峰峰值10 V的正弦波信号通过开关后波形, 如图10所示, 波形显示出该开关模块可以较好地抑制高压脉冲, 电压峰峰值钳位在1.75 V, 有利于保护接收电路。
2.4 激励信号的产生与研究
为了测试激励信号的性能, 预设4通道的延时代码到FPGA经SPI总线接口送至信号调理模块, 通过开关模块获得如图11和图12所示波形图。
图11直观地给出了波形稳定、延时特征明显、3 V峰峰值的4通道激励信号;图12显示出该系统能稳定地发射5.5 MHz窄带正弦调制信号。经测试, 证实该系统的最高发射频率可达7.03 MHz (商用OLYMPUS DMTA041超声相控阵仪器的工作频率为5 MHz) , 相位延时分辨率可达0.002 1, 非线性失真系数<0.02%。
3 结束语
本文基于AD9106设计多通道高集成的UPA发射系统, 有效地实现了多阵元的可控自发自收功能, 大幅减少了主从通信的数据线和控制线, 降低了复杂程度, 提高了系统集成度, 有利于系统的小型化、便携化, 对超声相控阵系统的优化具有积极的意义。
参考文献
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高发射率 篇6
本台即安庆市广播电视发射中心坐落于安徽省安庆市市郊的大龙山上, 海拔697米, 由于处于长江旁的云雾层中, 整体湿度很大, 对设备的维护产生了一定的影响, 和其他台站相比, 属于设备故障率相对较高的地区, 故需要经常分析调频设备的故障。
广东金意集团生产的3KW调频发射机是由控制器, 激励器, 1500瓦功放, 不平衡负载四部分组成的, 工作湿度要求5%到95%, 对湿度的要求具有一定的典型性, 故拿来作为案例。下面简单介绍一下发射机:
1 控制器
控制器的作用是控制整机运行情况, 具体功能有: (1) 监测和管理模块式发射机系统, (2) 监测发射、反射及不平衡功率, (3) 控制激励器的开关, (4) 显示屏上显示参数, 指示灯显示工作状态, (5) 给风机供电并监测风机运行状况。
2 激励器
激励器的作用是将音频信号转变为低功率的射频输出。其具体信号流程为音频信号→预加重→滤波→编码→选择单声道/立体声→限幅器→调制器 (加入本振及参考频率) →均衡器→前级驱动 (151G) →RF输出。激励器输出的功率在0到150W范围内可调。同时, 激励器还有监测自身工作状况的功能, 如发射报警、反射报警、温度报警、频率失锁等等。还可以在激励器里的电压读数表里查看一些重要的运行参数, 如Va12+和Va12-是固定12V左右, 而Vvco是随着输出功率变化的, 激励器输出功率越大, Vvco越大。
3 功放
功放的作用是将激励器送出的信号放大至3000W, 并送入天线发射。每个功放用6个300W模块, 3分贝定向合成, 最后得到1600W输出。就单个300W功放来说, 它由两个场效应管 (151G) 组成, 每个场效应管的静态电流是50m A, 工作电流应在12A以下。因为老化等原因, 1500W功放有时会出现控制板监测到的数据和实际测量不同的情况, 若控制板监测的数值不准且大于12V, 则可能出现控制板使功放管保护的情况, 从而影响工作。这种情况可以通过校准来达到调节目的, 当监测出的数据有误差并影响工作的时候, 可以对不准确的部分校准。校准分为静态工作点的校准, 电源电压及工作电流校准, 温度校准, 输出功率校准, 反射功率校准, 不平衡校准。下面来介绍校准的具体步骤:
3.1 静态部分。
首先, 断开所有模块的50V电源, 然后将电位器顺时针调节至最小, 将一个200m A的电流表接到模块1的电源上, 给模块1供电50V, 并检查它是否为短路电流, 如果完全正常, 缓慢调节电位器到50m A, 再断开模块电源。重复以上步骤调节各个模块, 确保正常工作后, 接上所以模块的电源。
3.2 电源电压及工作电流的校准。
测量第一个电源V1的输出电压, 确定其在48-50V, 接着调节校准负载 (10欧100W) 并且, 将它连接到电源和地之间, 调节电位器R1直到读到显示V1等于测量值, 接着调节R22直到读数I1=5.1A。重复以上步骤校准其它5个电源:测量V2、V3、V4、V5、V6, 并调节R3、R5、R7、R9、R11直到读到正确的电压。要校准电流读数, 必须接上校准负载 (10欧250W) 然后调节R27、R33、R39、R45、R51直到I2=I3=I4=I5=I6=5.1A。
3.3 温度校准。
用万用表测量温度传感器的输出电压, 装在发热元件上的, 然后测得电压, 用这个电压减去校正数字2.73, 得到温度参数, 例如这个数字是0.20, 则意味着温度为20摄氏度, 然后调节R102直到实际温度和输出电压指示温度相同。
3.4 输出功率校准。
连接并得到一个功率计接到天线上, 盖上功放盖推功率, 直到功率计读数为1500W, 然后调节R96直到指示的功率读数为1500W。
3.5 反射功率校准。
操作与调节输出功率指示相同, 调节的是R97电位器。
3.6 不平衡校准。
逆时针调节R98、R99、R100直到尽头, 接着把功率推到600W, 将晶体管1或2输出短接到地, 然后调节R98, 直到VNB1=30W。同理调节R99和R100。
4 不平衡负载
不平衡负载的作用是吸收两个功放模块中一个出现故障时的不平衡功率。它由4个250W的吸收负载串联而成, 最多可以吸收1000W的不平衡功率。
对于湿度经常在90%以上的本台来说如何防潮是重中之重, 机房选址在页岩层上, 地基由花岗岩铺成, 内部有很多的缝隙, 缝隙之间夹着颗粒较大的沙子, 有利于雨水和凝结水的排出, 机房的防静电地板下还铺有可以拆卸的海绵块, 约半年左右分批晒干。
高湿度地区最大的问题是电源和攻放尘土湿度高, 很容易导致漏电或短路, 工作人员曾经遇到的故障现象是功放里的管子功率比平时低一半, 电流只有4.5A, 一般这种情况首先考虑偏置或取样的问题, 但是经过排查, 偏置为2.8V, 取样电阻两段电压为0.025V均在正常范围, 调到精确数值后, 正常工作了5分钟再次出现掉功率情况, 后重新逐步测量查找出C5旁边的旁路电容两脚因为平时打扫的时候不大容易清理, 累积灰尘, 加上湿度大导致漏电, 更换电容后恢复正常工作。对于灰尘没有其他办法, 只能勤除尘, 且在不容易发现的死角, 如电容的两脚之间, 电感的螺纹之间, 热敏电阻的缝隙等也要格外关注, 否则容易导致故障。
高湿度的另外一个问题就是接口的老化程度, 安庆由于是重工业城市, 石化的排放导致雨雾中酸度比较大, 对设备的接口是相当不利的, 工作人员采取的办法是将一切不常用的接口用绝缘胶带包裹起来, 对常用的接口不包裹, 但是要多留备件, 定期检查, 一旦发现有生锈或者生铜绿的情况, 就要更换。
5 结束语
高湿度地区设备的维护是一件长期而又要细心的工作, 只有经常的对设备进行除尘, 仔细观察其运行状态, 合理地分析各种故障或老化原因, 才能让机器工作得更稳定。当然, 实际播出中的各种情况是很复杂的, 文章所说的各种措施各兄弟台站多少会有相关的措施, 文章仅为抛砖引玉, 作为交流, 更好完成发射台站的安全播出工作。
摘要：我国现阶段, 全固态调频发射机还是广播的主力军, 文章借由广东金意集团生产的3KW调频广播发射机来谈谈高湿度地区调频广播设备的分析思路。通过文章的分析, 希望相关工作提供参考。
高发射率 篇7
关键词：短波发射机,高末灯丝整流器,更换方法
我台设备经过15年的播出运行, 水冷却部分各器件相继出现了不同程度的漏水, 其中高末灯丝整流器A201就因水冷却部分漏水更换过, 高末灯丝整流器比较重且更换空间狭小不好更换, 在更换时也走了弯路浪费了时间。我局其他台安装的TSW2500型发射机, 随着年数的增加也会相继出现漏水情况, 所以下面就把我们在日常维护和更换过程总结的方法技巧进行介绍, 供同行参考。
1 高末灯丝整流器组成、维护方法、更换方法
TSW2500型500 k W短波发射机射频末级使用一只TH576型超蒸水冷陶瓷四极管, 采用阴地线路, 阴极直接接地, 工作在丙类状态。灯丝电压来源由“FIL”命令启动或通过控制系统用于BLACK HEATING。末级灯丝电压显示在显示屏幕上, 为此在灯丝电压后连接了一个分压器并将它的输出信号通过模拟板YCS06送到显示器。高末级电子管TH576阴极是通过一个变压器和一个整流器形成直流电源进行加热。该后面连有六相脉动整流器的变压器的供电, 是发射机内部230 V/400 V电源经过一个三相交流电压调节器提供的, 灯丝电压是分步缓慢地增加, 防止电子管阴极瞬态加载带来的机械应力, 而且灯丝功率也可以调节。调节器和变压器之间的三相有效功率断开是受调节器控制的, 依靠相位控制的可控硅完成, 每相有2个可控硅反向并联连接, 作为控制阀门, 这些线路用快速保险保护。特别是末级电子管, 同时控制器调节灯丝电压到规定的数值, 为了保持阴极温度在良好的范围内。末级的灯丝电压被ECAM按照相应的参数监控 (限制设定菜单) , 如果偏差大于或小于标称值, 电子管灯丝电压将被发射机控制系统自动关断。为了保持电子管的机械应力最小, 电子管的灯丝加热不能完全关断, 黑灯丝加热阴极的程度应达到电子管没有退化发生, 也就是“AUX”状态。如果高末灯丝整流器或前面任一环节发生故障会引起高末管瞬间失电掉至“OFF”状态, 会对电子管造成很大的损害。
高末灯丝整流器由6个整流二极管和7块冷却板组成, 形成一个由六相二极管组成的三相桥式整流器的单相电路, 每个二极管都装有一个散热器。调节的灯丝电源用柔软的铜编织带和灯丝整流器联接。高末灯丝变压器设置在高末级电子管附近。高末灯丝变压器是三相变压器、230/400 V的电源电压通过变压器升压或降压至相应所需值, 可以补偿电源偏差直到10%。。它通过短的、高柔韧的铜编织带与位于其上的六相二极管桥式整流器相连。同样整流器也通过高柔韧的铜编织带连至阴极和电子管灯丝端。交变的电压由六相二极管桥式整流器进行整流。变压器后面的整流器是水冷的6脉动桥式整流, 输出没有滤波。
2 高末灯丝整流器A201更换方法
高末灯丝整流器A201漏水非常危险, 水会顺着铜带流到高末灯丝变压器上造成不堪设想的后果或是引起温度过高使机器瞬间掉至“OFF”状态损害电子管。所以发现后要及时更换。更换高末灯丝整流器, 因比较重又没有着力点, 所以, 换起来比较难, 我们最初换的时候还用过千斤顶, 后来换的时候就用两根绳子穿过整流器的环, 两个人从机箱前后分别拉住绳子就可将整流器稳稳的吊住, 换起来很方便了。
3 高末灯丝整流器更换规程
发射机降至“OFF”状态;断高压柜, 拉机保, 断开QS1, 高末屏极、3π槽路挂通地钩。
高末灯丝变压器温度高, 更换时注意保护, 避免烫伤;整流器较重, 拆卸过程中注意保护, 灯丝电流较大, 上机时输入输出接点螺丝必须拧紧。
3.1 高末灯丝整流器下机步骤
绑紧进、出口水管, 长度较长的水管可以折弯后用扎带绑紧止水, 较短的水管用水管夹夹紧拆下, 拔下整流器上部温度保护传感器K201连接线;按照从外到内的顺序, 用19 mm扳手卸下输入、输出铜编织带, 拆卸最内侧输出铜编织带时, 松开螺母先取下高末灯丝电压取样连接线, 然后拆卸输出铜编织带, 并记住取样线位置;再取下A294、R204、C204、R203、C203A、C203B, 用19 mm扳手卸下整流器两端固定铜板螺丝, 用10 mm扳手拧松 (不卸下) 整流器两端固定铜板顶部与机箱连接的4颗螺丝, (尽量不要拆固定铜板) , 用绳子兜稳整流器拉紧, 倾斜固定铜板, 用手将整流器向右移动使左边的锣杆脱出, 拧下, 拉绳子的人顺势送绳子将整流器取出;用13 mm扳手卸下温度保护传感器。
3.2 高末灯丝整流器上机步骤
检查待上机整流器, 确保螺丝紧固, 无异常, 先装好温度监测探头K201, 不然上好整流器后手伸不进去不易拧紧;连接进出水管, 用蜡线扎紧, 要保证水管无缠绕, 无死弯;将整流器挂到固定铜板上, 带上螺母, 调整铜板位置, 先用10 mm扳手拧紧固定铜板顶部与机箱固定螺丝, 再用19 mm扳手将铜板两侧螺母拧紧, 使整流器安装牢固 (注意:安装整流器的杆强度有限, 紧固两侧螺丝时要用扳手将内侧螺丝固定, 防止整根杆受力损坏) ;按照与拆卸相反的顺序, 由内到外用19 mm扳手依次还原输入输出铜编织带, 注意电压取样连接线的位置, 由于输入输出电流较大, 连接点螺丝必须拧紧;将温度保护探头连接线还原, 剪开水管绑带, 由负责人复查无误后, 合电准备试机。
3.3 质量检查
(1) 螺丝紧固到位, 水管接头无渗水, 测量灯丝电压电流正常。
(2) 选择高中低几个频率, 加1 k Hz单音100%保持3 min, 发射机无过荷等异常。
4 结语
高末灯丝整流器维护、更换方法是自己在运行实践中学习、维护后的一些经验和体会。它使我们在更换大型、难于更换的器件时, 缩短了时间提高效率, 进一步缩短了技术停播时间, 为安全播音起到了保障作用。发射机的维护是每个维护人员必备的技能, 在维护工作中, 我们要积极创新, 努力探索, 不断地总结出一些科学有效、快速方便的维护方法和手段, 不断地提高我们的维护技术水平。相比传统类型发射机的射频系统, 此型发射机故障率相对较低、维护工作量也相对减少;但区别于传统机型, 对于检修维护工作的精细化和专业化提出了更高的要求, 这将是我们维护人员努力的方向。
参考文献
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