多晶硅行业

2024-08-01

多晶硅行业(精选5篇)

多晶硅行业 篇1

2011年3月《多晶硅行业准入条件》正式出台, 作为太阳能光伏产业上游市场, 多晶硅自此开始“从梦想走进现实”。

而光伏类上市公司们, 则成为一场场光伏扩能赛的主角。国内最大多晶硅生产商保利协鑫宣布将斥资177亿港元在2011~2012年提升产能2倍。而另一光伏巨头江西塞维则传出旗下多晶硅业务下半年赴港上市的消息。而于A股上市不久的超日太阳、向日葵也纷纷祭出收购大旗, 向产业链上下游迈进。就连长期以上游设备辅料为主营的恒星科技也经不起下游需求膨胀的诱惑, 开始染指硅片项目。然而, 值得注意的是, 在光伏市场如火如荼之时, 棱光实业却退出多晶硅行业。而乐山电力、天威保变发布的年报也显示, 其目前涉及多晶硅业务在市场回暖的2010年却表现平平。“国内多晶硅产能大多数会在2011年7月份开始释放。尽管目前市场仍表现紧缺, 但随着中下游市场产能过剩以及终端需求减弱, 不少涉足多晶硅上市公司也恐难获得理想回报。”另一位光伏研究专业人士认为, 产能释放需与终端需求同步, 一旦出现错位, 必然将面临较大风险。就风险而言, 越往上游走或产业链越全的企业将越安全。 (摘自中国建材新闻网)

摘要:2011年3月《多晶硅行业准入条件》正式出台, 作为太阳能光伏产业上游市场, 多晶硅自此开始“从梦想走进现实”。而光伏类上市公司们, 则成为一场场光伏扩能赛的主角。国内最大多晶硅生产商保利协鑫宣

多晶硅行业 篇2

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单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅,然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒,则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。

单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅,然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒,则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。

单晶硅棒是生产单晶硅片的原材料,随着国内和国际市场对单晶硅片需求量的快速增加,单晶硅棒的市场需求也呈快速增长的趋势。

单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸(300毫米)及18英寸(450毫米)等。直径越大的圆片,芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。单晶硅按晶体生长方法的不同,分为直拉法(CZ)、区熔法(FZ)和外延法。直拉法、区熔法生长单晶硅棒材,外延法生长单晶硅薄膜。直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。目前晶体直径可控制在Φ3~8英寸。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域,广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。目前晶体直径可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成电路领域。

单晶硅也称硅单晶,是电子信息材料和光伏行业中最基础性材料,属半导体材料类。单晶硅已渗透到国民经济和国防科技中各个领域。

硅片直径越大,技术要求越高,越有市场前景,价值也就越高。

日本、美国和德国是主要的硅材料生产国。中国硅材料工业与日本同时起步,但总体而言,生产技术水平仍然相对较低,而且大部分为2.5、3、4、5英寸硅锭和小直径硅片。中国消耗的大部分集成电路及其硅片仍然依赖进口。但我国科技人员正迎头赶上,于1998年成功地制造出了12英寸单晶硅,标志着我国单晶硅生产进入了新的发展时期。目前,全世界单晶硅的产能为1万吨/年,年消耗量约为6000吨~7000吨。未来几年中,世界单晶硅材料发展将呈现以下发展趋势:

1,单晶硅产品向300mm过渡,大直径化趋势明显:

随着半导体材料技术的发展,对硅片的规格和质量也提出更高的要求,适合微细加工的大直径硅片在市场中的需求比例将日益加大。目前,硅片主流产品是200mm,逐渐向300mm过渡,研制水平达到400mm~450mm。据统计,200mm硅片的全球用量占60%左右,150mm占20%左右,其余占20%左右。Gartner发布的对硅片需求的5年预测表明,全球300mm硅片将从2000年的1.3%增加到2006年的21.1%。日、美、韩等国家都已经在 1999年开始逐步扩大300mm硅片产量。据不完全统计,全球目前已建、在建和计划建的300mm硅器件生产线约有40余条,主要分布在美国和我国台湾等,仅我国台湾就有20多条生产线,其次是日、韩、新及欧洲。

世界半导体设备及材料协会(SEMI)的调查显示,2004年和2005年,在所有的硅片生产设备中,投资在300mm生产线上的比例将分别为 55%和62%,投资额也分别达到130.3亿美元和184.1亿美元,发展十分迅猛。而在1996年时,这一比重还仅仅是零。

2、硅材料工业发展日趋国际化,集团化,生产高度集中:

研发及建厂成本的日渐增高,加上现有行销与品牌的优势,使得硅材料产业形成“大者恒大”的局面,少数集约化的大型集团公司垄断材料市场。上世纪 90年代末,日本、德国和韩国(主要是日、德两国)资本控制的8大硅片公司的销量占世界硅片销量的90%以上。根据SEMI提供的2002年世界硅材料生产商的市场份额显示,Shinetsu、SUMCO、Wacker、MEMC、Komatsu等5家公司占市场总额的比重达到89%,垄断地位已经形成。

3、硅基材料成为硅材料工业发展的重要方向:

随着光电子和通信产业的发展,硅基材料成为硅材料工业发展的重要方向。硅基材料是在常规硅材料上制作的,是常规硅材料的发展和延续,其器件工艺与硅工艺相容。主要的硅基材料包括SOI(绝缘体上硅)、GeSi和应力硅。目前SOI技术已开始在世界上被广泛使用,SOI材料约占整个半导体材料市场的30%左右,预计到2010年将占到50%左右的市场。Soitec公司(世界最大的SOI生产商)的2000年~2010年SOI市场预测以及 2005年各尺寸SOI硅片比重预测了产业的发展前景。

4、硅片制造技术进一步升级:半导体,芯片,集成电路,设计,版图,芯片,制造,工艺目前世界普遍采用先进的切、磨、抛和洁净封装工艺,使制片技术取得明显进展。在日本,Φ200mm硅片已有50%采用线切割机进行切片,不但能提高硅片质量,而且可使切割损失减少10%。日本大型半导体厂家已经向300mm硅片转型,并向0.13μm以下的微细化发展。另外,最新尖端技术的导入,SOI等高功能晶片的试制开发也进入批量生产阶段。对此,硅片生产厂家也增加了对300mm硅片的设备投资,针对设计规则的进一步微细化,还开发了高平坦度硅片和无缺陷硅片等,并对设备进行了改进。

硅是地壳中赋存最高的固态元素,其含量为地壳的四分之一,但在自然界不存在单体硅,多呈氧化物或硅酸盐状态。硅的原子价主要为4价,其次为2 价;在常温下它的化学性质稳定,不溶于单一的强酸,易溶于碱;在高温下化学性质活泼,能与许多元素化合。硅材料资源丰富,又是无毒的单质半导体材料,较易制作大直径无位错低微缺陷单晶。晶体力学性能优越,易于实现产业化,仍将成为半导体的主体材料。

多晶硅行业并购动机及其后果分析 篇3

随着我国新能源市场的发展, 多晶硅行业逐步成为我国并购市场的新热点行业。在新兴产业 (如新能源相关行业) 产能过剩的趋势将愈演愈烈情况下, 并购无疑是企业规模化, 降低成本, 获取市场势力, 取得协同效应和得到先进生产技术的有效途径, 2008年的次贷危机和金融海啸, 为并购提供了更加好的机遇。成功的企业战略并购能产生多方面的协同效应与规模效应。国内多晶硅行业的战略并购能否产生正的经济后果值得探讨。

对于并购经济后果, 国内外学者做了大量的实证研究, 通常采取事件研究法和会计研究法。事件研究法侧重对短期绩效的考察, 检验并购是否会为股东带来超常收益 (Jensen&Ruback, 1983; Healy, Palep&Ruback, 1992; Renneboog, 2001; Rene, 2005; Madura, 2007) , 国内利用事件分析法检验公告市场反应的研究始于20世纪90年代, 主要沿用国外已有的研究方法, 并结合我国企业并购的特殊性进行研究 (洪锡熙和沈艺峰, 2001;李善民和陈玉罡, 2002;张新, 2003;周杰和薛有志, 2008;胡挺和刘娥平, 2009) 。总得来说, 由于并购动机、分类方法、时间窗口长短不同, 以及研究方法的缺陷等原因, 并未能取得一致性结论。总体看, 大多数研究并购公告市场反应的文献都认为目标公司收益为正的研究比例较大。在长期绩效的研究方面, 国外的文献代表性有D.Mueller (1980) , Healey、Palepu 和Ruback (1992) Dickerson和Gibson (1997) , Linn和Switzer (2001) , Kobayashi (2007) 。国内学者代表性有冯根福、吴江林 (2001) , 李心丹等 (2003) , 陈收等 (2005) , 朱滔 (2007) 。同样国内外学者并没有得出一致结论, 甚至截然不同。

综上所述, 并购经济后果的理论成果丰富, 研究方法基本成熟, 但样本选择与数据处理上的不一致是否是导致结论不一致的根本原因, 值得进一步的探讨。国内多晶硅行业发展时间较短, 很少文献研究我国多硅晶企业并购的经济后果。本文试图对多晶硅龙头企业保利协鑫2009-2010年的两次并购案例, 沿袭以往学者的事件研究法和会计指标业绩比较法考察保利协鑫两次并购的经济后果, 梳理出我国多晶硅生产企业并购实现规模化的经验, 得出一些有价值的启示。

二、案例分析

2006年10月保利协鑫能源控股有限公司成立, 并于2007年11月13日在香港上市, 主要股东包括保利协鑫执行董事朱共山和摩根士丹利等。2009年底, 中国投资有限责任公司以55.6亿港元的价格, 认购了保利协鑫20%的扩大后股权 (见图1) , 使其资本实力大为增强。

保利协鑫是全球领先的多晶硅及硅片供应商, 从事多晶硅与硅片的制造并销售予太阳能行业, 为光伏发电提供质优价廉的原材料, 其业务还涉及太阳能光伏电站, 电力和热力供应。

保利协鑫总部位于香港, 主要业务基本上位于中国内地, 其硅材料生产基地、环保电厂以及太阳能光伏电站主要集中于中国经济发达的江苏与浙江两省。作为中国最大、全球领先的多晶硅制造商, 它拥有世界领先的多晶硅生产技术和生产设备, 年产能2009年底达到1.8万吨, 2010年底预计达到2.1万吨。集团已开始建设硅片生产设施, 预计2010年底达到2吉瓦的年产量。2009年, 保利协鑫总资产达到230多亿元人民币, 多晶硅销售总额达到25亿多元人民币, 占公司总销售额的58.25%。

2009年6月23日, 保利协鑫宣布, 斥资33.8亿美元 (约263.5亿港元) 向大股东兼主席朱共山收购国内最大多晶硅生产商江苏中能硅业科技公司的100%股权, 交易代价中的199亿港元, 将透过发行每股2.2港元、合计90.51股新股支付;而余额64.4亿港元将透过现金、发行有抵押票据及新股支付。交易完成后, 朱共山及其家族等关联人士的持股将由原来的34.47%提升至56.17%。

江苏中能硅业科技为中国领先的多晶硅及硅片供应商之一, 自2006年成立以来产能高速增长, 并迅速成长为国内最大的多晶硅生产商。其有关的生产设施于今年首三个月内生产1 094公吨多晶硅, 即每年产量4 376公吨。

数据来源:根据保利协鑫2009年度业绩报告数据整理得到。

2010年1月8日, 保利协鑫宣布与国内知名硅片供应商高佳太阳能股份有限公司达成收购协议, 拟斥资8.54亿元人民币间接收购后者70.19%的控股权, 以增强保利协鑫在硅片领域的竞争能力。

高佳太阳能主要从事单晶硅棒、单晶硅片、多晶硅锭、多晶硅片的研发、生产与销售。自成立以来, 其业务发展稳健, 在技术、质量、成本管理等方面都处于行业领先水平, 在行业内也享有良好的口碑, 2009年底高佳太阳能年产能已达到300兆瓦, 产品主要供应给Q-CELL、CONERGY、SHARP、尚德、阿特斯、林洋等世界著名电池厂商。此次收购有助于集团加快拓展太阳能硅片业务, 大力整合光伏产业价值链, 对集团进一步提升硅片业务产能、增强硅片业务竞争力将起到非常积极的作用。

1.扩大产业规模, 获取规模经济性。

通过并购形成有效的规模效应, 能够带来资源的充分利用和整合, 降低管理, 原料, 生产等各个环节的成本, 从而降低总成本。企业战略并购而导致的规模效应在财务指标上最直观地表现是:一方面营销费用单位产品分摊额及特许权、专利权等无形资产单位产品分摊额的减少, 将会提高单位产品的盈利水平;另一方面体现在企业经营业务的扩大和市场竞争力的增强。

保利协鑫方面表示, 收购江苏中能和高佳太阳能是其全力拓展硅片业务的重要组成部分, 具有积极的战略意义。在收购江苏中能和高佳太阳能之后, 保利协鑫的硅片生产规模预计将达到800兆瓦。到2010年底, 保利协鑫的硅片年产能预计将达到2吉瓦 (2 000兆瓦) , 从而跻身全球大型硅片供应商之列。

2.促进产业链整合。

保利协鑫通过并购促进产业链的整合, 实现产业结构的优化。在收购江苏中能以后, 保利协鑫即具备了在光伏行业做“垂直一体化”的条件, 现在其在多晶硅生产方面有国内第二大的江苏中能;在太阳能安装方面, 有了实力很强的中环工程;在建设电站方面又有了以前的经验, 现在只需要建个组件厂, 再将电池外包, 就可以在三个月内就能完成从原料到电厂一条龙的流程, 这也能极大的压缩中间环节的成本, 保持利润的最大化。此外, 其也可以形成发电—多晶硅—有机化工的产业链, 提高资源利用率。保利协鑫表示收购高佳太阳能有助于集团加快拓展太阳能硅片业务, 大力整合光伏产业价值链, 对集团进一步提升硅片业务产能、增强硅片业务竞争力将起到非常积极的作用。

3.通过收购跨入新的行业, 实施多元化战略, 分散投资风险。

随着行业竞争的加剧, 企业通过对其他行业的投资, 不仅能有效扩充企业的经营范围, 获取更广泛的市场和利润, 而且能够分散因本行业竞争带来的风险。保利协鑫收购江苏中能, 主要在于其业务范围目前仅限于燃煤、燃气电站和风能。为了使现有能源组合多元化, 保利协鑫希望将增长潜力巨大的太阳能光伏产业纳入业务范围。江苏中能目前已成为亚洲最大的多晶硅制造商之一, 而保利协鑫是中国最大的外资环保电力企业, 两者结合可使后者发挥先天优势, 成为中国境内最具竞争力的光伏电站投资和运营商。随着江苏中能建成年产1.8万吨的产能规模, 原先困扰国内光伏业多年的多晶硅瓶颈将被打破。而随着规模效应带动价格平均线的下降, 太阳能发电成本也将拉低, 更可打破境外厂商对多晶硅市场供应的垄断局面。

4.提高市场份额, 提升行业战略地位。

规模大的企业, 伴随生产力的提高, 销售网络的完善, 市场份额将会有比较大的提高。从而确立企业在行业中的领导地位。据统计, 保利协鑫收购江苏中能六个月后, 江苏中能的销售收入与毛利率分别达到人民币11.12亿元和42.69%。

三、并购的经济后果分析

(一) 收购江苏中能硅业并购公告的市场反应

1.保利协鑫能源收购江苏中能硅业股价CAR并购交易绩效分析。

通过事件研究法考察保利协鑫能源并购江苏中能硅业的市场效应。具体步骤为:

(1) 选取事件窗口, 事件考察期为2009年5月4日至2009年7月3日, 以保利协鑫能源并购江苏中能硅业公告日2009年6月23日为事件发生日。

(2) 在估计市场模型参数时, 本文把事件窗口公告前后15天的收益率预测在事件期的预期收益或正常收益, 把投资者在事件期的实际收益率与根据时间窗口公告前后收益率计算出的预期收益率进行比较, 从而判断投资者是否因为并购事件而获得股票上的超额收益。

(3) 计算预期收益率。本文的研究选用在事件研究法中的市场模型法计算预期收益率, 根据CAPM对市场收益率的要求, 采用恒生指数作为市场指数计算市场收益率 , 将保利协鑫能源的日收益率作为被解释变量, 将恒生指数日收益率作为解释变量, 进行回归分析, 得到保利协鑫能源股份日收益率与市场日收益率变化之间的关系。其中回归方程为:Rt=0.0515+0.0611Rmt (注:0.015衡量在整个期间内无法由市场来解释的平均收益;0.0611衡量的是并购公司对市场的敏感度-对风险的一种衡量方法; 即第t天市场指数的收益) 。

(4) 计算超额收益率。

①计算日超额收益率ARt, 即窗口期内个股的日实际收益率与日预期收益率之差:

ARt=Rt-ERt

②计算累计超额收益率CARt, 即单只股票在窗口期内从第一个交易日至第t个交易日的日超额收益率之和:CARt=1tARt

从图2发现, 保利协鑫能源在[5/13/2009, 7/15/2009]期间的超额收益率均值为0.0036419%累计超额收益率为0.1092565%。保利协鑫能源累计超额收益率为正数, 这说明保利协鑫能源在此期间跑赢恒生指数的整体收益水平, 保利协鑫能源的投资者看好保利协鑫能源与江苏中能硅业并购的协同效应。可以判断, 投资者对于这起并购交易的前景持有乐观的预期。

2.保利协鑫能源收购高佳太阳能股价CAR并购交易绩效分析。

通过事件研究法考察保利协鑫能源并购高佳太阳能的市场效应。具体步骤为:

(1) 选取事件窗口, 事件考察期为2009年12月16日至2010年1月29日 (即并购前后15天) , 以保利协鑫能源宣告拟并购高佳太阳能公告日2010年1月8日保利协鑫能源宣告拟收购高佳太阳能为事件发生日。

(2) 在估计市场模型参数时, 我们把事件窗口公告前后15天的收益率预测在事件期的预期收益或正常收益, 把投资者在事件期的实际收益率与根据时间窗口公告前后收益率计算出的预期收益率进行比较, 从而判断投资者是否因为并购事件而获得股票上的超额收益。

(3) 计算预期收益率。本文的研究选用在事件研究法中的市场模型法计算预期收益率, 根据CAPM对市场收益率的要求, 本文采用恒生指数作为市场指数计算市场收益率 , 将保利协鑫能源的日收益率作为被解释变量, 将恒生指数日收益率作为解释变量, 进行回归分析, 得到保利协鑫能源日收益率与市场日收益率变化之间的关系。其中回归方程为:Rt=-0.0048+0.8585Rmt (注:-0.0048衡量在整个期间内无法由市场来解释的平均收益;0.8585衡量的是并购公司对市场的敏感度-对风险的一种衡量方法; 即第t天市场指数的收益) 。

(4) 计算超额收益率。

①计算日超额收益率ARt, 即窗口期内个股的日实际收益率与日预期收益率之差:

ARt=Rt-ERt

②计算累计超额收益率CARt, 即单只股票在窗口期内从第一个交易日至第t个交易日的日超额收益率之和:CARt=1tARt

从图3看到, 保利协鑫能源在[12/16/2009, 1/29/2010]期间的超额收益率均值为0.0018594%, 累计超额收益率为0.0557829%。保利协鑫能源累计超额收益率为正数, 这说明保利协鑫能源在此期间跑赢恒生指数的整体收益水平, 保利协鑫能源的投资者看好保利协鑫能源与高佳太阳能并购的协同效应, 投资者对于这起并购交易的前景持有乐观的预期。

(二) 并购的财务绩效分析

会计业绩比较法主要通过对比会计数据来比较并购前后保利协鑫效率状况, 考察并购对保利协鑫绩效的影响。

对保利协鑫并购与前年度的数据对比来分析保利协鑫并购绩效, 虽然并购的成效不能在短时间内体现, 通过一个企业的发展潜力是可以判断出未来的发展情况, 并判断这一系列的并购行为是否对保利协鑫带来正效应。

1.盈利能力分析。

从盈利能力角度来看, 保利协鑫截至2009 年末, 从表1可以看出, 总资产比2008年增长158.12%, 营业额较2008年的增长23.7%。虽然2009年全年公司股东应占亏损约为1.760亿元人民币, 但保利协鑫表示, 财务业绩受到以下特殊成本项目的影响:一是与合并光伏业务产生的、并已全部偿还的3亿美元短期贷款相关的一次性融资成本1.297亿元人民币;二是光伏业务之股票期权计划及限制性股票补偿计划在业务被并入保利协鑫前须予即可归属所产生的一次性员工股权费用7.458亿元人民币;三是按照国际财务报告准则, 有关收购以“反收购入账”下电力业务所产生的0.959亿元人民币商誉减值亏损。若不考虑这些特殊项目和其它一次性费用, 公司2009年运营利润超过8亿元人民币。此外降低多晶硅生产成本取得显著进展, 由2008年的每公斤66.0美元降至2009年的每公斤39.4美元。

2.成长能力分析。

从表2发现, 公司光伏业务2009年受到全球经济危机的影响出现下降, 公司净利润由2008年的盈利转为2009年亏损, 其中一部分是一次性非现金员工股权费用7.46 亿元人民币、非现金商誉减值0.96亿元人民币及因收购光伏业务而一次性融资财务费用1.3 亿元人民导致, 现在政府愈发重视新能源产业, 公司作为国内光伏产业领头企业肯定将受益颇多, 与此同时, 公司加强技术研发、整合并购业务及产业战略纵向发展, 发挥公司的产业链优势, 打造光伏产业链上游硅材料生产与下游光伏发电相互协作的发展模式, 公司在光伏产业的发展还很值得期待。保利协鑫2009年毛利率比2008年毛利率有较大增长, 其中多晶硅业务毛利率高达36.4%, 电力业务毛利率为18.9%, 综合毛利率30.2%。

3.偿债能力分析。

通过对保利协鑫短期偿债能力的主要指标和辅助指标的分析, 了解企业短期偿债能力的高低及其变动情况, 说明企业的财务状况和风险程度。

从表3中可以看到, 流动比率、速动比率呈上升趋势, 长期负债与股东资金比率呈下降趋势, 表明企业的偿付能力有所增强, 企业所面临的短期流动风险变小, 债权人安全程度变高, 股东投入了较多的资金用于企业经营。这将有利于企业资金周转和生产经营, 提高企业的盈利能力, 降低财务风险。

四、结论与启示

(一) 结论

本文以保利协鑫从2009-2010年的两次并购事件为例, 分别从以下两个方面来研究保利协鑫并购产生的财富效应, 其一, 利用资本市场的数据实证检验保利协鑫并购的财富效应:利用事件分析法来分析2009-2010年的两次并购事件, 既2009年6月23日并购江苏中能硅业;2010年 1月10日并购高佳太阳能;其累积超额收益率都跑赢了市场, 投资者都看好并购其他同行的协同效应。其二, 对比分析保利协鑫并购前后财务指标变动趋势及市场份额变动趋势研究并购的财富效应。从财务指标变动趋势发现, 保利协鑫短期偿债能力强, 保利协鑫的盈利能力虽有波动, 但居于宏观环境好转, 预计其未来盈利能力将会不断增强, 保利协鑫主营业务盈利能力较强, 总资产不断增加, 资本充足率、长期来看将产生“1+1>2”的协同效应, 为并购双方创造价值。

(二) 启示

1.谨慎充分论证并购决策。

优胜劣汰是市场竞争不变的法则, 因此经营者必须积极扩大经营规模, 降低生产成本, 提高生产技术, 提升企业的盈利能力, 严格控制经营风险, 否则在日趋市场化的竞争环境下, 低效企业将逐渐失去生存的空间, 沦为被收购兼并的对象。同时, 本文研究表明, 收购同行的利润效率并不像管理者实现设想的那么乐观。并购对象潜在的经营风险、并购后高昂的整合成本, 企业管理者选择并购对象、设计交易结构、确定交易价格推进并购后整合等发面必须十分谨慎, 做好充分的调查研究和分析论证, 避免急功近利, 仓促决策。

2.着眼股东价值的长期提升。

本文对企业并购对于股东价值影响的分析表明, 对于并购对象的股东而言, 应该着眼于公司的长期发展, 积极支持合理的并购重组计划, 以促使并购对象改善经营, 提高效率, 降低风险, 促进股东价值的提升;而对于收购企业的股东而言, 则应该慎重权衡企业管理层提出的并购计划, 要冷静分析并购项目的潜在协同效应和潜在整合成本, 避免在并购的战略而损害股东价值。

3.整合产业链。

国内光伏产业没有完整的产业链, 从事单段生产的企业成本和风险都相对较高。企业生存受国际多晶硅价格波动比较大, 成本一直将不下来。严峻的市场形势倒逼从事太阳能多晶硅企业迅速寻找出路, 整合产业链。通过国内光伏太阳能产业链资源整合, 提高产业集中度, 形成国内资源企业利益共同体, 提升企业文化、制度等软实力, 为实施海外发展创造有利条件。产业链并购实现对关键资源控制的重要手段, 有助于增强我国多晶硅企业的国际定价权, 提升我国企业在全球太阳能领域定价机制及规则制定中的主导权。

摘要:由于多晶硅等新兴产业出现重复建设的倾向, 产能过剩的警钟已经敲响, 产业链整合成为多晶硅行业健康发展的需要。以保利协鑫能源控股有限公司2009-2010年两次并购事件为例, 研究保利协鑫并购产生的财富效应, 在总结案例的基础上梳理出我国多晶硅生产企业并购实现规模化的经验, 得出一些有价值的启示。

关键词:多晶硅行业,保利协鑫,并购,经济后果

参考文献

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多晶硅行业 篇4

近年来,太阳能光伏产业发展迅猛。据统计,2008年太阳能全球太阳能光伏发电新增容量为近6GW,2009年增长44%至7.2GW,2010年全球太阳能光伏发电新增容量为16GW,是上年新增容量的两倍。下游的高速发展拉动了上游原材料的强劲需求,对太阳能级多晶硅的需求也以每年几千吨的速度增长。而在2003年之前,光伏行业所需的多晶硅原料主要来源于半导体行业的过剩或者废弃的多晶硅料。2004年以来,随着光伏行业对上游硅料的强劲需求,同时半导体行业电子级多晶硅的增速缓慢,全球多晶硅材料市场出现了供不应求的局面,同时供需缺口愈来愈大,硅料有效产能的增速已经赶不上光伏市场新增装机容量的增速,因此,国外一些高纯硅材料企业就专门致力于太阳能级多晶硅的生产,国内也出现了很多新进入者,多晶硅项目纷纷上马,多晶硅产能迅速扩张。

1 我国多晶硅市场发展现状

我国多晶硅产业起步于上世纪50年代, 60年代开始了批量生产,70年代初全国有100多家企业拟建多晶硅项目,最后投资建成的仅有20多家企业。至80年代初期,国内多晶硅年产能仅有150吨。截止2005年产能进一步萎缩,年产量只有60吨,远不能满足国内外市场需求。2006年,受硅料价格虚高和短期暴力的诱惑,新一轮的多晶硅项目投资建设的高峰掀起,规模空前,产能迅速扩张,至此,从2006到2007年,多晶硅项目建设达到顶峰,2008年受金融危机影响,投资减速,但是2009年后,受光伏产业链的强劲复苏,多晶硅仍旧呈现出供不应求的态势。据统计预测,2011年,我国多晶硅产能将占全球约44%的份额,产量约占全球37%,约占全球近半壁江山。

2009年,多晶硅行业出现了“过剩论”,被打上了“出现重复建设倾向”的标签。据统计,截至2009年上半年,国内的四川、河南、江苏、浙江等20多个省有近50家公司正建设、扩建和筹建多晶硅生产线,总建设规模逾10万吨,是2005年全国产量60吨的1 000多倍,总投资超过1 000亿元;倘若这些产能全部实现,相当于全球多晶硅年需求量的两倍。事实上,多晶硅项目进展分为已投产,在建,拟建,规划中等几种情况,由于产品线调试周期长,产出率低,即使是已投产的项目的产量也不会高,据历年统计,实际产量往往只有当年产能的25%~30%。预计2010年我国多晶硅产能将达到6万吨左右,但实际产量不会超过3万吨。同时,部门地方政府及多晶硅企业为抬高自身形象以便招商引资,吸引投资者,刻意夸大项目进展,虚告实际产能。截止目前,多晶硅市场上有出现了硅料严重供不应求的现象。如此背景之下,多晶硅产业的健康发展不得不被重视。

2 我国多晶硅产业发展中存在的问题

2.1 投资过热,产能盲目扩张

多晶硅的建设周期比较长,分为已投产,在建,拟建,规划中等。据中国电子行业协会上报国家发改委的一份行业报告显示,截止2009年6月份,全国已投产的多晶硅项目的企业有19家,年总产能达到3万吨;在建,扩建的多晶硅项目的企业有10家,总规划产能在2010年达到10万吨;同时,由于处于产业发展前期,在2011年前我国多晶硅的市场准入门槛低,加上高额的投资回报率,企业对多晶硅项目的投资热情受到了极大的激发;另一方面,部分地方政府鉴于多晶硅企业预期带来的丰厚税收回报,拉动地方经济,增加就业,也为多晶硅项目投资提供了很多政策上的刺激。这也为投资过热,名义产能过剩增加了可能性。

2.2 国内企业在竞争力上明显落后于国外先进水平

从生产技术水平上,我国多晶硅产业在短短几年时间从百吨级的落后水平跨入千吨、万吨级规模化生产阶段。我国优秀的多晶硅企业通过引进国外先进技术、自主研发、改革创新等方式经过多年的技术摸索,生产实践积累,掌握了改良西门子法千吨级规模化生产关键技术,研发水平、生产能力不断进步。然而,由于我国的多晶硅产业尚处于规模化的起步阶段,国内整体技术与国外先进水平相比,在技术成熟度、生产成本等方面仍存在一定的差距。国内多晶硅的成本在50 美元-70 美元/公斤之间。相比美国、日本等国际大企业的成本只有20 美元/公斤,成本过高,必将优胜劣汰。 所以,要想提高产业的竞争力,提高多晶硅生产技术刻不容缓。

2.3 多晶硅产业污染严重,发展令人堪忧

多晶硅企业一直被冠以“高能耗,高排放”的“两高”之名。目前,我国多晶硅提纯的耗电量基本在2万度/吨左右,比同为高污染行业的电解铝1.45万度/吨的耗电量要高出许多。2009年全球经济受金融危机影响严重萎缩,光伏市场也受波及,多晶硅价格也从巅峰时候的500多美元跌至2010年初的50多美元,多晶硅行业一度处于停产状态。而在2009年9月底,国务院发布《国务院转发发改委等部门关于抑制部分行业产能过剩和重复建设引导产业健康发展的若干意见》,该文件把多晶硅定为产业过剩行业之一。此后,多晶硅产业就一直处于风口浪尖,不少多晶硅项目进退两难,部分已经在建的项目也开始被重新评估,信贷变得困难重重。

据工信部的调查显示,截至目前,国内多晶硅产业计划投资总额达1 340 亿元,实际投资额为 470 亿元;已建成项目设计产能4 万余吨,在建项目设计产能6 万多吨,合计约10 余万吨,中国的多晶硅已经出现生产过剩的迹象。而如果被国务院正式列入“两高行业”,就意味着未来更难获得政策的支持。多晶硅行业的发展令人堪忧。这对于多晶硅行业的发展将起到一定的警示作用,提醒了企业在生产过程中要注意节能减排,降低能耗,否则在国际市场上必将优胜劣汰。

3 针对多晶硅产业健康发展的建议

鉴于以上问题,我国多晶硅行业的产业结构尚有很多地方不合理,应该通过以下几个方面来优化产业结构,改善行业现状,促进行业健康发展。

3.1 产业结构亟待优化升级

3.1.1 减少对外依存度,提高技术自主创新

2010年中国共进口多晶硅4.8万吨。在众多中下游厂商快速扩产的背景下,2010年中国多晶硅进口量持续保持高位确实是预料之中的事情;但单月进口量从2 000多吨,一路攀升至6 000吨以上,以至于全年累计进口量达到4.8万吨左右,还是出乎意料。那就是虽然金融危机的影响早已烟消云散,但对于中国光伏产业而言,上游原材料严重依赖海外市场的困局非但没有改善,相反却有愈演愈烈之势。多晶硅过度依赖国外进口这一问题如果不及时解决的话,甚至会动摇整个中国光伏产业的根基。要想解决这一问题,可以通过鼓励成本低,竞争力强的多晶硅企业壮大发展规模,鼓励多晶硅项目在西部资源和能源丰富地区落地,鼓励多晶硅企业兼并重组等方式去改善这一现状。下图是2010年中国多晶硅进口量。

3.1.2 停产重复建设,抑制投资过热

2005-2010年间,国内包括化学法和物理法共有81家企业已建、在建、扩建和筹建多晶硅生产项目,这些项目部分规模可达5 000吨以上,如江西塞维、重庆大全,但是大部分项目都是在3 000吨以下,资金需求小,建设周期段,短期回报率高都是导致多晶硅项目重复建设的重要原因[2]。

2011年初,国务院公布了《多晶硅行业准入条件》,从产能规模、最低资本金投入要求、节能环保等方面提高了多晶硅行业的准入门槛。《准入条件》规定的门槛一定程度上限制了部分企业进入多晶硅生产领域,也有部分相关企业表示将根据公司多晶硅生产现状,主动做出调整,主动停止多晶硅生产。相关法律的提出一定程度上抑制了多晶硅产品的重复建设。

3.1.3 产业链整合,增强一体化趋势

放眼世界500强企业,如德国的西门子,日本三菱重工,英国石油等等这些优秀的企业,在各自行业内都拥有一条完整的产业链[3]。只有整合了从项目设计到销售到终端市场的全部环节,才能获取超额利润,单靠技术是难以在豪强林立的多晶硅产业中立足的。多晶硅及光伏垂直一体化产业链不仅能发挥自备电厂,以及当地优质石英砂等资源优势,实现工业硅冶炼-高纯度多晶硅提炼-硅棒切割-光伏电池及芯片生产-系统发电,并可对聚氯乙烯产生的尾气氯气、矿井煤层气、焦化厂的焦炉煤气,进行资源化利用,而且终端产品太阳能电池是绿色环保的新能源、新材料。

目前,很多国外多晶硅供应商与国外电池厂商的建立了长期合作关系,甚至自己实现了多晶硅到电池组件的一体化。而在我国的光伏市场,光伏产业链内的纵向整合正在进行,部分实力雄厚的电池企业正在建设自己的内部配套多晶硅产能,因此原本向客户供货的生产商也将受到来自客户内部的威胁。例如河北保定的英利集团,在近年来投产了不少多晶硅生产项目,实现了自产自销,部分产业链已整合。2010年12月份半年,央企蓝星集团在多晶硅上游产业链上又出台大动作,蓝星集团宣布将以20亿美元的价格收购挪威奥克拉集团旗下的埃肯公司,业务包括埃肯硅材料(主营多晶硅)、埃肯太阳能(主营太阳能硅片)、铝材料和碳素材料业务。交易预计将于2011年上半年完成。这无疑是我国多晶硅产业链整合的又一举措。

3.2 通过政策导向推动产业健康发展

工信部在2010年初制定了《多晶硅行业准入条件》,但是一直到2011年初才出台了该准入标准。至于迟迟未出就在于如果参照多晶硅行业的指标,很多国内企业目前都是达不到要求的。该准入条件从建设条件与生产布局、生产规模与技术设备、资源回收利用及能耗、环境保护等方面对多晶硅行业的准入条件予以细化。项目建设条件方面,要求资本金比例不低于30%,在政府投资项目核准新目录出台前,新建项目原则上不再批准。对每期规模作出限定,太阳能级大于3 000 吨/年,半导体级大于1 000 吨/年。对于能耗、还原尾气回收率等给出了具体指标,太阳能级多晶硅还原电耗2011 年底前要小于60kwh/kg,2011前将淘汰综合电耗大于200kwh/kg 的太阳能级多晶硅生产线。监管上,现有项目将报工信部审核,形成《多晶硅行业准入名单》;新建和改扩建项目,投产半年内申请进入准入名单。

这一政策的出台对整顿多晶硅产业有着很积极的作用。尽管在短期内会使多晶硅的供应有所减少,但是长期内生产成本低,规模大的企业将凸显优势而胜出。除了在规模、技术、环保等准入条件做了规定之外,我国还要在以下方面上加以规范,引导其健康发展。

一是加大对多晶硅原料的限制和监管力度,严格控制进口的数量和质量。2009年我国多晶硅原料的进口量约为2.4万吨,而2010年的进口量一跃上升到4.8万吨,几乎是翻了一倍,因此对外过度依赖的现状亟待改观。

二是对专注技术创新,环境污染小,附加值高的多晶硅项目要加大政策扶持力度。我国应该根据多晶硅产业的现有市场条件,加大技术研发,科学创新,工艺完善,项目建设的支持力度,抓住时机发展壮大我国多晶硅产业。

4 结语

我国多晶硅产业在近年来无论是技术研究上还是政策导向上都了长足的发展,但是即便是我国多晶硅生产巨头及多晶硅产业本身也存在着不容忽视的问题。要想我国多晶硅产业在国际市场上有核心竞争力,改变上、下游的市场“两头在外”的现状还有很长一段路要走。在光伏产业仍处于明显的“政策市”阶段的前提下,依靠政策的鼓励和引导,确实是保证这一新兴产业快速推进的必然之举,甚至把这当做“治标也治本”的方法也不为过。不过,对于其中的多晶硅产业而言,不能仅仅依靠国内政策的鼓励和引导,企业本身能动性的作用也不可小觑,只有企业与政府共同合作才能引领我国多晶硅产业的健康有序的长远发展。

参考文献

[1]赵秋月,周学双,李冰.多晶硅产业存在的环保问题及对策建议[J],环境污染与防治,2010,32(6):101-107.

[2]张坚强.统筹规划加强监管,推动我国多晶硅产业发展[N].中国工业报,2010-02-10(2).

[3]安飞.行业准入将多晶硅拉入正轨[N].国际商报,2010-04-13(1).

多晶硅行业 篇5

1 生产工艺

合成氯化氢的原料气是氢气和氯气,氢气中氧气和水分的含量均不超过10 PPm,氯气纯度也在99.9%以上,极限水分含量不超过400 PPm。

原料氢气、氯气分别经过氢气阻火器、氯气缓冲罐按一定摩尔比(H2:Cl2=1.1:1)进入合成炉灯头的内管,混合均匀后在灯头上端燃烧反应生成氯化氢气体。燃烧时火焰温度2000~3000℃,并发出光和热。生成的氯化氢气体借助炉体本身散热,到炉顶出口温度可降400~600℃。从炉顶送出的氯化氢气经空冷管、换热器进一步冷却后送三氯氢硅合成工序。

氯化氢送往三氯氢硅合成工序参与反应,与硅粉反应生成三氯氢硅。三氯氢硅遇水会发生分解反应,生成二氧化硅和盐酸。反应式为:

如果氯化氢中含水,会发生三氯氢硅的分解反应,降低三氯氢硅纯度,且会发生酸腐蚀。二氧化硅堵塞三氯氢硅合成炉的出口管道,引起炉子超压,有爆炸的危险。因此要严格控制氢气、氯气中的含水量,从源头控制纯度;同时也要避免在氯化氢合成工序中带水。

2 氯化氢合成炉的腐蚀机理

钢制氯化氢合成炉的常用规结构有两种,一是水夹套冷却,二是不带冷却夹套,靠空气冷却。

(1)因合成炉温度过高造成的高温腐蚀,分内外两种腐蚀形式。

(1)由于合成气体中仍残留部分未反应完全的游离氯,在高温下与合成炉材质反应生成氯化铁或氯化亚铁:

此腐蚀反应在300℃以下速率很慢,但超过此温度腐蚀反应速率明显加快。

(2)氯化氢合成炉的整个炉体都暴露在空气中,如果温度过高,氧化严重,会极大地缩短合成炉的寿命,造成腐蚀穿孔。钢材在空气中受热的反应方程式为:

温度越高,反应越剧烈,氧化速度越快,腐蚀越严重。相关数据表明,温度高于600℃时,此反应速度最快。

由此可见,高温氧化对合成炉腐蚀较大,使炉壁越来越薄。

(2)因合成炉温度过低造成的氢去极化腐蚀。

氯化氢气体的露点为108.65℃。因原料氯气、氢气中含有少量水蒸气和氧气,在合成过程中氧和氢会反应生成水蒸汽。带夹套时,由于炉壁被冷却,当壁温低于氯化氢气体的露点温度时,炉壁形成凝酸,由于凝酸(盐酸)是一种典型的非氧化性酸,金属铁在盐酸中腐蚀的阳极过程是金属铁的溶解,即:

阴极过程是氢离子的还原,即:

总反应式为

(3)冷却水水质硬度高,易结垢,阻碍冷却水的正常循环,冷却效果不佳,导致炉内温度过高,产生高温氯化氢气体对炉体的强烈腐蚀,以至炉体寿命缩短。

3 缓蚀措施

(1)高温腐蚀缓蚀措施

(1)控制反应工艺,降低合成气中的游离氯。经我们实际生产中检测,合成气分析结果不含游离氯,因此在高温下与合成炉反应生成氯化铁或氯化亚铁的腐蚀可以有效避免。

(2)反应时严格控制工艺,保证炉膛温度在500~600℃之间,出口温度满负荷时为400~500℃。此温度可减缓炉体的氧化。

(2)温度过低造成的氢去极化腐蚀的防止措施

(1)不设水夹套,不给炉壁降温,减少凝酸的形成,避免炉体被盐酸腐蚀。

(2)控制原料气里的氧气、水蒸气含量。由于多晶硅企业生产产品是多晶硅,纯度要求极高,所以所有的原料纯度都很高,可以直接从原料气里控制氧和水分的含量,避免水分的产生。实际生产中氢气中氧气和水分的含量均不超过10PPm,氯气纯度也在99.9%以上,极限水分含量不超过400PPm。

(3)冷却水结垢,需经常去除水垢,同时要监测水质,避免腐蚀穿孔后无法及时发现,造成事故。

4 利弊分析

从腐蚀机理可以看出,两种结构形式各有利弊。但是采用夹套式结构相对来说情况要复杂一些,腐蚀较为严重。

采用夹套时,在冷却水入口处,冷却水直接冲刷炉壁,导致该处温度最低,长期低于露点,因而该处最先腐蚀损坏。同时由于冷却水结垢,也会导致炉体寿命减少。

带夹套时最严重的后果是腐蚀穿孔后,夹套中的水进入合成炉内,造成氯化氢带水,进入下一个三氯氢硅合成工序。在下一个工序中,盐酸会腐蚀三氯氢硅合成炉及其管道,同时生成的二氧化硅堵塞住出口管道,造成炉内憋压,有爆炸的危险。

带夹套结构中,还需要为监测冷却水质增加一套水质监测仪表设备,增加了一笔费用,同时复杂程度也提高了。

采用水夹套,由于炉壁温度降低,炉内压力可以提高,产能可以增加30%左右。同时夹套内冷却水的余热可以利用,有节能工效。

夹套式合成炉,一般使用寿命为3年,不带夹套式合成炉,使用寿命一般为2年。采用夹套式结构,加工复杂,其加工费用是不带夹套的1.5倍,与不带夹套结构相比,设备本身成本相当。

不带夹套的结构,只存在一种腐蚀情况,就是高温炉筒氧化。如果控制好反应温度,这一情况可以大大缓解。

原料气中如果不含水分,无论是否带夹套,都不会产生凝酸,对炉体理论上都没有腐蚀。带夹套,可以将热能回收利用。但是带夹套对工艺存在风险,一旦泄露,水分进入氯化氢中,影响下一道工序的产品纯度,且对设备、管道有腐蚀、堵塞的影响,会对三氯氢硅合成炉的运行造成安全隐患。不带夹套,造价低,结构简单,避免了水分进入HCl的风险,能满足工艺的要求。

5 结论

多晶硅行业与氯碱行业的工艺不同,对氯化氢的纯度要求也不同。氯碱行业对纯度要求不高,从原料气开始纯度就比多晶硅行业要求低很多,而且生成的氯化氢对带水也没有很高的要求,所以在氯碱行业中,更多的考虑了热能的回收利用,大多采用的是带夹套的结构。

多晶硅行业中产品的纯度要求最起码都在6个9以上,各个环节都是严格禁止物料含水。带水不仅影响产品的质量,还会对设备、管道造成腐蚀、堵塞。一是,经济上浪费,第二会构成严重的安全隐患。

综合以上各点原因,在多晶硅行业中,为了控制腐蚀,应采用不带夹套的结构形式,较能满足工艺对物料的高纯要求,从整体系统的长远运行来看也更经济,同时也有利于安全生产。

摘要:综合考虑多晶硅用氯化氢合成炉的腐蚀机理、防腐措施及工艺要求,对其进行性能分析,提出为了控制腐蚀,氯化氢合成炉的合理结构。

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