光刻技术的现状和发展

光刻技术的现状和发展（共5篇）

光刻技术的现状和发展 篇1

关于光刻工艺的种类与发展的论文

引言：从第一个晶体管问世算起，半导体技术的发展已有多半个世纪了，现在它仍保持着强劲的发展态势，继续遵循 Moore 定律即芯片集成度18个月翻一番，每三年器件尺寸缩小0.7倍的速度发展。大尺寸、细线宽、高精度、高效率、低成本的IC生产，正在对半导体设备带来前所未有的挑战。

集成电路在制造过程中经历了材料制备、掩膜、光刻、清洗、刻蚀、渗杂、化学机械抛光等多个工序，其中尤以光刻工艺最为关键，决定着制造工艺的先进程度。随着集成电路由微米级向钠米级发展，光刻采用的光波波长也从近紫外（NUV）区间的436nm、365nm波长进入到深紫外（DUV）区间的248nm、193nm波长。目前大部分芯片制造工艺采yong了 248nm 和 193nm 光刻技术。目前对于 13.5nm 波长的 EUV 极端远紫外光刻技术研究也在提速前进。

关键词：干涉，衍射，光刻。

光刻工艺的种类很多，我们以时间为线索，逐个展开如下：

1. 以Photons为光源的光刻技术

在光刻技术的研究和开发中，以光子为基础的光刻技术种类很多，但产业化前景较好的主要是紫外(UV)光刻技术、深紫外(DUV)光刻技术、极紫外(EUV)光刻技术和X射线(X-ray)光刻技术。不但取得了很大成就，而且是目前产业中使用最多的技术，特别是前两种技术，在半导体工业的进步中，起到了重要作用。

紫外光刻技术是以高压和超高压汞(Hg)或者汞-氙(Hg-Xe)弧灯在近紫(350～450nm)的3条光强很强的光谱(g、h、i线)线，特别是波长为365nm的i线为光源，配合使用像离轴照明技术(OAI)、移相掩模技术(PSM)、光学接近矫正技术(OPC)等等，可为0.35～0.25μm的大生产提供成熟的技术支持和设备保障，在目前任何一家FAB中，此类设备和技术会占整个光刻技术至少50％的份额；同时，还覆盖了低端和特殊领域对光刻技术的要求。

深紫外技术是以KrF气体在高压受激而产生的等离子体发出的深紫外波长(248 nm和193 nm)的激光作为光源，配合使用i线系统使用的一些成熟技术和分辨率增强技术(RET)、高折射率图形传递介质(如浸没式光刻使用折射率常数大于1的液体)等，可完全满足O.25～0.18μm和0．18μm～90 nm的生产线要求；同时，90～65 nm的大生产技术已经在开发中，如光刻的成品率问题、光刻胶的问题、光刻工艺中缺陷和颗粒的控制等，仍然在突破中；至于深紫外技术能否满足65～45 nm的大生产工艺要求，目前尚无明确的技术支持。相比之下，由于深紫外(248 nm和193 nm)激光的波长更短，对光学系统材料的开发和选择、激光器功率的提高等要求更高。

极紫外(EUV)光刻技术早期有波长10～100 nm和波长1～25 nm的软X光两种，两者的主要区别是成像方式，而非波长范围。前者以缩小投影方式为主，后者以接触／接近式为主，目前的研发和开发主要集中在13 nm波长的系统上。极紫外系统的分辨率主要瞄准在13～16 nm的生产上。考虑到技术的延续性和产业发展的成本等因素，极紫外(EUV)光刻技术是众多专家和公司看好的、能够满足未来16 nm生产的主要技术。但由于极紫外(EUV)光刻掩模版的成本愈来愈高，产业化生产中由于掩模版的费用增加会导致生产成本的增加，进而会大大降低产品的竞争力，这是极紫外(EUV)光刻技术快速应用的主要障碍。为了降低成本，国外有的研发机构利用极紫外(EUV)光源，结合电子束无掩模版的思想，开发成功了极紫外(EUV)无掩模版光刻系统，但还没有商品化，进入生产线。

X射线光刻技术也是20世纪80年代发展非常迅速的、为满足分辨率100 nm以下要求生产的技术之一。主要分支是传统靶极X光、激光诱发等离子X光和同步辐射X光光刻技术。特别是同步辐射X光(主要是O.8 nm)作为光源的X光刻技术，光源具有功率高、亮度高、光斑小、准直性良好，通过光学系统的光束偏振性小、聚焦深度大、穿透能力强；同时可有效消除半阴影效应(Penumbra Effect)等优越性。

2.以Particles为光源的光刻技术

以Particles为光源的光刻技术主要包括粒子束光刻、电子束光刻，特别是电子束光刻技术，在掩模版制造业中发挥了重要作用，目前仍然占有霸主地位，没有被取代的迹象；但电子束

光刻由于它的产能问题，一直没有在半导体生产线上发挥作用，因此，人们一直想把缩小投影式电子束光刻技术推进半导体生产线。特别是在近几年，取得了很大成就，产能已经提高到20片／h(φ200 mm圆片)。

电子束光刻进展和研发较快的是传统电子束光刻、低能电子束光刻、限角度散射投影电子束光刻(SCALPEL)和扫描探针电子束光刻技术(SPL)。传统的电子束光刻已经为人们在掩模版制造业中广泛接受，由于热／冷场发射(FE)比六鹏化镧(LaB6)热游离(TE)发射的亮度能提高100～1000倍之多，因此，热／冷场发射是目前的主流，分辨率覆盖了100～200 nm的范围。但由于传统电子束光刻存在前散射效应、背散射效应和邻近效应等，有时会造成光致抗蚀剂图形失真和电子损伤基底材料等问题，由此产生了低能电子束光刻和扫描探针电子束光刻。低能电子束光刻光源和电子透镜与扫描电子显微镜(SEM)基本一样，将低能电子打入基底材料或者抗蚀剂，以单层或者多层L-B膜(Langmuir-Blodgett Film)为抗蚀剂，分辨率可达到10 nm以下。扫描探针电子束光刻技术(SPL)是利用扫描隧道电子显微镜和原子力显微镜原理，将探针产生的电子束，在基底或者抗蚀剂材料上直接激发或者诱发选择性化学作用，如刻蚀或者淀积进行微细图形加工和制造。另外一种比较有潜力的电子束光刻技术是SCALPEL，由于SCALPEL的原理非常类似于光学光刻技术，使用散射式掩模版(又称鼓膜)和缩小分步扫描投影工作方式，具有分辨率高(纳米级)、聚焦深度长、掩模版制作容易和产能高等优势，很多专家认为SCALPEL是光学光刻技术退出历史舞台后，半导体大生产进入纳米阶段的主流光刻技术，因此，有人称之为后光学光刻技术。

粒子束光刻发展较快的有聚焦粒子束光刻(FIB)和投影粒子束光刻，由于光学光刻的不断进步和不断满足工业生产的需要，使离子束光刻的应用已经有所扩展，如FIB技术目前主要的应用是将FIB与FE-SEM连用，扩展SEM的功能和使得SEM观察方便；另外，通过方便的注射含金属、介电质的气体进入FTB室，聚焦离子分解吸附在晶圆表面的气体，可完

成金属淀积、强化金属刻蚀、介电质淀积和强化介电质刻蚀等作用。投影粒子束光刻的优点很明显，但缺点也很明显，如无背向散射效应和邻近效应，聚焦深度长，大于l0μm，单次照射面积大，故产能高，目前可达φ200 mm硅片60片／h，可控制粒子对抗蚀剂的渗透深度，较容易制造宽高比较大的三维图形等等；但也有很多缺点，如因为空间电荷效应，使得分辨率不好，目前只达到80～65 nm，较厚的掩模版散热差，易受热变形，有些时候还需要添加冷却装置等等。

3．物理接触式光刻技术

通过物理接触方式进行图像转印和图形加工的方法有多年的开发，但和光刻技术相提并论，并纳入光刻领域是产业对光刻技术的要求步入纳米阶段和纳米压印技术取得了技术突破以后。物理接触式光刻主要包括Printing、Molding和Embossing，其核心是纳米级模版的制作，物理接触式光刻技术中，以目前纳米压印技术最为成熟和受人们关注，它的分辨率已经达到了10 nm，而且图形的.均一性完全符合大生产的要求，目前的主要应用领域是MEMS、MOEMS、微应用流体学器件和生物器件，预测也将是未来半导体厂商实现32 nm技术节点生产的主流技术。由于目前实际的半导体规模生产技术还处在使用光学光刻技术苦苦探索和解决65 nm工艺中的一些技术问题，而纳米压印技术近期在一些公司的研究中心工艺上取得的突破以及验证的技术优势，特别是EV Group和MII(Molecular Imprinting Inc)为一些半导体设计和工艺研究中心提供的成套光刻系统(包括涂胶机、纳米压印光刻机和等离子蚀刻系统)取得的满意数据，使得人们觉得似乎真正找到了纳米制造技术的突破口。

4．其它光刻技术

光刻技术常见的技术方案如上所述的紫外光刻、电子束光刻、纳米压印光刻等，以广为业界的人们所熟悉。但近年来，在人们为纳米级光刻技术探索出路的同时，也出现了许多新的技术应用于光刻工艺中，主要有干涉光刻技术(CIL)、激光聚焦中性原子束光刻、立体光刻技术、全息光刻技术和扫描电化学光刻技术等等。其中成像干涉光刻技术(IIL)发展最快，主要是利用通过掩模版光束的空间频率降低，可使透镜系统收集，然后再还原为原来的空间频率，照射衬底材料上的抗蚀剂，传递掩模版图形，可以解决传统光学光刻受限于投影透镜的传递质量和品质，无法收集光束的较高频率部分，使图形失真的问题。其他的光刻技术因为在技术上取得的突破甚微，距离应用相当遥远，此处不再赘述。

5.未来光刻技术的发展

随着电子产业的技术进步和发展，光刻技术及其应用已经远远超出了传统意义上的范畴，如上所述，它几乎包括和覆盖了所有微细图形的传递、微细图形的加工和微细图形的形成过程。因此，未来光刻技术的发展也是多元化的，应用领域的不同会有所不同，但就占有率最大的半导体和微电子产品领域而言，实现其纳米水平产业化的光刻技术将分成两个阶段，即90～32 nm阶段将仍然由深紫外和极紫外光刻结合一些新的技术手段去完成，同时纳米压印和扫描探针光刻技术在45 nm技术节点将会介入进行过渡；32 nm以下的规模生产光刻技术将在纳米压印和扫描探针光刻技术之间选择。另外，FPD产业作为光刻技术应用的另外一个分支，在未来的占有率将会上升，除了已经形成的对光刻技术需求的共识外(大面积、低分辨率和1：1折反射投影式等)，一些新的技术也在开发中，如电子束光刻技术和激光直写光刻技术等。总之，未来光刻技术的发展将会更快，技术上将会更加集中，一些没有市场前景和应用的技术将会淘汰。

参考文献：

1. MicroLithography Secience and Technology_Second Edition_by Bruce M. Smith (2007)2. Resolution Enhancement Techniques in Optical Lithography_by Alfred Kwok-Kit Wong (2001)

3. Optical Imaging in Projection Microlithography_by Alfred Kwok-Kit Wong (2005)

4. Lithography Process Control_by Harry J. Levinson (1999)

5. Principles of Lithography_Third Edition_by Haryy J. Levinson (2010)

6. Field Guide to Optical Lithography_by Chris A. Mack (2006)7. Fundamental Principles of Optical Lithography - The Science of Microfabrication_by Chris A. Mack (2008)

8. Optical Lithography Modelling with MATLAB_by Kevin Berwick (2011)

光刻技术的发展 篇2

【关键词】光刻技术;UV;DUV;EUV

一、引言

光刻技术作为微电子及其相关领域的关键技术，在过去的几十年中发挥着重要作用;但随着人们需求的不断提高而光刻技术的进步又相对滞后的状况成为目前光刻技术的最大问题。因此，正确把握光刻技术发展将显得十分重要。

二、目前主流的光刻技术

目前，电子产业发展的主流趋势是”轻、薄、短、小”，这给光刻技术提出的技术是不断提高其分辨率，即提高可以完成转印图形或者加工图形的最小间距或者宽度，以满足产业发展的需求;但是，光刻工艺在整个工艺过程中的多次性使得光刻技术的稳定性、可靠性和工艺成品率对产品的质量、良率和成本有着重要的影响，这也要求光刻技术在满足技术的同时须提高质量。因此，光刻技术的焦点是可以提供给用户什么样分辨率和产能的设备及工艺技术。而提高分辨率主要通过：（1）增大光学系统数值孔径;（2）减小曝光光源的波长;（3）降低工艺影响系数;来实现。所以目前光刻技术发展主要从以上三点实施提升。

在减小曝光波长及增大光学系统数值孔径的研究和开发中，以光子为基础的光刻技术种类很多，但主要是紫外（UV）光刻技术、深紫外（DUV）光刻技术、极紫外（EUV）光刻技术和X射线（X-ray）光刻技术。不但取得了很大成就，而且是目前产业中使用最多的技术，特别是前两种技术，在半导体工业的进步中，起到了重要作用。紫外光刻技术是以高压和超高压汞（Hg）或者汞-氙（Hg-Xe）弧灯在近紫外（350～450nm）的3条光强很强的光谱（g、h、i线）线，特别是波长为365nm的i线为光源，配合使用：（1）处理掩模板;（2）调整掩模板照明;（3）光瞳滤光修正步前，当前用光瞳滤光设计透镜正处在初步研究阶段，修正掩模板和调整照明技术则在快速发展，并在某些场合的到应用;（4）离轴照明技术（OAI）;（5）移相掩模技术（PSM）;（6）光学接近矫正技术（OPC）等，可满足0.35～0.25μm的生产要求。

目前几乎所有的微电子领域此类设备和技术会占整个光刻技术至少50%的份额;同时，还覆盖了低端和特殊领域对光刻技术的要求。光學系统的结构方面，有全反射式（Catoptrics）投影光学系统、折反射式（Catadioptrics）系统和折射式（Dioptrics）系统等;深紫外技术是以KrF气体在高压受激而产生的等离子体发出的深紫外波长（248nm和193nm）的激光作为光源，配合使用i线系统使用的一些成熟技术和分辨率增强技术（RET）、高折射率图形传递介质（如浸没式光刻使用折射率常数大于1的液体）等，可完全满足O.25～0.18μm和0.18μm～90nm的生产线要求;至于深紫外技术能否满足65～45nm的生产工艺要求。相比之下，由于深紫外（248nm和193nm）激光的波长更短，对光学系统材料的开发和选择、激光器功率的提高等要求更高。

目前材料主要使用的是融石英（Fusedsilica）和氟化钙（GaF2），激光器的功率已经达到了4kW，浸没式光刻使用的液体介质常数已经达到1.644等，使得光刻技术达到100nm以下成为可能。投影成像系统方面，主要有反射式系统（Catoptrics）、折射式系统（Dioptrics）和折反射式系统（Catadioptrics）。折射式系统由于能够大大提高系统的分辨率而起到了非常重要的作用，但由于折射式系统随着分辨率的提高，对光谱的带宽要求越来越窄、透镜中镜片组的数量越来越多和成本越来越高等原因，使得折反射式系统的优点逐渐显示了出来。

同时，45nm技术的工艺已经成功，设备已经开始量产，这使得以氟（F2）（157nm）为光源的光刻技术前景变得十分暗淡，主要原因不是深紫外技术发展的迅速，而是以氟（F2）为光源的光刻技术诸如透镜材料只能使用氟化钙（CaF2）、抗蚀剂开发缓慢、系统结构设计最终没有方向和最后的分辨率只能达到80nm等等因素。极紫外（EUV）光刻技术早期有波长10～100nm和波长1～25nm的软X光两种，两者的主要区别是成像方式，而非波长范围。前者以缩小投影方式为主，后者以接触/接近式为主，目前的研发和开发主要集中在13nm波长的系统上。极紫外系统的分辨率主要瞄准在13～16nm的生产上。光学系统结构上，由于很多物质对13nm波长具有很强的吸收作用，透射式系统达不到要求，开发的系统以多层的铝膜加一层MgF2保护膜的反射镜所构成的反射式系统居多。考虑到技术的延续性和产业发展的成本等因素，极紫外（EUV）光刻技术能够满足未来16nm生产的主要技术。但由于极紫外（EUV）光刻掩模版的成本愈来愈高，产业化生产中由于掩模版的费用增加会导致生产成本的增加，进而会大大降低产品的竞争力，这是极紫外（EUV）光刻技术快速应用的主要障碍。

为了降低成本，国外有的研发机构利用极紫外（EUV）光源，结合电子束无掩模版的思想，开发成功了极紫外（EUV）无掩模版光刻系统，但还没有商品化，进入生产线。X射线光刻技术也发展非常迅速的、为满足分辨率100nm以下要求生产的技术之一。主要分支是传统靶极X光、激光诱发等离子X光和同步辐射X光光刻技术。特别是同步辐射X光（主要是O.8nm）作为光源的X光刻技术，光源具有功率高、亮度高、光斑小、准直性良好，通过光学系统的光束偏振性小、聚焦深度大、穿透能力强;同时可有效消除半阴影效应（PenumbraEffect）等优越性。

以Particles为光源的光刻技术主要包括粒子束光刻、电子束光刻，特别是电子束光刻技术，在掩模版制造业中发挥了重要作用。但电子束光刻由于它的产能问题，一直没有在半导体生产线上发挥作用，因此，人们一直想把缩小投影式电子束光刻技术推进半导体生产线。电子束光刻进展和研发较快的是传统电子束光刻、低能电子束光刻、限角度散射投影电子束光刻（SCALPEL）和扫描探针电子束光刻技术（SPL）。传统的电子束光刻已经为人们在掩模版制造业中广泛接受，由于热/冷场发射（FE）比六鹏化镧（LaB6）热游离（TE）发射的亮度能提高100～1000倍之多，因此，热/冷场发射是目前的主流，分辨率覆盖了100～200nm的范围。但由于传统电子束光刻存在前散射效应、背散射效应和邻近效应等，有时会造成光致抗蚀剂图形失真和电子损伤基底材料等问题，由此产生了低能电子束光刻和扫描探针电子束光刻。低能电子束光刻光源和电子透镜与扫描电子显微镜（SEM）基本一样，将低能电子打入基底材料或者抗蚀剂，以单层或者多层L-B膜（Langmuir-BlodgettFilm）为抗蚀剂，分辨率可达到10nm以下，目前在实验室和科研单位使用较多。扫描探针电子束光刻技术（SPL）是利用扫描隧道电子显微镜和原子力显微镜原理，将探针产生的电子束，在基底或者抗蚀剂材料上直接激发或者诱发选择性化学作用，如刻蚀或者淀积进行微细图形加工和制造。另外一种比较有潜力的电子束光刻技术是SCALPEL，由于SCALPEL的原理非常类似于光学光刻技术，使用散射式掩模版和缩小分步扫描投影工作方式，具有分辨率高（纳米级）、聚焦深度长、掩模版制作容易和产能高等优势，半导体生产进入纳米阶段的主流光刻技术，因此，有人称之为后光刻技术。

通过物理接触方式进行图像转印和图形加工的方法有多年的开发，但和光刻技术相提并论，并纳入光刻领域是产业对光刻技术的要求步入纳米阶段和纳米压印技术取得了技术突破以后。物理接触式光刻主要包括Printing、Molding和Embossing，其核心是纳米级模版的制作。物理接触式光刻技术中，以目前纳米压印技术最为成熟和受人们关注，它的分辨率已经达到了10nm，而且图形的均一性完全符合大生产的要求，目前的主要应用领域是MEMS、MOEMS、微应用流体学器件和生物器件，预测也将是未来半导体厂商实现32nm技术节点生产的主流技术。由于目前实际的半导体规模生产技术还处在使用光学光刻技术探索和解决65nm工艺中的一些技术问题，而纳米压印技术近期在一些公司的研究中心工艺上取得的突破以及验证的技术优势。

其他光刻技术常见的技术方案如上所述的紫外光刻、电子束光刻、纳米压印光刻等。近年来，在人们为纳米级光刻技术探索出路的同时，也出现了许多新的技术应用于光刻工艺中，主要有干涉光刻技术、激光聚焦中性原子束光刻、立体光刻技术、全息光刻技术和扫描电化学光刻技术等。

三、光刻技术的发展

随着电子产业的技术进步和发展，光刻技术及其应用已经远远超出了传统意义上的范畴，如上所述，它几乎包括和覆盖了所有微细图形的传递、微细图形的加工和微细图形的形成过程。因此，未来光刻技术的发展也是多元化的，应用领域的不同会有所不同，但就占有率最大的半导体和微电子产品领域而言，实现其纳米水平产业化的光刻技术除极紫外光刻外，纳米压印光刻和无掩模光刻也将成未来光刻技术。

参考文献

[1]FrenchRH.Dupontphotomask，1999

[2]莫大康.无掩模光刻技术的最新发展.

[3]翁寿松.下一代光刻技术设备.

[4]庄同曾.集成电路制造技术原理与实践[M].北京电子工业出版社.

[5]丁玉成，刘红忠，卢秉恒，李涤成.下一代光刻技术[J].机械工程学报.

光刻技术的现状和发展 篇3

浅谈现代生物制药技术的现状和发展

随着国家的发展以及政府对高科技的大力扶持,我国的生物技术研发项目和生物医药产品都得到了迅速的发展.生物技术药物是目前和未来新药研发的重要领域,其中基因工程药物是生物技术应用的`一个十分重要的领域.生物制药技术将对生物技术药物的创新与发展产生十分重要的影响和作用.

作 者：慕金超 曹可 作者单位：徐州工业职业技术学院,江苏,徐州,221006刊 名：科技创新导报英文刊名：SCIENCE AND TECHNOLOGY INNOVATION HERALD年，卷(期)：“”(31)分类号：X787关键词：生物技术 生物制药 生物药物 现状 发展

光刻技术的现状和发展 篇4

从产生微电子设备开始其对集成电路的要求就比较高，微电子设备的质量也是由集成电路制造的工艺直接决定的。在微电子设备未来的继续发展过程中，要想使其质量和工作能力进一步提升，就要对集成电路的科研工作加大研究力度，从而使集成电路的技术含量得到升[3]。但是，当前可以预知的就是，在未来微电子技术设备会用越来越高的要求管理着制造集成电路过程中的光刻技术，而对于那样高的要求当前的光刻技术是无法满足的，所以在未来很长的一段时间内制约集成电路和微电子设备发展的重要因素就是光刻技术的发展，除非是在高标准的要求下光刻技术被新的集成电路制造技术所取代，但是从当前科研的情况看来，仍然需要一段很长的时间对这种技术进行研究。

2.2 光刻技术发展面临着瓶颈

光刻技术的发展时间已经有半个世纪了，其已经具备基本成熟的技术，当前的理论依据和技术能力已经到达一个瓶颈的状态。如果从光刻技术的发展历程上来说，由于不断更新光刻技术的手段，从而使光刻技术尺寸的完成率也就越来越小，但是能够完成的尺寸不会随着光刻技术的发展无限的小下去。50 nm将是光刻技术完成的.尺寸瓶颈，也可以说当前光刻原理技术所能够完成的极限尺寸就是50 nm，光刻技术很难完成小于50 nm的光刻尺寸，这是根据相关的科研人员和业内人士的观点得知的。或者当光刻技术的光刻尺寸到达50 nm以后，其就不能适应微电子设备的发展，从而使其被一种新兴的技术所取代。但是当前50 nm是人类的光刻技术难以到达的。在未来的几年。70 nm是人类光刻技术到达的极限，要想使50 nm的光刻标准得以实现，光刻技术的发展还要经历一段很长的历程。根据科研人员的描述可以知道，光刻技术要想到达70 nm就有一定的难度了，而且多种高科技的光刻手段都要包括在内，因此未来人类光刻技术发展的大目标就是利用跨越式的光刻积水使其50 nm的瓶颈能够被超越。

2.3 应用在极紫外曝光上的光刻技术

在未来光刻技术发展过程中的重要方向就是应用极紫外曝光光刻技术。人类源于稀有金属的一种新发现就是极紫外曝光光刻技术[4]。当前并没有成熟的技术去研究极紫外曝光光刻技术，但是逐渐体现出其在光刻技术中的超能力，因此相关的科研工作者对其非常重视。研究人员表示，在未来光刻技术对于50 nm瓶颈突破的关键以及使其具有很大的发展空间的就是极紫外曝光13 nm的应用。当前通过对其一系列的研究可以看出，在未来具有极大发展潜力的就是极紫外曝光光刻技术，其具有广泛的应用范围，甚至使微电子设备电路板的宽度能够缩小到0.05 μm，如果这一技术能够成熟，那么其将是一项历史性以及突破性的技术，对未来微电子设备的发展具有巨大的推动作用。当前光刻技术发展的状态主要是在一种极限的情况下，因此未砦⒌缱由璞缚蒲泄ぷ髡叩闹饕研究方向就是对极紫外曝光光刻技术的研究。

2.4 在X射线曝光技术上的发展

光的波长低于五纳米就是X射线，X射线的分辨率和精确度普遍高于其他的光线，其主要原因是X射线具有相对较短的波长。从1972年开始科研人员就十分重视这项技术，因此对于这方面的研究科技人员也一直没有放弃过。但是由于X射线的反射没有合适的材料，从而在光刻技术中无法正常发挥X射线相应的作用，只有在印刷术中广泛应用，另一方面，X射线具有非常短的波长，因此可以在一定程度上将其忽略，从而使这项技术复制出来的图形与模板的相似度几乎一应，因此，在未来光刻技术发展的过程中，要找到适合X射线反射适合的材料，在光刻技术中充分利用其极高的分辨率，从而使光刻技术进一步发展。

3 结语

综上所述，光刻技术和微电子设备发展的黄金时间就是21世纪，随着相关科研工作者的不断努力，在未来某个时间点一定会诞生具有更高科技含量的光刻技术，从而使当前光刻技术的瓶颈得以突破，进而使光刻技术进入一个全新发展的阶段。另外，在未来一段时间内光刻技术和微电子设备之间的相互依赖关系会保持着，而微电子设备的发展仍然受到光刻技术的进步的影响。

参考文献

[1]任杰.光刻技术在微电子设备上的应用及展望[J].电子技术与软件工程，(4)：126.

[2]郭龙.光刻技术在微电子设备上的应用及展望[J].中国新通信，，14(24)：34.

[3]刘加峰，胡存刚，宗仁鹤.光刻技术在微电子设备的应用及发展[J].光电子技术与信息，，17(1)：24-27.

光刻技术的现状和发展 篇5

根据目前热泵技术的暖通空调英语论文应用现状和发展水平，通过对相关文献的综合分析和研究，我们认为实现资源与环境可持续发展的热泵关键技术应重点解决以下几个方面的问题。关键字： 热泵 可持续发展

根据目前热泵技术的应用现状和发展水平，通过对相关文献的综合分析和研究，我们认为实现资源与环境可持续发展的热泵关键技术应重点解决以下几个方面的问题： 1)高效可靠长寿命低成本的热泵机组关键设备的研究和开发、可靠节能的容量调节和运行控制方式的研究，进一步提高热泵在节能效果方面所具有的潜力和优势。如在小型热泵机组中，目前性能优良的螺杆式压缩机和涡旋式压缩机正在取代往复式压缩机，提高了热泵压缩机的绝热效率。换热设备开发和传热特性的研究，同样对提高热泵机组性能、降低热泵机组成本起着重要的作用。目前，除继续进行强化传热研究，需要开展的一个重要课题就是针对不同工质和热泵的不同运行参数，深入研究制冷工质在板式换热器内的流动和传热特性机理。随着热泵的应用范围的不断扩大，大中型热泵机组的开发已经成为当前热泵应用研究领域里的一个亟需解决的问题。2)开展多种热源形式的热泵系统理论与应用研究，当前重点应开展地埋管换热器地源热泵的理论研究。空气源热泵已在空调领域得到了较广泛得应用，但由于其性能受到室外气象条件季节性温度变化规律的制约，制冷量和制热量难以和建筑物的冷热负荷相适应，以及冬季室外换热器结霜等问题，使其应用的领域和范围受到很大程度上的限制。江河湖海的地表水，无疑也是可供选择的热泵热源方式，但其应用同样受到水源条件和气象条件的限制