关断时间

关断时间（精选4篇）

关断时间 篇1

0 引言

电磁探测方法是浅部环境与工程勘探的重要手段, 目前已被广泛用于各种水文地质问题。电磁方法分为两大类:频率域电磁方法 (如MT) 和时间域电磁方法 (如TEM) 。但无论是频率域电磁方法还是时间域电磁方法, 近地表地质体探测一直是一个难题。对于频率域电磁方法来说, 地下2m~100m左右的深度是一个弱视区 (或半盲区) 。对于时间域电磁方法来说, 探测深度是由观测时间的早晚决定的, 目前绝大多数瞬变电磁法仪器记录的都是晚期信号, 又或者在数据处理时仅采用了晚期的信号。这两种情况就导致了:第一, 它损失了TEM探测方法的早期信号, 即其探测浅部结构的能力;第二, 它降低了TEM探测方法的分辨能力, 因为关断效应将使瞬变响应发生畸变, 并随观测时间的增加其影响逐渐减弱[1,2]。因此, 大部分情况下地表到地表以下20m左右是瞬变电磁法探测的半盲区。

瞬变电磁法发射机的输出信号, 其关断下降沿可能是线性, 也可能是非线性函数。直接用关断下降沿进行解释是很困难的, 实际中都是用理想的阶跃函数近似解释, 结果会与实际情况有很大差异[3]。对于同一模型, 关断时间越大, 早期的感应电动势幅值越接近负阶跃脉冲的模拟结果[4]。对于不同类型的关断电流, 半正弦对瞬变场的影响大于线性关断电流[2]。目前, 关于关断效应校正数据处理的方法很多, 常规的方法有坐标移动法、解析法、数值计算法等, 有些校正方法效果虽然比较好, 但也有其严格的应用条件[5]。研究发射机关断时间大小的影响因素, 在保证信号质量的前提下, 在物理上减小关断效应的措施是必要的。本文以Terra TEM发射机为例, 对重叠小回线装置条件下的关断时间的影响因素进行讨论。

1 实验过程

实验采用的是澳大利亚生产的Teera TEM-3型瞬变电磁仪, 该仪器能较为详细地记录发射和接收线圈的参数, 如接收线圈总电阻、关断时间、发射电流、加载电压、仪器内外温度等, 还可进行中心回线、重叠回线、分离回线等多种装置形式的野外数据采集工作。其稳定工作的最小外接电压是23.2V, 最大允许的发射电流为10A, 故小回线的发射线圈电阻不能太小。

野外实验选择的是四周比较开阔、远离人类活动及工业电线的场地。首先以半径为7.1m的圆形线圈装置, 发射与接收线圈各6匝, 半小时测量一次, 连续测量13小时, 以观测关断时间随外界环境变化的规律。然后, 做了不同的叠加次数和采样时间序列的类型对关断时间影响的实验。最后, 分别改变线圈形状和匝数采集数据, 以研究不同线圈参数对关断时间的影响。每次实验都在同一点上做, 以保证数据的稳定性。

2 分析研究

2.1 同点同参数观测的关断时间变化

图一给出了接收和发射线圈都为6匝, 半径为7.1m的圆形重叠回线, 叠加次数为256次。从早上7点开始, 在同一点上, 每半小时测量一次, 共计测量了26组数据。除个别干扰点外, 实验结果的趋势大致相同。所有仪器记录的参数中, 发射线圈电阻变化规律与其关断时间变化有较明显的关系。从图一可以看出, 发射线圈电阻的变化范围是4.1Ω~4.5Ω, 这可能是受到环境温度、湿度等的影响。而关断时间的变化范围为247μs~277μs。关断时间和发射线圈电阻的变化近似成反比例关系。这表明在装置及发射机参数不变的情况下, 发射机关断时间大小与发射线圈的电阻变化是有关系的。

2.2 不同发射机参数对关断时间的影响

2.2.1 叠加次数的影响

图二给出了接收线圈为7匝, 发射线圈为5匝, 单匝接收/发射线圈面积为50m2的重叠回线, 改变叠加次数所采集到的关断时间数据。图二表明, 叠加次数从2次增加到10000次的过程中, 叠加次数增加5000倍, 而关断时间的变化几乎在10μs范围内, 由此可推断相同回线装置和参数的条件下, 仅改变叠加时间对关断时间影响很小。

2.2.2 不同时间序列的影响

改变仪器内部预设的不同时间序列类型, 其他参数保持不变, 在同一点采集数据, 每种时间序列都采集5次数据, 表一给出了所测量数据的关断时间的平均值。

表一是不同类型的长时序列、中间时间序列、高密度时序列以及不同采集时长的关断时间变化。表一说明时间序列的类型变化, 关断时间的值是基本相同的, 即不同时间序列的选择不会对关断时间造成明显的改变。也就是说, 关断时间的大小是不受数据采集时的时间序列类型的控制。

2.3 不同线圈形状和匝数对关断时间的影响

表二给出了重叠回线装置的发射线圈匝数不同和线圈匝数相同但形状不同测量的关断时间及相关数据。发射线圈匝数不同, 同一小回线和重叠回线的关断时间的变化规律是大致相同的[1]。从表二可知, 关断时间会随装置的发射线圈匝数增加而增大;在匝数不变的情况下, 不同形状线圈的发射磁矩相差很大, 但其关断时间改变幅度较小。对发射线圈的匝数与其关断时间进行线性拟合, 发现两者具有良好线性关系;而线圈的发射磁矩的改变与关断时间的变化没有明显的线性关系。

3 结束语

(1) 同一规格电缆绕制的线圈在环境条件发生变化时, 电阻会在小范围内发生变动, 使关断时间发生明显变化。即在发射线圈及发射机装置参数不变的情况下, 其电阻越小, 关断时间越大。

(2) 采集数据时, 发射机中叠加次数和时间序列参数的选择, 对关断时间基本没有影响。

(3) 影响关断时间的主要因素是发射线圈的匝数。在线圈单匝长度和匝数不变的情况下, 关断时间会随发射磁矩增大而增加, 但是增加幅度较小。线圈匝数变化, 即使发射磁矩大幅减小, 关断时间与线圈匝数呈线性增加。

摘要：本文对多匝重叠小回线装置不同的线圈参数和发射机参数进行了同点关断时间的实验, 对比分析了同点同参数的关断时间随时间的变化规律、发射机数据采集时参数设置对关断时间的影响, 以及不同线圈匝数和发射磁矩对关断时间的影响。结果表明, 同一装置及参数的关断时间受线圈电阻影响较大;发射机叠加次数的设置和时间序列的选择对关断时间基本无影响;线圈匝数与其关断时间呈正比线性关系;线圈的发射磁矩与其关断时间在线圈匝数不变的情况下呈正比线性关系。

关键词：瞬变电磁法,关断时间,重叠小回线,发射磁矩,时间序列,叠加次数

参考文献

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[2]杨海燕, 岳建华.瞬变电磁法中关断电流的响应计算与校正方法研究[J].地球物理学进展, 2008, 23 (06) :1947-1952.

[3]于生宝, 王忠, 嵇艳鞠, 等.瞬变电磁法浅层探测技术[J].电波科学学报, 2006, 21 (02) :284-287.

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[5]蒋邦远.实用近区磁源瞬变电磁法勘探[M].北京:地质出版社, 1998.

[6]张淑婷, 张华, 杨海燕, 等.瞬变电磁法多匝小回线装置实验对比[J].物探与化探, 2013, 37 (05) :843-847.

智能复合开关的可靠关断研究 篇2

智能复合开关以它优越的性能在无功补偿电容投切装置中得到广泛的应用, 它的投切是通过可控硅无触点开关实现的, 但在实际的应用中还存在一个可靠关断的问题。在触发信号控制电路中, 为了把小功率的控制电路与大功率的负载电路隔离, 经常采用高频脉冲变压器将控制脉冲信号耦合到可控硅的控制极中。但在实际使用过程中, 常有双向可控硅关断不可靠的问题, 使可控硅处于失控状态[1]。本文就此提出一种可靠关断方法。

2 智能复合开关

(1) 基本思想[2]。智能复合开关是将双向可控硅和接触器并联起来联合使用, 利用双向可控硅的易控和无触点特性, 使双向可控硅工作在电容器投切的暂态过程中, 起到抑制涌流、过压和分断电弧现象的作用, 并能实现快速投切。利用接触器在可靠闭合时, 其主触点接触电阻小、导通容量大、压降小、功耗小、工作安全可靠等特性, 使其工作在电容器投入后和切除前的稳态过程中。

(2) 工作过程[3]。当复合开关接收到投入命令时, 等待电压过零触发双向可控硅导通, 而接触器在接到投入命令后, 要延时一段时间, 保证双向可控硅可靠导通后, 才能闭合交流接触器。当复合开关接收到切断命令后, 首先向双向可控硅发送触发脉冲信号, 触发双向可控硅导通, 再将接触器断开, 接触器断开后再停止向双向可控硅发送触发脉冲, 电流过零时双向可控硅自然关断。在正常的运行状态下, 接触器在闭合和断开的暂态过程, 电子开关双向可控硅都是处于可靠导通的状态。因此, 接触器的主触点上基本不会产生电弧, 从而使接触器的使用寿命得到了很大的提高, 同时消除了电路的电弧干扰, 使整个系统更加安全可靠。

3 问题的提出

常用的双向可控硅触发电路如图1所示, 触发脉冲信号通过高频脉冲变压器送到可控硅的控制极, 实现对双向可控硅的触发导通。但经过深入研究发现这电路存在两个问题:

一是由于变压器固有的储能属性, 如在切出触发脉冲时电压相角很大, 使在负载电流过零时控制信号两端电压不能下降到双向可控硅的触发电压以下, 从而导致双向可控硅继续导通, 造成双向可控硅关断失败。如果负载是电容, 这只是导致关断不准确而已, 不会对电路造成危害, 因为负载是电容性的, 电流过零时, 电容两端电压和电源两端电压都为最大值, 由于电容电压不具突变性, 可控硅在过零关断又导通的过程中, 回路各元件电压都没有突变, 所以不会有浪涌电流, 不会对回路元件带来危害。如果负载是感性的, 那情况就不同了, 可控硅电流过零关断时, 由于电感没有电流, 没有储能, 电压也为零, 但由于关断前回路的电流和电压的相位相差九十度, 此时电源电压为最大值, 因此如果此时可控硅又导通, 电感两端电压瞬间接到电源的最大电压, 这就会给回路带来浪涌电流, 对回路的元件有严重危害, 且还会把涌流引入电网中, 因此这是必须采取保护措施, 以避免这种情况的发生。

二是如果电网中传来一个较大的干扰电流且电流流向如图2所示, 干扰电流i1进入触发回路后分成i2和i3, i2经过变压器的电感线圈后到达可控硅的控制极, 因此G点的电压相对于T2为负, 是一对易触发可控硅的组合。流过门极G的电流和G与T2的压差较容易都大于门极可触发电流和门极可触发电压, 可控硅可能会在失控状态下导通。如果此时电源电压较大, 电容两端瞬间接上较大电压就会引起浪涌电流, 可能会烧毁可控硅和电容, 使器件寿命严重缩短, 并会给电网引入浪涌电流, 影响电网供电质量。

4 解决方法

为了避免以上两种意外导通的情况发生, 必须要对电路采取保护措施。通过对电路的深入研究, 找出了一个解决办法:在可控硅的门极G与T2之间并上一个可变负载, 如图3所示, 此负载在正常触发可控硅导通状态时, 其阻抗值较大, 不影响可控硅的正常导通;在可控硅处于关断状态时, 其阻抗值较小, 使门极G与T2之间的电压迅速降低至门极可触发电压以下, 保证可控硅能可靠地关断, 避免可控硅处于失控状态, 从而保证了控制的有效性和可靠性。

5 实例说明

考虑到成本和实用的问题, 这个可变负载用一个小电感即可。如图4所示, 由于触发控制脉冲是高频信号, 当向门极发送触发信号时, 由于触发脉冲的频率很大, 因此小电感的感抗较大, 两端电压大于可控硅门极可触发电压, 使可控硅能顺利导通, 切出高频触发脉冲后, 变压器储能的释放过程时间较短, 小电感的储能也小, 因此它两端电压会迅速下降到可控硅门极可触发电压以下。变压器和小电感还形成一个释放电流的回路, 流过可控硅的电流也减小了很多, 所以双向可控硅能顺利可靠关断。如果是外部干扰电流进入触发回路, 由于干扰电流频率较低, 即使有较大的干扰电流进入触发回路, 小电感两端的感应电势还是很难达到可控硅门极可触发电压, 因此双向可控硅不会失控导通。

6 小结

本文提出的方法实用又经济, 只需加上一个小电感就可以解决以前关断不可靠的问题, 保护了补偿回路器件的安全可靠运行, 避免了浪涌电流给电网带来的污柒。

摘要：智能复合开关在无功补偿电容投切装置中得到广泛的应用, 而智能复合开关的关键技术是在导通和关断的暂态过程实现对可控硅的可靠控制。而在实际的应用过程中, 常出现关断不可靠的问题, 文章就此提出一种可靠的关断方法。

关键词：可控硅,复合开关,导通,关断

参考文献

[1]高艳霞.用于低压电力电容器控制的复合开关易损原因分析[J].赛尔电气应用, 2008, 72.

[2]任艳杰, 赵玉林.低压无功补偿电容投切开关的研究[J].东北农业大学学报, 2008, 39 (4) :39-42.

关断时间 篇3

IGBT模块的特性主要包括:静态特性、开关特性、电容特性、安全操作区 (FBSOA、RBSOA、SCSOA) 、内置二极管 (FWD) 特性。通常对IGBT认识主要通过阅读相应的datasheet, 但数据手册中所描述的参数是基于一些已经给定的外部参数测试得来的, 与SVG中所用参数不完全相合, 因此这些参数不能直接使用。

描述IGBT的开关的行为的参数主要包括ton、toff、trr、Eon、Eoff、Err、ISC, 要观测这些参数, 最有效的方法就是双脉冲试验。

1 双脉冲试验原理

双脉冲测试电路原理如图1所示。该电路主要完成下桥的IGBT及上桥的FWD (内置二极管) 的关断和开通特性测试, 上桥的IGBT门极加负压, 使IGBT可靠关断, 仅仅使其反并联二极管起作用, Ls为线路杂散电感, L为自行绕制的空心电感。

用差分探头测试VCE电压和直流电压, 用罗氏线圈电流探头测试流经IGBT电流IC, VGE利用低压探头测量。

2 试验步骤

(1) 将测试设备按照图1接线, IGBT门极所加负压可用一节干电池实现, 简单易行。

(2) 驱动板与双脉冲发生器间连线要确保正确可靠。

(3) 示波器探头与测试点间可靠连接, 同时将示波器做好隔离, 并将测试通道量程打至合适值。

(4) 完成双脉冲波形测试, 记录相应波形和数据。

3 试验注意事项

开通过程测试需要关注:

(1) 二极管的反向恢复电流的di/dt。

(2) 二极管的反向恢复电流的峰值。

(3) 反向恢复后电流是否有震荡, 拖尾有多长。

(4) VCE电压是否正确变化;

(5) 测算出损耗 (依赖示波器功能) 。

测试二极管的反向恢复过程中需要注意的事项:

(1) 当结温越低, 二极管的速度越快, 反向恢复电流后沿也越陡, 产生的电压尖峰也越高, 情况越恶劣。

(2) 二极管关断大约10%的额定电流时, 功率会出现最高峰, 关断1倍额定电流时, 功率次之, 关断2倍额定电流时, 功率再次之;即电流越小, 情况越恶劣。

(3) 母线电压越高, 情况越恶劣。第一次发出脉冲后, 应初步核对VGE、VCE及IC波形。

4 双脉冲试验数据及分析

双脉冲试验数据如表1所示, 可以看出, 方案3关断过电压明显优于方案1和方案2。叠排的杂散电感会影响IGBT的关断过电压, 而叠排的杂散电感取决于叠排的形状、材质等, 因此, 在材质相同的条件下, 优化叠排设计, 对IGBT的稳定运行会起到重大的作用。

摘要：介绍SVG模块交流叠排形状对IGBT关断过电压的影响。

关断时间 篇4

GTO晶闸管是在普通晶闸管问世不久就出现的一种派生器件,它属于全控型器件,具有良好的自关断能力,无需辅助换流电路,并且有很高的开关速度。在电力机车车辆变流器及其他大功率的电力电子领域有很好的发展前景。但GTO的开通和关断是靠门极控制,驱动功率要求比普通的晶闸管要高。所以对GTO的门极驱动和保护提出了非常高的要求。

2 GTO门极驱动电路的特点和要求

GTO的门极电路及理想的驱动电流波形如图1所示,它由开通GTO的门极开通电路、关断GTO的门极关断电路和必要的反偏电路组成。

2.1 门极开通电路的基本要求[1]

(1)脉冲的前沿陡度和幅度高、宽度大。脉冲前沿对结电容充电,前沿陡,充电快,正向电流迅速建立,有利于GTO晶闸管的快速导通。

(2)门极正脉冲幅值高可以实现强触发,一般该值比额定直流触发电流大3～10倍。若快速开通GTO也可以将该值取大些。强触发可以缩短开通时间、减小开通损耗、降低管压降。

(3)触发电流的宽度用来保证阳极电流的可靠建立,后沿应尽量缓一些,以免引起GTO晶闸管阳极电流产生震荡。

2.2 门极关断电路的基本要求

(1)脉冲前沿较陡、宽度足够、幅值较高、后沿平缓。脉冲前沿陡可以缩短关断时间,减小关断损耗,但前沿也不能过陡。

(2)门极关断脉冲必须有足够的宽度,既要保证下降时间内能抽出载流子,又要保证剩余的载流子复合需要有一定的时间。

(3)关断电流的幅值一般取(1/3～1/5)IATO(关断主电流),由关断增益的大小决定。

2.3 反偏电路的基本要求

GTO关断以后仍然可以加一门极反向电压,其持续时间可以是几十微秒或是整个阻断状态时间。门极反偏电压越高,可关断阳极电流越大。反偏电压越高,阳极du/dt耐量越大。

3 直接门极驱动电路

GTO门极的驱动方法有很多种,可以使用低漏感的脉冲变压器来提供电流脉冲导通前沿,同时也可以和主电路高压隔离。这里提出一种GTO直接驱动电路。如图2所示,驱动电路的输出没有经过脉冲变压器直接同GTO相连。驱动分为三部分,包括逻辑控制电路、驱动电路及GTO驱动主回路。

3.1 GTO驱动主回路

(1)主回路构成。

驱动主回路是由功率MOSFET及IGBT构成。图2显示了基本电路,R1、R2、R3、R4、R5、R6、C1、C2、Q1、Q2用于GTO开通,而R7、R8、R9、R10、C3、Q3、Q4用于GTO关断。

在GTO的开通阶段,对给定的供电电压来说R1、C1、R4、C2、MOSFET的通态电阻、GTO的门极电阻、杂散电感(考虑门极电流脉冲的速度,这种情况下电感值不能忽略)决定了GTO门极电流脉冲的幅值与持续时间。导通前沿之后的输出电流值主要由R1、R4决定。MOSFET的通态电阻与GTO的门极电阻同R1、R4之和相比非常小,因此在起始脉冲之后对电流值有很小的影响。在脉冲持续阶段MOSFET Q1关断后,Q2继续导通为GTO提供一个稳定的电流常数。

GTO器件关断的起始部分同开通的起始部分非常相似。一个短暂的大电流负脉冲由C3、Q3、Q4组成的关断部分电路产生,这个电流迅速抽取GTO门极的存储电荷。这个电流的幅值比导通时的电流幅值大得多并且依赖门极当时需要关断的电流值。而为了维持器件低的通态电阻,必须有一定量的电流流过门极,所以在门极存储电荷被初始电流脉冲抽取以后,还要维持几伏的反向电压。在初始脉冲结束后关断过程仍在继续。虽然在负电流脉冲后元件立即恢复它的反向阻断能力,但是正向阻断能力却恢复的很慢。在初始的反向电流之后反向恢复时间持续数微秒。

门极电流上升时间和幅度是由电路中的漏感所决定的。为了获得快速的门极电流脉冲就要尽量减小电路的漏感。为了减小漏感在印刷线路板中要使用低感元件,缩短元件间的连线,加宽印刷线路板的线宽,门极驱动部分同GTO之间的连线尽量缩短。

为了不影响电流的上升幅值,MOSFET需要低的通态电阻值,而R1、R4的电阻值对初始脉冲来说只有几个欧姆。开通部分选用了国际半导体整流公司的功率MOSFET IRF540,它的漏源通态电阻只有0.04 Ω,漏极电流是23 A。而关断部分选用了国际半导体整流公司的IGBT IRG4PC60F,它的集电极-发射极的通态压降1.5 V,集电极电流是60 A。反偏部分选用了国际半导体整流公司的功率MOSFET RF9540,它的漏源通态电阻只有0.117 Ω,漏极电流是-23 A。

(2)工作原理。

在GTO关断状态下Q3导通,Q3给门极提供15 V反向压。在输入触发信号前沿Q3关断,而Q1导通。在固定时间的强触发结束后Q2导通Q1关断,维持剩余的GTO开通部分。脉冲宽度由触发信号控制。

当触发开通信号结束,关断过程开始。Q2关断而Q3、Q4导通。关断部分开始抽取GTO门极电荷。Q3的导通是为了获得足够的持续时间从GTO门极抽取存储电荷。此时门极电压开始变负并持续为负。正如前面曾经提到的,在门极电压变负以后,GTO的正向电压阻断能力的恢复时间是数个微秒,因此Q3要维持负的门极偏压直到下一个触发信号的到来。

3.2 逻辑电路

逻辑电路使用的是CMOS集成电路,这样可以提高在MOSFET、IGBT和GTO开关过程中的抗噪声能力。逻辑电路由故障监控电路及输入触发信号的逻辑电路两大部分构成。这部分除了要对GTO门极驱动单元出现的各种故障作出及时响应,还要对输入的触发信号进行整形、逻辑判断及输出符合GTO门极驱动主回路主功率管要求的脉冲触发信号。

(1)故障监控电路。

此电路包括了+15 V、-15 V、+5 V三路电源的监控电路,如图3所示。此处使用了简单的单运放结构实现了对GTO门极供电电源的检测。如果其中任意一路电源低于要求的供电电源,则切断各主功率管的触发信号。

(2)输入触发信号的整形、判断。

触发信号可以直接输入控制器或是由光纤传输给控制器。如果使用光纤,可以提高高低压控制间的绝缘能力。此处使用了光电耦合对输入信号进行隔离。

由于外部输入触发信号所要求的GTO的开通时间及关断时间有可能会小于GTO的最小开通或关断时间,所以我们必须在电路中设计一定的保护措施,此处我们使用了双单稳态触发器分别同开通脉冲时间和关断脉冲时间做比较,从而将GTO的开通时间和关断时间保证在可靠工作范围内[2]。输入触发信号的整形、判断电路如图4所示。

3.3 驱动电路

这里使用了基本三极管分别驱动开通部分、关断部分和反偏部分的MOSFET,而使用IR2110同时来驱动并联的几只IGBT,即Q4来产生关断部分的电流。IR2110是国际半导体整流公司的一种高压、高速双通道IGBT驱动芯片。

4 结 论

本文提出了一种新型的直接门极驱动电路。它有以下几个优点。它结构简单,有低的电感值,因此可以为GTO提供快速的门极脉冲。如果GTO需要持续长时间导通,它可以提供长时间的固定门极电流。由于GTO在某些大功率场合要替换晶闸管,所以经常要串联使用。直接门极驱动可以设计成为开通和关断时间独立可调,以便来弥补GTO开关速度的差异。由于每个GTO门极驱动完全独立,所以一定数量的GTO就可以串联使用来适应高压需要。

直接门极驱动的缺点是在串联使用时如果一只驱动给它的GTO发送开通门极信号失败,当其他的GTO导通后将会由于过压而导致这只GTO损坏,很可能出现多米诺效应从而导致所有的GTO损坏;同样如果一只驱动发送关断信号失败,其他的GTO由于反向过压也有可能损坏。要提高GTO在使用中的可靠性,当决定在串联中使用的GTO的数量之后必须考虑使用的GTO要给予一定的电压裕量,必须为所有的门极驱动设计互锁装置。如果检测到一只驱动出现故障必须停止输出所有驱动的触发信号。

摘要：可关断晶闸管(GTO)要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度,且一般需要在整个导通期间施加正门极电流,关断需施加负门极电流,幅值和陡度要求更高。主要结合GTO门极驱动的要求,提出一种新型的直接门极驱动电路,这种新型门极驱动电路结构简单,电感值低,因此可以为GTO提供快速的门极脉冲。每个GTO门极驱动完全独立,一定数量的GTO就可以串联使用来适应高压需要。

关键词：GTO,直接门极驱动,晶闸管

参考文献

[1]中国电工技术学会电力电子学会,王兆安,张明勋.电力电子设备设计和应用手册[M].北京:机械工业出版社,2002.