超热电子（共7篇）
超热电子 篇1
0 引言
随着微电子器件向小型化、高集成度的方向发展,其工作过程中的散热问题成为新的难题。而热电器件具有结构简单、可靠性好、无污染、无噪声以及可与微电子器件集成等优点,逐渐成为进行热调控的选择之一[[2]。合理利用热电材料及其器件,既解决了热点问题,提高了器件的可靠性,又充分利用了资源,避免浪费和污染。
热电材料是一种利用固体内部载流子流动,实现热能和电能相互转化的功能材料,可以将多余的热量转换为电能,也可以利用温差电效应制冷。其工作机理主要涉及到赛贝克效应、帕尔贴效应和汤姆逊效应[3]。赛贝克效应是指两种不同材料组成的回路,且两端接触温度不同时,则在回路中存在电动势。帕尔贴效应是指当两种不同金属组成一回路并有电流在回路中通过时,将使两种金属接触的一端放热,另一端吸热[4]。衡量热电材料性能的主要参数是热电优值ZT=S2σ/κ,其中S是赛贝克系数,σ是电导率,κ是热导率。热导率分为晶格热导率和电子热导率两部分,其中晶格热导率占90%。由该公式可以看出,要提高热电优值,需要选择赛贝克系数绝对值大的材料,同时也需要提高材料的电导率,降低热导率。实验及其理论已证明半导体材料的赛贝克系数大于金属材料,因此各种半导体热电材料已被广泛研究。与热电优值ZT主要相关的3个参数S、σ、κ都是自由电子(空穴)密度的函数,S随载流子数量的增大而呈抛物线变化,但电导率和热导率随载流子数量增大而增大[5]。
目前提高热电性能的方法主要有:(1)低维化[6]。即降低材料的维度,制备量子阱超晶格、纳米线以及纳米点材料等,例如Boukai和Hochbaum报道50nm的粗糙硅纳米线在室温下ZT约为0.6,并且在更低温度下ZT约为1;而在室温下体硅的热电优值非常低,只能达到0.01数量级[7]。重掺杂的Si纳米线的ZT值能达到0.6,这几乎比体硅的热电优值高2个数量级[8]。(2)掺杂[9]。通过掺杂修饰材料的能带结构使材料的带隙和费米能级附近的状态密度增大。如果Pb0.953Eu0.017Te/PbTe超晶格的热导率采用PbTe体材料的热导率(κ=2 W/(m·K)),在300K下该结构的ZT值可大于1.2。而纯的PbTe体材料的ZT值仅为0.8[10]。(3)势垒高度梯度化。通过势垒高度梯度化扩大热电材料的使用温区,例如(Bi0.15Sb0.85)2Te3和PbTe中掺杂金属Fe、Mg和Ni作为势垒,测试出的热电性能要比原始材料提高2倍以上[11]。可以看出,当前的研究热点多集中在通过材料结构的纳米化、各种方式的掺杂、材料的人工裁剪(如制备成量子阱、超晶格薄膜等)来提高热电优值[12]。
锑化物二类超晶格是一种与传统超晶格不同的低维结构,其禁带呈错开状,目前多应用于红外探测领域[1[14]。但由于其独特的物理机制,也可以带来热电性能新的变化,因此近几年逐渐引起了人们的注意。本文主要描述了锑化物二类超晶格的能带结构及相对于传统超晶格的不同之处,详细介绍了国内外对该类超晶格在热电性能方面的研究现状,以及锑化物超晶格的制备工艺和测试方法。
1 锑化物超晶格材料热电机理及研究现状
1.1 超晶格材料简介
超晶格是一种新颖的人工裁剪半导体结构,它是由两种极薄的不同材料的半导体单晶薄膜周期性交替生长而成的多层异质结构[15]。如图1(a)所示,A和B分别代表不同的半导体薄膜材料,两种材料交替生长从而形成超晶格结构,每层薄膜一般包括几个至几十个原子层。图1(b)为典型超晶格GaAs/AlGaAs结构的能带示意图,其中形成了量子势垒和势阱。由于这种特殊的结构,半导体超晶格中的电子(或空穴)能量将会出现新的量子化现象,产生新的物理性质。超晶格结构的热电材料区别于块体材料的两个重要特性是,存在大量界面和量子限制效应[16]。界面会导致声子的散射,从而大幅度降低热导率。这与体材料有很大区别,在体材料中主要散射机制有杂质散射、晶界散射和声子间的倒逆散射[17]。在低维材料中,材料结构特征尺寸降低,并且单位体积的表面积显著增加,使得界面散射成为影响热导率的主要因素。界面散射直接导致声子平均自由程减小,从而降低热导率。超晶格的热导率比同种成分的块状结构的热导率低很多,甚至比相同组分合金的热导率还要低。为了解释这些发现,发展了超晶格热导率基于微隙散射、玻尔兹曼传输方程和声子群速度减弱的模型,这些模型表明通过设计声子来控制超晶格结构的热导率是可行的[18]]。另外,通过调制掺杂,在势垒层掺杂施主杂质,电子由势垒层的导带进入阱层的导带,而电离施主留在势垒层中,则阱中的电子就不会受到电离施主的散射,从而提高了载流子的迁移率[20]。因此,这既可以降低热导率,又可以提高电导率,使热电优值大幅度提高。通过计算表明,三维超晶格纳米结构Bi2Te3的热电性能优于二维薄膜,并预测其ZT峰值可达6[21]。
近年来,多种超晶格材料被广泛研究,包括GaAs/AlGaAs、Si/Ge和Bi2Te3/Sb2Te3等[22]。图2中总结了超晶格结构和体材料热导率的差异。可以看出,超晶格材料比体材料的热导率低2个或更多的数量级,使它的ZT相对于体材料有很大提高。热导率的大幅度降低是由于界面声子散射造成的,界面声子散射涉及到比热、群速度和相邻层密度的失配。空间内能带折叠提高了声子背散射的概率,因而使晶格的热导率大幅度下降。张力引起的缺陷导致晶格失配也会造成热导率下降[23]。对于短周期InGaAs/InGaAsP超晶格,其热导率随周期长度增加而降低;但对于长周期的该类超晶格,热导率随周期长度增加而升高,因此在短周期长度内热导率可得到最小值,这为设计超晶格结构提供了重要参考[2[24]]。
锑化物二类超晶格是一种与传统超晶格不同的低维结构,具有独特的物理性质,近几年引起了人们的注意。除了红外探测领域的应用外,其热电特性也开始被逐渐研究。从图2中可以看出,其热导率可低到1 W/(m·K)。研究锑化物二类超晶格的意义在于其适用于300K以下的低温环境中。从目前的研究看,超晶格温差制冷机可以选择GaAs/AlAs、InP/InGaAs、Si/SiGe等可与IC工艺兼容的材料制造。通过IC工艺与发热器件集成在一起,超晶格类热电器件的制冷功率可达到1000 W/cm2,热电转换效率高于体态热电制冷器。2001年Venkatasubramanian等报道了以Bi2Te3/Sb2Te3超晶格为热电材料的制冷器效率已达到25%[25]。但从材料性能上,Bi2Te3/Sb2Te3体系超晶格热电器件主要应用于室温。研究表明,PbTe/PbTeSe体系超晶格热电器件可以用于中温或高温环境,Si/Ge超晶格热电器件主要应用于高温,目前还缺乏一种在低温(300 K以下)工作的热电材料[26]。研制低温下适用的锑化物二类超晶格热电器件可以扩充热电材料体系,并且该类器件也可以与Ⅲ-Ⅴ族材料制作的激光器、高功率发光二极管、功率器件、探测器等实现有效的集成。
1.2 锑化物二类超晶格的特点
通过查阅大量文献发现锑化物二类超晶格材料在低温下具有以下特点:(1)从能带结构上看,与传统的一类超晶格不同,这类超晶格的禁带呈错开状,一种材料的价带与另一种材料的导带部分重叠,电子在重叠部分可以自由通行[13];图3是InAs/GaSb这类典型超晶格的能带结构示意图,InAs的导带底和价带顶都位于GaSb的价带中,禁带是错开的。(2)可以根据器件的工作温度来调节超晶格的周期、各层薄膜厚度的比值,从而可以调节晶格带隙,使器件热电性能达到最优。(3)实现了电子和空穴在空间上的间接分离,从而提高了有效质量。(4)可以在超晶格的每一层中通过调制掺杂来改变电子迁移率的大小[22]。在实际应用中,锑化物二类超晶格可以用来制作量子级联激光器和高功率发光二极管等,这些器件在工作过程中会释放大量的热,从而影响了器件的稳定性。如果将这些器件和锑化物二类超晶格热电制冷器件集成在一起,可以有效降低温度,提高器件工作稳定性。
锑化物的许多研究工作集中在GaSb、AlSb及相关材料上,其晶格常数与InAs非常接近(a(GaSb)=6.094,a(AlSb)=6.135,a(InAs)=6.058),均在6.1附近,因此这三者又被统称为“6.1家族”半导体材料[27]。图4为常见半导体材料的能带带隙和波长示意图,可以据此进行超晶格结构设计。InAs/GaSb二类超晶格是由InAs和GaSb两种化合物交叠生长而成的周期型结构,属于闪锌矿结构的半导体材料,通常生长在GaSb衬底上;由于晶格常数接近,晶格匹配度好,因此比较容易获得高质量的超晶格材料[28]。通过近些年的研究发现,它是一种有前途的热电材料。
1.3 锑化物二类超晶格的热电性能研究现状
目前对锑化物二类超晶格热电材料研究较多的有中国台湾清华大学的Ting Z Y研究组、美国西北大学的Grayson研究组以及美国加州大学洛杉矶分校的Chen G研究组等。中国台湾清华大学的Ting Z Y研究组对InAs/GaSb二类超晶格的量子输运和热电特性进行了理论计算[29]。此研究是用有效键轨道模型(Effective bond-orbital model)理论体系来计算InAs/GaSb超晶格的电子结构,该方法结合了k·p微扰法和紧束缚方法的优点[30]。其基本思想是用内层轨道尽可能精确地描述体材料能带结构的相关部分,用它们在一个超晶胞里计算来得到超晶格的能带结构。假设成键轨道是局域的,超过相邻轨道距离的两个轨道之间的相互作用可以忽略,所有非零相互作用的参数可包含在有效质量内或k·p微扰理论的其他参数内。基于这个模型,可以得到原点中心附近k点的精确能带结构。计算方法是首先用SOBO模型计算出超晶格能带结构,然后计算出整个布里渊区来获得∑(ε),最后通过式(1)-式(3)计算出传递系数。
式中:μ是化学势,e是电子电荷,f0是费米狄拉克分布方程。由式(4)给出。
其中是半经典载流子速度,ε(κ)是载流子的色散关系,τ(ε)是与能量有关的迟豫时间。研究中计算出了每个周期包括8个InAs原子层和8个GaSb原子层的超晶格的能带结构,发现沿超晶格生长方向导带次能带结构十分分散,这是由于断隙波段调整和InAs导带中有效质量较小以及相对短的周期造成的。为了计算热电性能,需要知道迟豫时间τ(ε),这由块状InAs和GaSb的迁移率估计,并推断出τ(ε)≈10-13s。温度设定在300K,设定好迟豫时间和热导率等经验值,用该方法可计算出超晶格的热电性能。由计算结果得到热电传输系数和化学势的关系,表明超晶格界面散射阻碍了沿生长方向的传输。为了计算该结构的热电优值,需已知晶格对热导率的贡献。取两种块状材料InAs和GaSb热导率的平均值,得出该值大约为35W/(m·K)。由于界面散射会导致更低的热导率,因此晶格热导率可能估计过高。最后计算出了ZT值和化学势的关系,最优的ZT值出现在0eV处,结果为0.033,并不比块体材料好。这可能是由于二类超晶格的强烈阱间耦合作用导致的。可以看出,虽然该计算对能带结构处理较全面,但模型中对迟豫时间和热导率的取值相对粗糙,尤其是很可能过高估计了超晶格的热导率[31];而且计算出的热电优值并不比体材料好,参数选取等因素有待进一步优化。
美国西北大学的Grayson研究组[32]对InAs/GaSb二类超晶格的热导率进行了研究,发现其在低温下仅为1~8 W/(m·K),比体GaSb体材料降低了2个数量级。实验中样品是在GaSb基底上用MBE生长的两种不同的T2SL材料,这种材料设计成了p-i-n结构。它包括0.5μm GaSb P+缓冲层、0.5μm T2SL P+、2μm T2SL未掺杂层、0.5μm T2SL n+区和10nm掺Si的InAs n+盖层。T2SL-1每个周期由12层InAs和8层GaSb组成,T2SL-2每个周期由19层InAs和18层GaSb组成。按标准的3ω法测量热导率,并将超晶格样品和不含超晶格的衬底样品做对比。通过测量温度变化的斜率ΔT作为频率对数的函数,可以推断热导率。由测试结果可知,GaSb衬底的热导率与已报道的块状GaSb的热导率有很好的一致性;T2SL横切面的热导率随ΔT的增大而减小,超晶格的热导率与体材料相比下降了很多。这是由声子界面散射导致的,通过改变色散关系降低了群速度,同时应力和弛豫产生了高密度的位错[8,33]。T2SL的热导率值相对于GaSb体材料降低了2个数量级,相对于InAs体材料下降了3.5个数量级。通过模拟计算,总结出了一个幂律方程(式(5))来估计热导率随温度的变化。
式中:T0是基准温度,ΔT是温度变化,s是幂律指数,T是可达到的最高温度。前面两项描述的是在基准线热导率κ0处的热扩散,第三项是按局域幂律假设,与指数s成比例。当器件在高输出功率处工作时,耗散功率也会增大,用18kW/cm2的功率密度计算有源层的热扩散,最高温度大约比衬底绝对温度T0高1.5倍。当指数s为正时,最高温度降低,例如T0在30K以下时,s≈1。当指数为负时,最高温度升高,如T0高于150K时,s≈-1/2。该结果可以定性地估计其他T2SL在工作温度T0附近的幂律指数s,由以下经验参数决定。
最大热导率κm=6.954 W/(m·K),其中Tm=74 K,B=1.0312,C=0.53042。由于在低于20K的温度下观测到的热导率非常低,数量级为1 W/(m·K),并且赛贝克系数高达2mV/K,所以这些材料可被用作低温下工作的热电材料。
美国加州大学洛杉矶分校Chen G研究组研究了用InAs/AlSb超晶格作为中红外激光器包层的横切面的热导率,发现InAs/AlSb超晶格的热导率比体材料降低了1个数量级,并且其热导率与生长温度和退火条件有关[19]。他们用分子束外延法在GaSb衬底上生长InAs/AlSb超晶格,研究了生长温度和后期退火对它的影响,用3ω法测出在80~300K温度范围内的横切面热导率。实验设置了3个不同的生长温度,分别为390℃、425℃、460℃,其中生长温度为390℃和425℃的样品在490℃退火5min。由实验结果可知,超晶格样品和衬底的温度差在很大测试频率范围内是常数。通过拟合基底和超晶格的热导率达到了预期值。生长温度越高,热导率越低,而且超晶格材料的热导率比体材料低很多。例如在300K下,InAs和AlSb体材料的热导率分别是27 W/(m·K)和57 W/(m·K),比超晶格大1个数量级。体材料的热导率在很宽的温度范围内符合1/Tn(n=1~1.5),由于在晶界处声子开始散射,热导率在10K达到最大值。InAs/AlSb热导率受温度影响更弱,在150K处达到峰值。热导率的降低和峰值转向更高温度说明了界面影响在热传导中起主要作用。生长温度在390℃的样品热导率最高,且在所测温度范围内随温度升高而单调递减。超晶格的热导率在所测温度范围内出现了下降和峰值。其原因在于,较高的生长温度导致粗糙的化学界面,从而使得界面处声子散射更强。由样品的测试结果对比可以看出,退火和生长温度对热导率的影响相似,同样能够使热导率下降。生长温度较低的样品有较大的热导率,这是晶格失配和界面粗糙共同的影响。该材料体系超晶格层间的失配度是1%,在低温下生长受到更大压应力,退火后会引起压应力的释放,从而导致界面的混合和更多的缺陷,因此热导率更低。
总之,超晶格材料由于特有的界面性质使得热导率相对于体材料降低大约1个数量级,量子阱结构使能带中电子和空穴分离,减少了电子散射,提高电导率,因此能够大幅度提高器件的热电优值。锑化物二类超晶格由于特殊的能带结构,可以获得较高的载流子迁移率,并已通过实验测得热导率相对于体材料下降1~2个数量级,从而使得热电性能有所提升。进一步改进锑化物二类超晶格的热电性能还需对其进行大量的理论及实验研究,如模型优化、生长工艺以及周期参数等。
2 二类超晶格材料的生长工艺
超晶格热电薄膜对材料的组分、界面等有严格要求,因此需要很高的成分、厚度等方面的控制精度。目前大部分超晶格结构的生长采用分子束外延(Molecular beam epitaxy,MBE),它是一种在超高真空条件下进行单原子层精确控制生成单晶薄膜的外延生长技术。MBE生长室通常都配有原位监测设备,如反射式高能电子衍射仪(RHEED)等。通过RHEED震荡周期的测量可以准确获得相应生长条件下的生长速率。关于InAs/GaSb超晶格的生长有2个重要的问题:(1)InAs的晶格常数比GaSb小0.75%,在InAs和GaSb层之间插入InSb层可以消除应力。(2)因为InAs和GaSb没有共同的原子,可通过严格控制各个源快门的打开顺序来得到一定厚度的InSb界面层[33]。Grayson采用MBE技术制备了InAs/GaSb二类超晶格,在低于20K的温度下观测到的热导率非常低,数量级为1 W/(m·K)[32]。美国加州大学洛杉矶分校的研究人员用MBE在不同温度下生长了InAs/AlSb超晶格,生长温度分别是390℃、425℃和460℃。研究表明处于生长温度最高(460℃)的样品热导率最低[19]。Li等在采用MBE生长二类超晶格的过程中,使用了气态源,As源由AsH3气体高温分解成As和H2导入生长腔室;其优势在于生长过程中的H2可以提高外延层的电学性能,并可以提高界面质量,最后获得了质量良好的InAS/GaSb超晶格结构[34]。
MBE技术可以实现层厚的高精度控制,但需要昂贵的设备,成本较高。金属有机气相外延(Metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)可实现大规模生产。汤艳娜等利用TMGa和TMSb作为GaSb生长MO源,TMIn和砷烷作为InAs生长MO源,生长温度在500~600℃范围内,压力小于16kPa,生长出InAs/GaSb超晶格,得到了表面形貌较好、质量较高的超晶格外延层[35]。R.V.Levin等采用MOCVD在N-GaSb(001)衬底上交替生长GaSb和InAs层,通过控制温度、压强和Ⅴ/Ⅲ束流比等,得到了层间平整的界面,最终得到GaSb衬底上包括2nm厚的InAs和3.3nm厚的GaSb层的InAs/GaSb超晶格[36]。Huang等报道了基于MOCVD生长的InAs/GaSb二类超晶格,并在超晶格界面处引入InAsSb+InGaSb层的联合层结构来实现理想的形态和低应力,提高了超晶格结构的整体材料质量。采用这种结构,在GaSb衬底上生长了360个周期的InAs/GaSb超晶格的p-i-n结构[37]。
3 测试方法
由于微纳结构尺度较小,热导率较低,使得热导率的测量比较困难。文献报道中常用的测量方法主要有3ω法、悬空热导法和扫描热显微成像法等。而超晶格结构的热导率常用3ω法测量。
在3ω法中,待测薄膜层上首先沉积绝缘层(如SiNx、SiO2)以防止漏电,再沉积金属线,同时作为加热元件和温度传感器,其结构如图5所示。当频率为ω的交变电流通过ad电极时,金属线上产生频率为2ω的功率P,继而产生同频率的温度变化ΔT,扩散到待测薄膜和衬底。而这种温度变化与bc电极间频率为3ω的电压成一定比例关系,即通过bc电极间的电压可以得到温度变化ΔT。如果加热器的宽度远大于膜厚,并且膜的热导率远低于衬底的热导率,则可简化为一维热导模型来计算[[38],得到:
式中:ksub、kf分别为衬底和待测薄膜的热导率;l、w为金属线的长、宽;t为待测薄膜厚度;C为包括绝缘层影响的常数,一般通过拟合得到。可见,通过测量ΔT和频率对数的关系,即可得到衬底热导率ksub,进而得到待测薄膜热导率kf。
至今,3ω法测量超晶格薄膜得到了广泛的应用。美国西北大学Grayson用此方法测得低温下InAs/GaSb二类超晶格的热导率,最小为1 W/(m·K)[32]。为了测量InAs/AlSb超晶格层的热导率,Borca-Tasciuc T等分别在超晶格薄膜上和同类衬底上淀积金属线,以此来形成对比,得到更准确的热导率。由于金属线宽是已知且相同的,在给定的频率下,衬底和超晶格样品输入相同功率,可根据测量到的结果得到超晶格的热导率。在他们的研究中,30μm宽的金属线与1.05μm厚的超晶格膜相比,其比值约为28,而超晶格的热导率和衬底的热导率的比率约为0.1。在此条件下用一维热导模型得到测试结果与拟合结果的误差为5%~7%[39]。
4 结语与展望
超晶格材料由于特殊的结构具有较低的热导率,其热电优值远超过相应的体材料以及合金材料,拓展了热电材料体系。同时,相比于一般超晶格材料,二类超晶格有独特的能带结构,并且可以通过掺杂等方式来调节带隙以适应工作温度,引起了人们的兴趣。研究表明锑化物二类超晶格在低温下具有良好的热电性能,能够填补低温热电材料的空缺。利用MBE可制备出质量较好的锑化物二类超晶格材料,其热导率使用3ω法测量。
从目前研究现状看,锑化物二类超晶格作为新型热电材料具有很多亟待发掘的潜力,但要达到实际应用水平,无论在物理机理、材料制备还是器件性能等方面,还有很多内容值得进一步研究。对该类超晶格的模拟计算的理论研究还需进一步精确;优化制备工艺、调制掺杂等都有可能继续提高热电优值。与实际应用需求相结合,开发出性能优异的热电器件,还需进行大量的理论及实验研究。
超热电子 篇2
日前，《中国企业报》记者还从中国国际消费电子博览会（SINOCES）组委会获悉，作为全球消费电子产品的最佳扩散基地，即将于今年7月在青岛召开的SINOCES已经收到500多家企业报名参展的申请。包括NEC、佳能、飞利浦、海尔等全球消费电子巨头在内的500多家消费电子企业以及亚马逊、欧尚、家乐福等国际采购大鳄，国美、苏宁等国内连锁巨头在内的逾700家下游采购商企业，都希望借助展会平台将最前沿的智能产品快速推广到全球市场，同时也希望尽快将这些前沿产品用于提升普通家庭的生活品质，
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互联网经济时代驱动的智能化革命也给中国企业传统的商业模式和竞争手段带来新的挑战。资深产业观察家曾高飞指出，“互联网驱动下的商业竞争本质就是紧跟潮流、满足需求。当然，要成为这个新时代的主导者，就必须要通过引领潮流、创造需求，只有这样才能真正把握产业发展的主动脉”。
防辐射的电子产品市场规模超百亿 篇3
随着媒体对辐射危害的报道逐渐增多，男女老幼都开始重视防辐射，尤其是年轻女性在计划生育前都开始穿防辐射服装了，各色的防辐射产品也不断涌现在市场上。初步估算：即使每个城市人口只花费一百元用在电磁辐射防护上，那么这个防辐射行业市场已蕴含百亿的商机。日前了解到，一种军工材料应用到普通民用产品的电磁辐射防护卡具有吸收电磁波，减小电磁辐射的功能，这种防辐射卡在国内不少地区已有销售。据了解，该产品为北京中博讯公司生产，名为中博讯防辐射卡，该产品已经通过了国家电子计算机质检中心和国家计量科学研究院的国家级权威认证，其产品设计小巧，使用简便，能有效的处理人们生活中接触到的电磁辐射，从而保护身体免受电磁辐射骚扰。
据中博讯林总介绍：中博讯防辐射卡上市以来，以其健康又环保，科技又时尚，新颖又别致，经济又实用等特色，引起了众多商家的兴趣及消费者的广泛关注。目前已经在全国范围内发展了多个行业的代理商，有数码产品和电脑类产品的销售商，也有保健类产品的销售商，还有个人创业者。代理商在电脑城、超市、保健品商店、手机店等多种商品经营场所销售，极大的丰富了中博讯防辐射卡的销售终端，给个人消费者购买提供了便利。同时，很多企事业单位，也纷纷进行团购为员工提供一种新的福利品，中博讯也推出了为这些企业单独定制产品的服务，还有一些礼品公司。也把中博讯防辐射卡作为高档礼品进行采购。
在谈到中博讯代理商的发展计划时，林先生给目前急于找项目的经销商、代理商提供了几点建议：
一、产品是否为市场现时所需要：经销商选择新产品时，首先要看这个产品的市场规模和范围，是不是自己熟悉的行业或是不是符合自己的销售渠道和事先有没有销售计划。防辐射卡这样的产品人人都有需要，前景极其广阔。可为代理商首选，但是没有市场操作经验的个体商家还不适合做区域总代理，可以先从经销做起。
二、产品是否是企业的长线产品：现实的新产品推广当中，经常可以遇到产品在市场上推广时间不到一年。就在市场上销声匿迹了，究其原因，是因为这个产品是厂家的短线产品，只是为了完成一定的市场使命或做过渡。这让经销商的大力度推广中途夭折或半途而废，可谓出力不讨好。中博讯防辐射卡产品已经经过了一年多的市场预热，目前正处于市场上升期，中博讯致力于防辐射产品市场研发与拓展，目前防辐射卡产品的三年规划已经开始实施。
三、产品是否经过严格的检验：代理商经营产品时一定要认清，产品是否经过国家级机构检验和认证，切忌经营三无产品，或非官方认证的产品，中博讯防辐射卡已经通过了国家电子计算机质检中心和国家计量科学研究院的国家级权威认证，中博讯给代理商提供完善的授权手续，代理商可以放心经营。
超热电子 篇4
关键词：“农超对接”,电子商务,平台,物流
“农超对接”是指农户与零售商家直接签订合作协议, 由农户直接向超市、零售店及菜市场供应农产品。“农超对接”使得农户与零售商直接对话, 省去了中间多道流转环节, 不仅提高了供应效率, 同时也减少了各种流转成本。农户在与零售商的谈判中获得更大的经济利益, 而消费者也能享受到更优质的农产品, “农超对接”实现了零售商、农户及消费者的共赢。而“农超对接”的发展基础是电子商务及为其服务的物流网络。随着“农超对接”范围的扩大, 农产品种类的增加, 将对电子商务运营提出更高的要求。
农产品种植户及乡镇企业通过电子商务实现了与最终消费者的直接接触, 在带来机遇的同时, 也有诸多挑战。首先, 原厂地直销缺乏系统规范的管理, 散户经营不仅缺乏卫生安全考核标准, 也使得市场上充斥各种真假难辨的产品。其次, 难以形成规模化和品牌化效应。消费者对农产品的卫生要求很高, 因为需要一定的品牌作为品质的保证, 以帮助消费者识别高品质的产品, 便于售后的维权。最后, 散户经营在物流、包装、加工等环节缺乏统一的标准, 给产品流通和销售带来巨大的成本。因此, “农超对接”电子商务需要解决以上挑战, 才能实现农业通过电子商务实现飞跃式发展。
1 我国“农超对接”电子商务的发展现状
农产品电子商务发展使得农户与消费者对话成为常态, 截至2012年, 淘宝和天猫经营农产品的网点数达到26万多家, 涉及农产品数量1000多万个。从2009年起, 涉农电子商务呈现快速增长趋势, 2010年农产品主要以干货、粮油米面等为主, 2011年增加了花卉熟果、植物树木, 2012年又增加了茶叶和生鲜水产, 销售额近200亿元。农产品通过电子商务平台及物流网络, 实现了与消费者直接交易, 而更为重要的是, 农户能够与采购商如超市、菜市场、零售店等直接进行批发交易。
据统计, “农超对接”发展以来, 农户销售价格平均提高了15%, 超市采购价格下降约10%, 而流通成本下降了近25%。“农超对接”提高了供应链的效率, 提高了产品的品质;促进农产品及其加工产业规模化和品牌化发展;信息化管理使得产销信息更加对称, 产量和价格将更加稳定。我国“农超对接”主要有三种模式:超市—农业企业—农户、超市—基地市场—农户、超市—农民专业合作社—农户, 现实中往往是这三种模式混合使用。目前, “农超对接”存在以下几个方面的问题。
1.1 利益分配依然不合理
在现有模式中, 超市等零售商掌握议价权, 拥有更多的市场信息, 农户在“农超对接”中仍处于弱势地位。尽管通过电子商务平台, 原产地生产者能够直接进行网络销售, 但对于绝大多数农产品而言, 通过在线零售的方式不仅增加了物流成本, 还大大提高了货品变质的风险。消费者购买农产品的主要场所仍然是超市、菜市场、农产品批发市场等, 这些场所集中物流、大批量销售的能力是在线零售无法比拟的。因此, 原产地生产者大部分产品都是销往这些场所。“农超对接”只是消除了许多中间环节, 但也使得生产者直接面对超市、卖场等强大议价能力的挑战。
1.2 原产地缺乏品牌管理
“农超对接”后, 超市、卖场等零售商能够对原产商进行直接管理, 消费者也能够从消费场所直接获得原厂商的信息。因此, 未来农产品消费不仅需要卖场品牌的支撑, 更需要原产地品牌作为品质的保证。然而, 我国农产品原产地尽管已经具有众多地域品牌, 如山东、东北、新疆等地区都以优质农产品闻名全国;各省份也都形成了具有本地特色的特产品牌。但在品牌管理方面, 如质量认证、渠道管理等方面都还很弱。品牌产品极易被仿冒, 消费者的权益受到侵害后, 极大损害了品牌形象。
1.3 农产品深加工落后
农产品电子商务最大的瓶颈在于产品品质难以长期保持, 例如蔬菜瓜果、海鲜肉类等。“农超对接”中, 农产品的流转在生产者和最终零售商两点之间进行, 因此, 对生产者的深加工能力提出了更高的要求。一方面, 生鲜产品需要在原产地进行分类包装和储藏, 以适应快速运输和销售;另一方面, 对于深加工产品, 需要原产地具备先进的加工技术和雄厚的自主研发能力。然而我国许多原产地的乡镇企业都不具备这样的能力。
2“农超对接”电子商务的发展策略
“农超对接”是原产地、种植户 (养殖户) 走向市场的机遇, 同时, 也是农产品行业整体提升的契机。本文认为可以从以下几个方面进行发展战略的探索。
2.1 对接全国智能物流网络
电子商务平台是“农超对接”的必然选择, 一方面, 农户能够通过在线销售, 建立自己的品牌和零售客户群;另一方面, 能够与超市等直接进行批发交易。因此, “农超对接”必须依赖电商平台及全国物流网络, 而全国电子商务物流网络正在进行巨大的变革。
首先, 同电子商务一起成长起来的顺风、圆通、韵达等物流企业规模不断扩大、专业性不断提升、品牌实力不断加强, 这些物流企业为电子商务物流提供了基础性的物流服务。农产品电子商务的零售部分大多利用这些企业的物流服务。其次, 各大电子商务平台如淘宝、京东、苏宁易购等纷纷在全国范围内进行大规模的投资, 掀起了一轮物流网络平台的竞争战。如马云的“菜鸟”网络, 包括8个全国性的物流中心和几百个城市中通过“自建+合作”模式建设的物理层面的仓储物流设施, 目标日均流通300亿元。而这轮物流网络建设的竞争将决定我国未来电子商务的发展, “农超对接”必定能在全国智能物流骨干网建设后获得蓬勃发展。最后, 我国传统运输企业如铁路、邮政等也加紧了改革的步伐, 纷纷推出新的产品和服务。与普通物流企业相比, 铁路具有巨大的运输能力和覆盖网络, 而邮政能够覆盖一般企业无法到达的区域。它们将是全国智能物流网络的有力支撑和补充。
“农超对接”的深度和广度不断提升, 电子商务平台的物流服务业必将随之增加。首先, 农产品种类的增加要求电子商务平台物流进行物流服务的分级, 如干货等易于存储的农产品可采用普通快运服务, 按照现有的服务标准, 1周内可达;而对于蔬菜瓜果等, 则采用区域化、本地化划分, 尽量实现区域内供销对接, 实现3天内可达;对于海鲜等要求更高的产品, 则采用空运或高铁等运输, 实现2天内可达。
其次, 缩短物流周转的流程和次数, 实现一次包装、一次装卸。“农超对接”对接下的电子商务大多数为大批量的定向运输。因为对接的超市和农户关系固定, 对于销售信息有充分的沟通。因此, 电子商务物流平台可以在生产基地设立物流集散点, 将服务带到产区, 农户或合作社只要按照标准进行包装, 即可在家门口将产品装上物流企业的运输工具, 直接运抵超市仓库。这样就免去了进行转运或再包装的手续, 从而最大程度减少时间浪费和对农产品的破坏。
最后, 进行产地标准化。对于全国配送的物流企业而言, 农产品的流动成本在于包装和保鲜。对不同产品进行分类、配货及包装, 需要耗费物流企业大量的时间和物质成本。而通过产地标准化, 则能够从根本上提升物流服务的效率。一方面, 物流平台应与生产基地、农村合作社一起制定产品品质和包装的规范, 如生鲜产生对于叶片和泥土的保留能够很好地保持产品的鲜度;按照新鲜程度进行分类包装能够避免良品受到次品的影响等;另一方面, 物流平台应联合向生产基地推广标准化的包装设备和材料, 从而降低物流平台配货和转运中的时间成本和再包装的成本。
2.2 加强原产地品牌管理
“农超对接”模式下, 原产地品牌将成为零售商的重要卖点之一, 同时, 也是监管部门进行质量管理的重要依据。首先, 超市、卖场等与原产地供应商达成长期合作关系后, 能够获取产品及产区环境等最原始的信息。这些信息将成为产品包装和营销中重要的支撑, 零售商和消费者都将其作为产品品质和售后服务保障。其次, 原产地品牌管理, 有助于监管者进行质量检查、问题跟踪, 进而有利于市场秩序的维持, 农产品品质和消费者权益都能得到有效保护。
原产地加强品牌管理, 需要从种植户或养殖户的资质管理、产品分级及标准化、渠道管理、质量认证等方面入手。第一, 原产地需要对种植、养殖环境进行统一的整治和保护, 以便区内生产者能够在合格的环境下进行生产。产区监管单位及地方企业应对辖区内种植户 (养殖户) 进行资质的认定, 依据技术、工艺及品质标准等对生产者进行分级, 对应产品使用不同级别品牌标签。生产者能够通过改进工艺、技术等来实现升级, 从而获得更好的品牌认证及更高的收购价。第二, 原产地需要对出货渠道进行统一管理。在“农超对接”模式中, 产区内所有生产者信息、产量信息、加工流转信息、超市等购货方信息, 都需要建立信息化系统进行管理, 理想状态下应能够实现产区任意产品的信息记录和追踪。
2.3 构建质量认证体系, 协调利益分配
原产地直供零售商模式, 让生产者和零售店直接进行博弈。零售店依赖零售网络和营销能力, 在价格和利益分配上具有巨大优势。但在电子商务模式下, 生产者有更多的机会接触最终消费者, 因此, 利益分配的平衡最终会被打破。
依赖于电子商务的发展, 农产品零售模式在近年来发生了重大变化。首先, 是许多新兴的小型零售商对市场进行了细分, 并通过定制化的服务方案, 直接将农产品送到消费者家中。其次, 诸多电子商务平台自建了整合了仓储、物流及信息平台, 形成了全新的农产品销售渠道。这两方面的变化都对超市、卖场等形成了巨大的冲击, 对于生产而言, 更多的渠道进行竞争条件下, 能够更大地掌握议价的权力。因此, 农业产区必须通过产品的品牌和渠道管理, 加强对市场价格及销量的控制。
此外, 农产品行业亟需建立完善的质量认证体系, 从而给农产品打上标签。电子商务环境下的质量等级认证与传统的标准体系不同, 它能够实现根据产品实际品质及市场反应来对产品进行分级管理。因此, 通过权威部门的质量认证, 特定产区的产品能够进入优势渠道进行销售, 从而获得更高的溢价。
原产地获得更多的利益分配, 有利于其进行环境保护和治理, 从而为生产更优质的产品打下基础。同时, 原厂地乡镇企业能够扩大规模, 提升加工技术, 在原材料的源头进行高规格的加工、包装和储存, 从而最大限度地保证产品的品质。
3 结语
“农超对接”是农产品销售的主要环节, 但随着新兴商务模式的不断出现, 原产地和生产者将有更大的选择自由。原产商既可以在电子商务平台上面向各种渠道进行直销, 也可以建立自主销售渠道进行零售。因此, 在电子商务时代, 农产品价值链分工及利益分配将发生根本性改变, 农业及农产品加工将迎来崭新的一页。
参考文献
[1]曹文彬, 等.“农超对接”供应量的治理模式和专用性投资激励刺激研究[J].华南农业大学学报, 2013 (1) .
[2]黄洁.基于“农超对接”的浙江省鲜活农产品流通模式优化分析[J].商业时代, 2013 (3) .
[3]张文.“农超对接”的国际经验及其对中国农产品市场发展的启示[J].世界农业, 2013 (6) .
超热电子 篇5
超外差收音机的安装与调试
指导老师：王位喜 041010213张鑫
一.实习目的
1.了解收音机的基本知识，通过具体的电路图，初步掌握焊接技术，简单电路元器件装配，对故障的诊断和排除以及对收音机原理工作的一般原理。
2.掌握电烙铁的正确使用方法，熟悉手工电焊工具的使用与维护。
3.基本掌握手工电烙铁的焊接技术，能够独立的完成简单电子产品的安装与焊接。熟悉电子产品的安装工艺的生产流程。
4.熟悉常用电子器件的类别、型号、规格、性能，能查阅有关的电子器件图书。
5.能够正确识别和选用常用的电子器件，并且能够熟练使用普通万用表和数字万用表。
6.学会读电路图，熟悉电子元器件符号的识别，掌握电子产品的焊接和电路的调试。
二.实习内容
1.要求学员熟悉常用电子元器件的识别,选用原则和测试方法。
2.要求学员练习和掌握正确与焊接的方法,熟悉焊接工具以及焊接材料的选择.并了解工业生产中的电子焊接技术的发展,焊接的流程以及装配整机的生产流程。
3.要求学员掌握收音机的装配,焊接,调试.的基本操作技能，并对实际产品的制作，安装，调试和检测。
4.要求学员掌握了解电路板的基本知识,基本设计方法。
三.超外差收音机的电原理与工作过程
（1）超外差收音机工作原理框图
超外差收音机工作原理框图如图1.1所示, 它是由天线、调谐回路、本机振荡器、变频器、中频放大器、检波器、低频电压放大器、功率放大器等部分组成。下面简述其各部分工作原理。
1.绕在磁棒上的天线线圈，用来接收到的许多广播电台的调幅高频信号（磁棒具有聚集电磁波磁场的能力）,此高频信号通过调谐回路（为并联谐振回路，具有选频作用）选出其中所需要的电台信号经磁棒线圈的次级送到变频级。
2.由本机振荡器产生高频等幅波信号，它的频率高于被选电台载波465KHz。也送到送入变频级。二者通过晶体管be结的非线性变换，将高频调幅波变换成载波为465KHz的中频调幅波信号。在这个变换过程中，被改变的只是已调幅波载波的频率，而调幅波的振幅的变化规律（调制信号即声音）并未改变。
3.变换后的中频信号通过变频级集电极接的LC并联回路选出载波为465KHz的中频调幅信号，被送到中频放大器。
4.中频放大器放大后，再送入检波器进行幅度检波，从而还原出音频信号。
5.然后通过低频电压放大和功率放大，再去推动扬声器，还原出声音。
（2）S66D收音机电原理图
电路主要划分如下：
1.输入电路
2.变频电路
C1103CaC2682R21.8kT1R1200k9018F(绿点)VT1A0.3MAT3T2Cb3.中放级电路
4.检波级电路
5.自动增益控制电路
6.低放级电路
7.功率输出级电路
（3）工作过程
收音机的工作过程是：天线接收到的高频调幅信号通过输入电路的选择，送入变频级的混频器中。本机震荡器总是跟踪着欲接收的信号，产生比它高一个固定频率的等幅震荡信号（中频465KHz）这个信号也送入混频器中。送入混频器的两种信号，利用放大器件的非线性进行混频，产生一种新的差频信号，外来的高频调幅信号，经过变频级后，只是变换了载波的频率，而调制规律并没有改变（包络线没变），仍然是调幅信号。变频级以后的高频放大器，总是在固定的中频（我们规定中频为465KHz）下工作，因此称为中频放大器。中频T5R7120VT59013H喇叭R8100R91201C92耳机插座100UFVT69013HR10100D1.5MA放大器的增益较高，因此送到检波器的中频信号幅度较大，这不仅可以提高检波效率，而且还能降低检波失真。对于中频信号人耳是听不到的，所以要经过检波，才能检出音频信号（包络信号），然后经过低放，功放推动扬声器发出声音。
采用固定的中频调谐回路放大信号比直放式更具优点：①由于固定中频频率较低，所以中频放大器的放大量大，工作稳定，因此收音机灵敏度高。②外来高频信号都是变成固定中频之后再进行放大，中频放大的增益不随外来信号的频率变化而变化，各个信号能够得到均匀放大，这对收音机特别有益。
四．安装与调试
（1）原件的识别 1.电阻
1）.电阻的主要参数
电阻的值：单位有Ω、KΩ、MΩ.2）.电阻的分类
a.固定电阻
b.可变电阻（电位器）
3）.电阻值大小的识别
电阻的阻值标注有两种方法，一是直接在电阻上标出数据；二是用色环表示阻值。色环表示阻值可在任意角度识别其阻值大小，不受电阻体积限制，使用方便，被广泛运用。
色环电阻
色环电阻表示方法
①四道色环电阻
第一环表示阻值的第一位数字；第二环表示阻值的第二位数字； 第三环表示幂的次方；第四环表示误差。
②表示误差的色环间距较
其他色环间距大些。并且颜色一般为棕、金、银色。2.电位器 3.电容
电容的电气特性是“隔直通交”。在电路中为容性，容抗：
Zc=1/jωC 1）.电容的主要参数
a.电容的容量：瓷介质电容容量小，容量范围一般在
1PF--1uF之间。形似圆饼状，其表示方法有： ①直接表示法，用uF=10-6F，nF=10-9F，pF=10-12F来表示电容单位。
举例：“3p”，“0.01u”，“4n7”=4.7nF=470pF ②不标单位的直接表示法
举例：“3”=3pF，“27”=27pF，“0.047”=0.047uF ③数码表示法，一般用三位数表示，前两位表示
容量有效数字，第三表示幂指数。即“0”的个数，默认单位为pF。
举例：“203”=20×103=0.02uF “221”=22×101=220pF
“104”=10×104=0.1uF
“103”=10×103=0.01uF b.电容的耐压：
电容的耐压是一个非常重要的指标，加在电容两端电压必须小于额定耐压值，有些电容参数标注在塑封外壳上。
例如：“1uF50V”代表：容量1uF，耐压值50V。c.电容的耐温特性：
电容的耐温特性也是一个非常重要的指标，电容的使用环境主要是对温度的要求，特别是电解电容，一般使用温度是-40℃～+85℃。d.电容的极性
① 新的电解电容可以管脚为标 志：长脚为正极，短脚为负极。
② 在外壳封装上有极性标志。4晶体三极管
晶体三极管种类非常多，一般用于功率放大等；以后要进一步学习。
晶体管直流参数的测量：
1）.三极管管脚极性的辨别。5.其他 1）.蜂鸣片 2）.电池片 3）.拉杆天线 4）.喇叭 5）.DC插座 6）.耳机插座
7）.轻触按键开关
（2）安装工艺要求
1.凡有文字表示名称和特性的元器件，在安装后应能方便地看到文字标志。
2.元器件在印刷电路板上的分布应尽量均匀、整齐，不允许斜排、立体交叉和重叠排列。
3.有安装高度的元器件要符合规定要求，同一规格的元器件应尽量安排在同一高度上。4.元器件引脚成形必须利用镊子、尖咀钳等工具弯曲，以免损伤元器件。
5.印刷电路板要保持干净，不要用汗手摸电路板上焊盘，以免焊盘氧化生锈，导致焊接困难和虚焊,焊接各元件前先镀锡,再焊,以防虚焊。
6.安装顺序一般为先低后高，先轻后重，先易后难，先一般器件后特殊器件。因此, 安装顺序为: ①电阻(卧式紧贴电路板)②瓷片电容
③电解电容(紧贴电路板)④中周(看清颜色:T2红色,T3白色T4黑色,对准引脚后,先把外壳的两引脚压下,再焊引脚)⑤电位器(五脚插到底，先焊开关引脚,再焊电位器引脚)⑥三极管(高度要低于电位器)⑦双连(要把磁棒支架放进去,镙钉固定,再焊引脚,时间不能太长,以防内部隔离介质溶化.固定好调谐盘后,再贴上有红线的指针纸,来指示电台的频率刻度)⑧变压器注意:线圈骨架上有高的点与元件面上的对应插入(也可先测线圈,再焊引脚)⑨磁棒线圈(先把外层绝缘添刮除,镀锡后先测线圈,再焊引脚)⑩电源线,喇叭线(喇叭放置后,用烙铁将旁边高出的塑料烫化压紧喇叭,使之不晃动)7．发现元器件有错误，如方向反、错位应立即停止焊接，小心取下并恢复正常，方可继续焊接，注意不要搭焊、虚焊、漏焊。如果有搭焊可用通针拨开，焊开。
8．各元器件焊接在电路板上，焊盘上的元器件引脚不高出电路板面1mm，高出的部分用剪切工具剪下。焊点大小均匀整洁，焊锡适量，剪切高度一致，元器件摆放位置合适、整齐。
（3）调整与调试
一、外观检查
1．检查各元器件安装是否有误，尤其是电解电容“+”，“-”极性是否安装正确。检查天线、电源线、喇叭线是否连好。
2．各焊点有无虚焊，漏焊，碰焊。
二、测试检查与试听
电位器开关断开,装上电池,(万用表在50MA档),黑笔接电池负端,红笔接开关另一端,若电流小于10MA,则可以通电,否则要查原因再通电;将电位器开关接通,用万用表电流档依次测量A,B,C,D四个端口,若电流在参考值左右,就连通A,B,C,D四个端口,若电流不在参考值左右, 则要查原因;将音量开关放到最大,调双连收听电台。
三、对刻度: 调振荡回路
①接收535KHZ的调幅信号时，将双连电容全旋进去，调振荡回路的线圈 T2，使声音达最大而且不刺耳。
②接收1605KHZ 的调幅信号时，将双连电容全旋出，调振荡回路的补偿电容C、，使声音达最大而且不刺耳。
四、三点统调：
收音机装好，能收听节目以后，如何正确地进行调整，使得收音机的收听效果达到最佳状态。下面介绍一些不用仪器对收音机进行调整的方法。
统调就是通过调试收音机的输入回路、本机振荡频率、中放回路的中频频率校正，从而达到在接收的频率范围内机子具有良好的频率跟踪特性。所谓跟踪是指在接收的频率范围内，当接收任一频率的电台时，本机振荡频率与要接收的频率通过混频电路后都应该输出标准的中频频率信号，在超外差AM波段中，中频频率为465KHZ。下面说说统调的方法。
中波的频率范围是：530KHZ---1600KHZ,那么本机振荡的频率范围就应该在955KHZ---2065KHZ，收音机是通过一个双联可变电容来同时改变输入回路的谐振频率和本机振荡频率的，理想状态下，我们在选台时在整个波段的频率范围内，本机振荡频率与输入回路谐振频率之差都应该保持在465KHZ，但实际情况并没有这么理想，由于本机振荡电路与输入回路分属不同的谐振槽路且谐振频率也不同，虽然我们输入回路和本机振荡电路的谐振电容是同步联动的，但由于电路参数的差异，很难保证在正个接收频率范围内都能准确地差拍出465KHZ中频，为此在实际电路中都作了一些补偿措施。
统调的第一步是校准中放的中周，使它们都谐振在465KHZ的频率上，这一步很重要，因为收音机的输入回路和本机振荡电路在设计上都是以中频作为参照的，如果中频频率不正确，那么就很难调试好整机的跟踪特性。调整中频频率(465KHz)由于中频变压器都是新的，一般出厂时都已调整在中频465KHz，在这种情况下调整工作比较简单。因此调整时应注意一下原来的位置，适当小范围地转动一下磁芯即可，若需要调整,建议在调整前在外壳上用笔做一下当前位置的标记,这样要恢复到原来位置有一个参考点,千万不要任意大范围地旋动，以免偏离中频465KHz太远，影响收听效果
统调的第二步是在波段的低端接收一个已知频率的本地强信号台，当接收到电台声音后，看此时调谐刻度指针所指的频率是否和所接收的频率一致，如果不一致调整本机振荡线圈T2的磁芯，并同时旋动调谐旋钮，直到刻度指针所指示的频率与接收频率一致，然后调整输入回路线圈L2在磁棒的位置是声音最大为止。如果刻度指针所指示的频率与接收频率已经一致，此时只要调整T1使声音最大即可。
统调的第三步方法与第二步相似，在波段的高端接收一个已知频率的强信号电台，分别调整双连上的微调电容C,使刻度指针所指的频率与接收的频率一致且声音最大即可。反复第二和第三步进行微调是接收效果达到最好成绩。
五．实习结果
六．遇到的问题和解决办法
1.开始焊接的时候遇到的最大的问题就是锡丝融化之后就会粘在电烙铁头上，然后我又会不断的加入锡丝，导致最开始的几个借口都出现了锡球，后来我才知道可以用一点松香和湿润的布将烙铁头上的锡弄到印刷板上。
2.线圈的焊接。第一次焊接的时候没有将线圈的接口那里刮一刮导致焊上去之后A点没有电流，之后重新焊接了一次之后ABCD四点的电流就都正常了。
3.最麻烦的就是调试的过程了，最开始的时候只能听到呲呲的声音，后来通过调节天线和线圈能听到一点声音了不过很小而且杂音很大，最后开始调节中周，先标记下了中周最开始的位置，然后开始细微的调节，通过不断的调节最终达到了最好的效果，能收到7个台的声音了。
七．收获与建议
通过这次实习不仅自己动手完成了一个收音机，更过的是学到了很多东西。首先巩固了电子学理论，增强了识别电子元器件的能力，通过对元器件的测量，也增强了对万用表的使用能力。其次，培养了我们的动手能力，实践是检验真理的唯一标准，理论的东西只有通过实践环节的检验，才是真实的。通过组装超外差式收音机，我们明白了其工作原理、学会了焊接技术。还有此次实习还锻炼了我们解决问题的能力，在实习中我们遇到了各种各样的问题，通过此次实习我们懂得了面对一个问题，要不慌不忙，理清思路，寻找问题的根源，然后一步一步的解决问题。
这次实习让我明白了有时想是没有用处的，还必须去考察，去学习，去实践考察，只有这样才能有实质的进步，还有要和同学共同讨论，解决各种困难，在困难中你能了解更多的非课本的知识，还能再找错误的同时锻炼你的观察力，所以我知道了很多零件的作用，并了解到什么样的现象是哪块的电子区域出现了错误，小小的成功给我很大的动力，我知道我会继续努力的。
在整个的实习中我学习了很多的东西，使我眼界打开，感受颇深。简单的焊接使我了解到人生学习的真谛，课程虽然结束了，但学习还没结束，我知道作为信息时代的大学生，作为国家重点培育的高科技人才，仅会操作鼠标是不够的，基本的动手能力是一切工作和创造的基础和必要条件。
超热电子 篇6
1 六管超外差收音机中各电子元件作用分析
六管超外差收音机包含高频、中频和低频三部分电路, 如图1所示输入回路到混频部分为高频信号, 从混频到检波部分变为中频信号, 从检波到功率放大电路为音频信号 (低频信号) 。
六管超外差收音机设计时本机振荡频率总是比要接收的信号频率高465KHz, 比如要接收的信号频率为500KHz的中波信号, 则本机振荡的频率为:
f本机=f中频+f接收=465KHz+500KHz=965KHz。
六管超外差收音机的电路原理图如2所示。
2 六管超外差收音机的焊接及调试技巧
六管超外差收音机焊接前应按照元件清单检查元件是否齐全并对照PCB板找到每个电子元件的位置, 然后按照电子元件的体积由小到大的顺序进行安装, 即安装时先安装体积较小的电子元件 (如电阻、瓷片电容和电解电容) , 然后再安装体积大一点的电子元件 (如中周、变压器) , 最后安装耐热性差的电子元件 (如三极管) 。电阻安装前需采用色环读数法或万用表测量其阻值然后安装;电解电容在安装过程要注意极性问题, 一般长引脚为电解电容的正极, 也可用万用表进行判别正负极, 在安装瓷片电容时不必考虑其正负极性问题;三极管在安装过程中需注意其极性和型号, 晶体管VT1-VT4选用高频小功率三极管, VT5、VT6型号为9013属于中功率三极管, 安装过程中要注意区分, 三极管极性的判别方法是:手拿三极管使其矩形面朝向自己, 由左至右分别为晶体管的发射极E、基极B和集电极C;磁棒线圈在安装、焊接过程中要注意四个线头a, b, c, d中b、c的区分, 变压器安装过程中要注意初级和次级线圈的区分, 上述电子元件在焊接结束后要剪去多余的引脚, 注意引脚的长度要适中距铜箔的距离为2-3mm, 不宜过长以免引起短接。PCB板上留有4个测试电流的小孔, 将万用表打到直流电流50m A相应档位, 分别测试4个小孔处的直流电流, 测量三极管的静态工作电流, 若分别与0.5m A、1.5m A、3m A、6m A吻合后用焊锡将4各测试孔封住, 此时收音机将能正常工作。如遇到某一级电流过小或过大要认真检查该一级三极管的极性是否安装错误, 周围电子元件是否存在虚焊、短接或装错现象。安装中频变压器时要注意区分颜色, 中频变压器在出厂前均已调好, 焊接后只需微调即可, 另其外壳起到屏蔽和导线的作用, 因此中频变压器的外壳必须接地。
若收音机有故障, 首先目测检查各电子元件安装是否正确及各焊点是否存在虚焊、漏焊情况, 在目测没有问题的情况下若收音机仍没有信号应检查VT1混频相关电路;若收音机有声音但没有信号应检查天线线圈的四个线头是否焊接正确;若收音机能够接收到信号但声音小, 应检查负责放大音频信号的晶体管VT4及组成推挽电路的晶体管VT5、VT6电子元器件安装是否正确。通过收音机的焊接联系可以加强学生对电子元件及收音机的装调有一定的感性和理性认识, 提高分析问题和解决问题及实际操作的能力。
参考文献
[1]王树梅.超外差六管调幅收音机安装与调试[J].学术论坛, 2013 (07) .
[2]蒋有奇.调幅超外差收音机的调试[J].科技信息, 2009 (01) .
超热电子 篇7
香港2009年10月11日电/美通社亚洲/--环球资源 (Nasdaq:GSOL) 在今天举行的新闻发布会上公布了第三届环球资源“电子产品创新设计奖” (Global Sources Electronics Design Awards) 的获奖名单, 共八款由亚洲供应商设计及生产的产品获得此项殊荣。
本届“年度最佳设计奖”的获奖产品是由深圳市富格实业有限公司出产的皮尔卡丹 (Pierre Cardin) 第二代笔记本电脑, 这款获奖产品配备7寸的轻触式屏幕, 内置Wi-Fi、蓝牙、全球定位系统, 以及众多只有标准型笔记本电脑才能支持的功能。此外, 产品采用时尚的金属边框并配有方便携带的黑色真皮外套。
第三届环球资源“电子产品创新设计奖”其余七个产品类别的获奖产品及供应商名单如下:
--闭路监控产品:触控式闭路电视产品, 羿奕实业股份有限公司
--数码相框:10.4寸超薄数码相框, Simon Trading Co., Ltd.
--全球定位系统:4.3寸便携式GPS导航仪, 远峰国际有限公司
--车载娱乐设备:车载蓝牙免提BT200, 深圳豪恩电子科技股份有限公司
--手提电话:抗震传感器手机, 博艾德科技有限公司
--便携式媒体播放器:64G超大内存MP4播放器, 深圳市桑格尔科技有限公司
--便携式个人电脑:12寸3G上网笔记本电脑, 中国长城计算机深圳股份有限公司
环球资源亚太区业务总裁区乃光先生说:“亚洲电子产品出口商不断推动电子产品的创新发展, 并致力于研发融合精美设计和多样化功能于一身的新产品, 这一点可以从今天的获奖作品中反映出来。现今参观展览会的买家除了与优质供应商会面外, 还希望在展会中找到具有创新概念的优质产品, 并尽快引入消费市场。”
获奖产品将于“环球资源电子产品及零件采购交易会”及“环球资源安防产品采购交易会”上展示。
环球资源“电子产品创新设计奖”获奖及入围的产品将于2009年10月12日至15日在香港亚洲国际博览馆举行的“环球资源电子产品及零件采购交易会”及“环球资源安防产品采购交易会”的“电子产品创新设计奖廊”中展出。
区先生补充说:“‘电子产品创新设计奖’今年已经是第三年举办, 获奖产品都被国际买家视为亚洲最新且最具创意的电子产品。由于数以万计来自世界各地的买家将可以在展会现场参观这些产品, 因此这也为获奖公司提供了一个额外的推广机会。今天看到的众多产品都极具潜质成为炙手可热的消费产品。”
环球资源根据产品的技术设计、特色和功能、外观, 以及销售、推广和出口成绩等准则, 从来自中国大陆、香港、台湾地区、韩国等地区约200款参赛产品中选出共八款获奖产品。