平台网纹（共4篇）
平台网纹 篇1
平台珩磨网纹是内燃机气缸套最重要的技术指标之一, 它的好坏直接影响气缸套的使用寿命、燃、机油的消耗、内燃机的排放等。《内燃机气缸套平台珩磨网纹技术规范及检测方法》新版本JB T5082.7-2011 (以下称新标准) 已于2011年11月第一次出版, 替代了旧版本JB/T9768-1999 (以下称旧标准) 。新标准整合了国内外平台珩磨网纹的先进技术, 与旧标准对比, 新标准作了如下修改:
1 范围
旧标准规定了气缸套内孔表面平台珩磨网纹的技术规范、检测及评定方法。
新标准规定了内燃机气缸套内孔表面平台珩磨网纹的术语和定义、技术要求、测量仪器、检测与评定方法和其他。
2 引用标准
旧标准引用标准:
GB/T1031-1995表面粗糙度参数及其数值
GB/T3505-1983表面粗糙度术语表面及其参数
新标准引用标准:
GB/T3505-2000产品几何量技术规范 (GPS) 表面结构轮廓法表面结构的术语、定义及参数 (eqv I-SO4287:2000)
GB/T6062-2002产品几何量技术规范 (GPS) 表面结构轮廓法接触 (触针) 式仪器的标称特性 (e-qv ISO3274:1996)
GB/T10610-1998产品几何量技术规范 (GPS) 表面结构轮廓法评定表面结构的规则和方法 (eqv I-SO4288:1996)
GB/T18777-2002产品几何量技术规范 (GPS) 表面结构轮廓法相位修正滤波器的计量特性 (e-qv ISO11562:1996)
GB/T18778.1-2002产品几何量技术规范 (GPS) 表面结构轮廓法具有复合加工特征的表面第1部分:滤波和一般测量条件 (eqv ISO13565-1:1996)
GB/T18778.2-2003产品几何量技术规范 (GPS) 表面结构轮廓法具有复合加工特征的表面第2部分:用线性化的支承率曲线表征高度特性 (eqv I-SO13565-2:1996, IDT)
3 定义
旧标准关于平台珩磨网纹表面定义:气缸套内表面采用珩磨工艺加工成深沟槽与小平台均匀相间的交叉网纹表面。同时, 对珩磨网纹的表面网纹角度、沟槽深度和数量、轮廓图形的偏斜度、轮廓支承长度率以及表面层的加工质量等有一定的要求。具有这些要求的珩磨表面称为平台珩磨网纹表面。
新标准关于平台珩磨网纹表面定义:气缸套内孔表面采用珩磨工艺加工成深沟槽与小平台均匀相间的交叉网纹表面, 是具有复合加工特征的表面。
4 新标准和旧标准平台珩磨网纹技术规范及检测方法比较
4.1 网纹角度
旧标准:在气缸套中心线方向的夹角为125°±15°。
新标准:在气缸套轴线方向的夹角为125°±10°
4.2 粗糙度轮廓参数
新标准:粗糙度轮廓参数分为排放要求在国III及其以上的内燃机气缸套和排放要求在国III以下的内燃机气缸套两种:
1、排放要求在国III及其以上的内燃机气缸套平台网纹技术要求采用GB/T18778.2规定的以核心粗糙度深度“Rk”为中心的系列特性参数, 且符合以下要求:
a) 轮廓的最大高度Rz为3-8μm;
b) 核心粗糙度深度Rk为0.2-1.6μm;
c) 去除的峰值高度Rpk小于或等于0.35μm;
d) 去除的谷值深度Rvk为0.5-3.0μm;
e) 支承率Mr1小于或等于14%;Mr2大于或等于70%。
2、排放要求在国III以下的内燃机气缸套平台网纹技术参数表面粗糙度值Ra的规定 (见表1) 与旧标准相比对表面粗糙度值Ra的规定 (见表2) 有所不同。新标准对缸径的划分只有3各系列, 且取消了对5点Ra的平均值的规定, 而旧标准对气缸套缸径的划分的比较细, 一共有6个系列。
4.3 测量仪器
新标准对测量仪器-表面粗糙度检测仪或轮廓仪作出明确规定:用于检测粗糙度轮廓参数, 其滤波器采用GB/T18777-2002规定的相位修正滤波器, 滤波方法应符合GB/T18778.1-2002的规定, 触针的选择应符合GB/T6062-2002的规定, 而旧标准则没有这些规定。
新标准对测量仪器-金相显微镜或生物显微镜作出明确规定:用于检测珩磨外观质量和制取复膜照片, 而旧标准没作明确规定。
4.4 粗糙度轮廓参数的检测与评定方法
新标准中对Rz、Rk、Rpk、Rvk、Ra、Rsk及Mr1、Mr2值的检测和评定作出如下规定:在距离气缸套上端面40mm-75mm处, 沿圆周方向均布测量, 检测和评定按GB/T10610的规定。
旧标准规定Ra、Sk的测量方法:按GB/T1031的规定, 在距离气缸套上端面50-75mm处, 圆周方向均布测量5点。评定方法为:计算5个读数的平均值, 其平均值应在规定的数值内。
4.5 网纹角度的检测和评定
新标准规定在距气缸套上端平面40mm-75mm处的内孔表面上制取复膜照片。
旧标准规定在距气缸套上端平面50-75mm处的内孔表面上制取复制膜照片。
4.6 珩磨外观质量的检测和评定
新标准规定不合格的平台珩磨网纹复制膜照片:网纹紊乱, 两个方向的切削不均匀, 不清晰, 存在大量明显的金属碎片和裂纹等。
与旧标准对比, 新标准增加了两个方向的切削不均匀为不合格的平台珩磨网纹。
4.7 其他
新标准在旧标准的基础上增添了规定:当珩磨工艺调整时, 应及时按本部分的各项条款逐一检查产品的网纹参数。
最后一条:当用户有特殊要求时, 可由供需双方共同商定, 其检测方法也由供需双方自行协商规定, 新标准增加了建议按GB/T10610的规定。
5 结束语
新标准JB/T5082.7-2011修改了排放要求在国I-II以下的内燃机气缸套平台珩磨网纹的粗糙度轮廓参数的技术要求、检测及评定方法;增加了排放要求在国III及其以上的内燃机气缸套平台珩磨网纹的粗糙度轮廓参数的技术要求、检测及评定方法;对测量仪器作了明确规定。新的标准制定了可以满足不同排放要求的气缸套平台珩磨网纹技术参数, 将会为进一步提高发动机气缸套内孔平台珩磨网纹质量发挥重要作用。
摘要：本文介绍了新版标准JB/T5082.7-2011 (《内燃机气缸套平台珩磨网纹技术规范及检测方法》) , JB/T5082.7-2011是对JB/T9768-1999的修订。
关键词：气缸套,平台珩磨网纹,技术参数,检测与评定方法
参考文献
[1]内燃机气缸套平台珩磨网纹技术规范及检测方法 (JB/T5082.7-2011) .机械工业出版社, 2011年11月第一版
[2]内燃机气缸套平台珩磨网纹技术规范及检测方法 (JB/T9768-1999)
日光温室韭菜网纹瓜轮作栽培技术 篇2
1 前茬韭菜栽培技术
1.1 育苗
a.品种 选用优质高产、商品性好, 受消费者欢迎的嘉兴白根。
b.播种 5月下旬露地育苗播种, 播前每公顷施腐熟的鸡粪37.5t、尿素75kg、磷酸二铵150kg, 深翻20～30cm, 然后耢平、耙细。按定植面积的1/10确定育苗面积, 播量6～7g/m2, 播幅宽10cm, 垄距10cm。播种时开2～3cm浅沟, 播后覆细土1～1.5 cm, 轻轻镇压, 在畦面上浇透水, 水下渗后每公顷用33%除草通乳油2250g, 对水750～900kg喷雾, 进行畦面封闭防除杂草。为防止畦面干裂, 用湿草袋片盖在畦面上, 直到出苗为止。
c.苗期管理 幼苗出土后是培育壮苗的关键, 在管理上掌握前期促苗、防杂草, 后期蹲苗加速发根壮秧。苗高20cm左右时, 控制浇水, 防止徒长, 以免造成雨季倒伏烂秧。除草剂残效期 (约50d) 过后, 及时拔除苗间杂草, 及时进行中耕。
1.2 定植
8月中旬定植, 定植前每公顷施充分腐熟的鸡粪75t、硫酸钾型复合肥750kg, 深翻20～30cm后耙细、耢平, 做成1.1～1.2m宽、25～30cm高, 南北走向的高畦。每畦栽5行, 行距10cm, 行宽10cm, 穴距5cm, 每穴14～15株, 定植后浇水。
1.3 管理及收割
缓苗后每公顷追施硫酸铵225kg, 追肥后浇水。9月中下旬收第1茬, 10月上旬扣棚保温促下茬。温度控制在10～20℃, 随着气温降低, 温室逐渐增加保温设施。白天温度控制在20℃以上, 夜间在10℃以上。11月下旬收第2茬, 翌年1月上旬收第undefined3茬。每收割一茬, 在割后7～10d, 选晴天上午追肥、浇水一次, 每公顷施用磷酸二铵225kg、硝酸铵150kg, 收割前1周左右再浇一次水。第3茬韭菜收割后, 整地施肥深翻、做畦、铺地膜为下茬网纹瓜做准备。
2 后茬网纹瓜栽培技术
2.1 育苗
a.品种 选用优质、高产、抗病性好的日本网纹瓜品种——夏露库。
b.种子处理 温汤 (55℃) 浸种20min, 再用温水浸种6～8h, 捞出沥干催芽, 芽长0.3～0.5cm即可播种。
c.播种 于12月中旬在温室内育苗, 苗床铺营养土, 厚度10cm, 播前浇透水, 水渗透后, 上铺0.3～0.5cm药土 (药土配制方法:每10g甲基托布津对细土15kg) , 在药土全部湿透后, 开始播种 (每公顷定植田需育苗3万株) , 播后覆1cm左右细土。
d.苗床管理 播后苗床温度白天保持28～30℃, 夜间15～20℃;出苗后白天控制在26～28℃左右, 夜间18℃左右, 幼苗2叶1心叶时, 移到事先准备好的营养袋内。营养土配制, 40%田土, 30%腐熟马粪, 20%腐熟猪粪, 10%细炉灰。每立方米加磷酸二铵或硫酸钾型复合肥2kg, 硫酸钾1kg, 充分拌均后进行装袋。移苗后浇800～1000倍的多菌灵或福美双药液预防苗期病害, 温度白天保持在30～32℃, 夜间在20℃左右。缓苗后, 白天温度保持在30℃左右, 夜间18℃左右, 苗期不旱不浇水, 如旱要适量浇小水。苗龄35～40d, 当幼苗长到4叶1心时进行定植。
2.2 定植
定植前每公顷施腐熟优质有机肥75t、硫酸钾型复合肥750kg、硫酸钾450kg, 撒施于地面, 然后深翻20～30cm, 耢平做成110cm宽大畦, 畦高10cm, 两畦间距40cm作步道沟。每畦定植双行, 小行距60cm, 株距45cm。
2.3 定植后管理
a.定植后温度管理 定植后白天保持28～32℃, 夜间不低于20℃, 缓苗后至果实膨大前, 白天保持在28～32℃, 夜间保持在18～20℃, 果实膨大期白天保持在28～32℃, 夜间保持在18～22℃。
b.定植后肥水管理定植1周内浇一次缓苗水, 在坐果前不旱不浇水。当果实长到鸡蛋大小时进行追肥浇水, 公顷随水追磷酸二铵450～600kg硫酸钾225kg, 浇水量不要过大, 以免裂瓜。坐瓜后再浇一次水, 上市前10d停止浇水, 保持适当干燥, 提高网纹瓜品质。
c.整枝吊秧网纹瓜管理采用吊秧方式, 单蔓整枝, 在13～15节处各留1个侧枝, 每枝留1个果, 当果实坐住后, 选择1个长圆型膨大快的果实, 其余两个摘掉, 果实前留两片叶摘心, 当主蔓长到25～27片叶时摘心, 同时打掉底部3片老叶。用布条把瓜吊起来, 整齐一致朝阳面。
d.激素处理开花时进行人工授粉, 或用防落素 (30～40mg/kg) 喷花, 喷在果柄处, 上下两面各喷1次。
2.4采收
平台网纹 篇3
1 活塞环复合镀铬技术简介
活塞环复合镀铬技术又叫CKS[1](Chrome Ceramic plated rings)镀层技术或铬基陶瓷复合镀层技术,是指在传统硬铬镀层上通过特殊处理形成满足要求的网纹,并在网纹内镶嵌A12O3(备注:如果采用金刚石则称为GDC[1]镀层)等硬质固体颗粒的一种工艺技术和过程。复合镀铬层具有良好的耐磨性能、较低的缸套磨损性能,以及较高的热负荷承载能力,特别是抗烧损能力等优越特性,在现代的高功率、低排放的发动机上得到广泛应用,并会逐渐取代传统的硬铬镀层。
在DCI11发动机国产化开发研究过程中,面临同样的问题,上压缩环要求必须采用复合镀铬层取代硬铬镀层,为此,我们开始对复合镀铬技术进行研究,开发出活塞环复合镀铬技术,并成功应用于DCI11发动机上压缩环上,通过发动机一系列台架试验考核,其性能完全达到进口样件的指标,活塞环复合镀铬技术开发成功,并推广应用到其他产品上。
活塞环复合镀铬层其结构简图[1]如图1所示,其工作面图片如图2所示,其截面金相图片如图3所示。复合镀铬层的良好性能产生于其特殊的结构和组成,特殊的结构即多层、均匀的网纹,并且网纹需贯穿整个镀层,特殊的组成即硬铬基体中镶嵌硬质耐磨固体颗粒如A12O3、金刚石等。这些硬质耐磨性固体颗粒是镶嵌在网纹内,因此,网纹的结构(也即网纹特性)对复合镀铬的性能至关重要。
活塞环复合镀铬层性能指标(见表1)主要包括:网纹密度(单位长度上网纹的数量)、网纹宽度、镶嵌的硬质合金固体颗粒的大小(粒度)和含量等。
复合镀铬层网纹特性(见表2)一般包括网纹宽度、网纹密度以及网纹分布性三个方面。网纹分布性是反映网纹分布均匀性、贯穿性。网纹宽度和密度在复合镀铬后并不能直接检查出来,只有在外圆加工后网纹裸露出来才能检查出来,网纹分布性需在活塞环的径向截面上反映出来。为此,为在复合镀铬工序完成后立即检查网纹特性,以加强对过程和产品性能的控制,引入网纹级别这一特性来控制网纹特性。
网纹级别综合反映了网纹宽度、网纹密度以及网纹分布性,根据试验及实际状况将网纹级别分1～5五个不同的等级(如图4～8所示),1级最好,5级最差。通过与标准金相图片进行对比,确定复合镀铬层的网纹级别等级,并判断是否合格及其质量水平。
2 影响复合镀铬层网纹特性因素
镀铬层在电沉积过程中会产生较大的内应力,铬镀层只有很薄时(小于0.1微米)才是无裂纹的[2],一般在厚度达到0.7～1微米时镀层表面会产生均匀的微裂纹,裂纹数在16～20根/mm[3]。铬层的开裂是一个周期性过程,随着厚度的增加,已建立的一批裂纹在上面合拢,并形成另一批裂纹,裂纹密度随每次相继建立的裂纹而增加[4]。随着铬层厚度的增加,表面将出现平行的或网状的稀疏粗裂纹[2]。这些稀疏的粗裂纹对于复合镀铬层来讲是意义不大的,若裂纹过大,还会造成铬层外观缺陷,复合镀铬层对其网纹密度和宽度以及分布性均有严格要求,网纹数量要求更多,其宽度要求也严格,网纹要求分布均匀,并且能贯穿整个镀铬层,因此,对于复合镀铬层来讲必须对普通镀铬层进行控制并采取特别方法处理,以获得所要求网纹的镀层。
影响控制复合镀铬层网纹特性或网纹级别的因素很多,主要是镀铬槽液成份如铬酐、硫酸、三价铬的含量及杂质浓度、添加剂种类及其含量,镀铬的电流密度,槽液温度,铬层厚度及其特殊处理方法等。
3 影响复合镀铬层网纹特性因素分析研究
在复合镀铬过程中各因素对网纹特性或网纹级别的影响,归根到底是对电沉积过程中晶粒大小多少的影响,也即对电沉积过程中镀层内压力的影响[5]。
3.1 镀铬槽液成份的影响
镀铬槽液成份如铬酐、硫酸根及三价铬,由于其浓度的变化影响镀铬电沉积过程的结晶晶核的形成,从而影响铬层内压力的大小,进而表现为影响网纹的稀疏。
铬酐浓度增加,电沉积过程中极化减小,晶核变少,晶粒变粗大,内压力减小,从而网纹变得稀疏,网纹密度变小[5]。
硫酸根离子是镀铬槽液中非常重要的阴离子,在镀铬过程中硫酸根含量一般不是控制其绝对浓度,而是控制铬酐与硫酸根的比值(,即酸根比)。对于标准镀铬槽液,酸根比最佳值是100/1,这时镀液的阴极电流效率、操作范围、分散能力和覆盖能力等综合性能较好,镀铬层性能如外观、铬层硬度、网纹密度等也较好,在镀铬中一般将酸根比控制在100/09～100/1.1之间。复合镀铬时,随着酸根比的减小(也即硫酸根含量增加),网纹变密,宽度变宽(见表3)。
在复合镀铬中随著三价铬浓度的升高,铬层外观变得发灰,粗糙,并且网纹变得稀少,宽度也变小,其作用类似于硫酸根离子偏低。
3.2 镀铬槽液杂质的影响
镀铬槽液铁、铜等杂质过低,不仅镀层外观粗糙,发暗,而且网纹变得稀少且网纹较宽。
3.3 镀铬槽液添加剂的影响
在普通的单含硫酸根镀铬槽液中获得的复合镀铬层其网纹稀疏,网纹级别低,甚至只有5级,在含氟的镀铬槽液中其网纹密度也较小,采用含安美特HEEF PR-C添加剂的槽液其网纹最密集,可达到50～80根/mm。不同槽液复合镀铬层网纹密度如图9～11所示。
为获得复合镀铬层要求的网纹密度,采用安美特HEEF PR-C添加剂的镀铬槽液,试验证明采用安美特HEEF PR-C添加剂的槽液,镀铬后采用合适的特殊处理方法,网纹密度可达到200根/mm,获得所需要的网纹,并且随着添加剂含量的增多,在一定范围内网纹密度会明显提高(见图12～14及表4),是影响网纹特性的最主要的因素之一。
图12:添加剂含量小于30%;
图13:添加剂含量70～80%;
图14添加剂含量95～100%。
3.4 镀铬电流密度的影响
在镀铬中阴极电流密度增大,阴极极化增大,晶核增多,晶粒变细化,内应力变大[5],
从而网纹变得稠密,网纹密度变大,反之,电流密度变小,网纹变得稀疏,网纹密度变小。
3.5 镀铬槽液温度的影响
在复合镀铬过程中,槽液温度是对网纹特性影响最主要的因素之一。随着温度的升高,镀铬极化减小,晶核变少,晶粒变粗大,内压力变小,网纹变得稀疏。反之,温度降低,网纹变得稠密。因此,在复合镀铬过程中一定要保持温度的均匀性和稳定性,否则,每层的网纹密度不一样,网纹分布均匀性差,网纹级别变化大。
3.6 镀铬层厚度的影响
复合镀铬层是由多层铬层组成的,这里讲的的铬层厚度是讲单层铬层的厚度。随着铬层厚度的增加,网纹变得稀疏,同时在其后的特殊处理时,可能造成网纹不能贯穿整个铬层。若每层厚度不一致,每层的网纹密度不一致,则还会影响铬层网纹分布的均匀性。
在试验中发现,在同样的镀铬工艺及镀后特殊处理方法下,单层铬层厚度越厚,则网纹特性越差,主要是网纹密度和网纹分布性差别大(见表5)。
3.7 特殊处理方法的影响
普通镀铬层的网纹密度和宽度不能满足复合镀铬层的要求,为此需要在普通镀铬层上进行特殊处理,以获得所需要的网纹特性。在试验中采取阳极刻蚀的方法以获得所需要的镀层。试验表明,随着刻蚀电流密度的增大,网纹密度明显增大,并且随着刻蚀强度(电流与时间的乘机)的增大,网纹宽度和深度增大(见表6～7)。如果刻蚀强度过小,不仅网纹宽度较小,而且会出现网纹不能完全贯穿整个铬层,产生网纹级别为4级的状况。试验表明阳极刻蚀工艺方法是影响复合镀铬层网纹特性的最主要的因素之一。
3.8 镀铬时活塞环筒给电方式的影响
在镀铬中活塞环的给电方式一般有两种方式,其一是一台整流器给多个工位送电(如图15所示),其二是一台整流器给一个工位送电(如图16所示)。
不同的给电方式对复合镀铬层的网纹特性会产生不同的影响。采用一台整流器给多个工位送电(如图15所示),由于不同工位的电阻不一样,导电性的差异,会造成工位之间的电流不一样,电阻小的电流大,网纹密度相对要大一些,网纹分布的均匀性也相对好些。采用一台整流器给一个工位送电时,则能准确控制电流,使电流一致,因此,网纹特性更易控制,更稳定。此外,一台整流器给多个工位送电,因导电差异严重时还可能造成个别工位的活塞环无铬层。因此,为稳定控制复合镀铬网纹特性,同时提高铬层的性能,最好的送电方式是一台整流器给一个工位送电。
4 总结
影响活塞环复合镀铬层网纹特性或网纹级别的因素有许多,其中最主要的因素是镀铬槽液特别是添加剂的种类和含量、镀液温度和特殊处理方法等。在复合镀铬过程中只要采取合适的送电方式,稳定控制槽液成份、操作参数和实施合理的特殊处理方法,是可以获得所需要的网纹特性,保证活塞环复合镀铬层的产品质量。
摘要：本文简要介绍了活塞环复合镀铬技术及其主要性能指标和网纹特性定义,重点分析了影响活塞环复合镀铬层网纹特性的因素,试验表明镀铬槽液成份特别是添加剂的种类和含量、镀液温度和特殊处理方法工艺等是影响网纹特性的最主要因素。
关键词：活塞环,复合镀铬,网纹特性
参考文献
[1]Piston Ring Handbook.Federal-Mogul Corporation
[2]李鸿年主编.电镀工艺手册.上海科学技术出版社
[3]曾华梁等编.电镀技术问题对策.机械工业出版社
[4]J.K丹尼斯,T.E萨奇著.孙大梁,张玉华,苏效轼译。镀镍和镀铬新技术.科学技术出版社
平台网纹 篇4
1 故障现象
我院安装一台西门子Trio Tim 3.0T磁共振设备,安装调试完毕运行正常,但不久开始出现伪影,该伪影表现为平行条纹,或水平方向,或垂直方向,与相位编码方向一致。最初只是偶发,出现在头部扫描中,几天出现一次且仅表现于一组图像中的其中一幅。但若是头部血管扫描,则可能连续40幅图像均有表现,重建出来的血管影像也能看到伪影。更换了头线圈,但一个星期左右伪影再次出现,后发现此类伪影也表现于颈椎、腰椎及其它部位。各部位出现伪影的频率逐渐增多。有时一天出现几次,且一个序列中有2~3幅图像同时表现为伪影。其表现如图1。
2 故障分析
此伪影方向总与相位编码方向一致,这与射频干扰伪影表现一致,首先怀疑为射频干扰伪影,射频干扰伪影是指射频干扰信号进入MRI系统的接收器后出现在图像中的离散噪声线。由于它的信号忽强忽弱,其图像表现为拉链状。这种伪影仅在相位编码方向出现。因机房的射频屏蔽完好,周边环境无变化,可排除外来射频干扰,扫描间亦没有增加新设施,室内照明为直流电源,采用220V/50Hz/200W的射灯及40W的普通灯泡。损坏的灯泡已去掉。但伪影故障依旧。
该伪影表现图像网纹伪影,网纹伪影是指出现在整个图像中的,类似于织物条纹或网纹的干扰信号。它的图像表现多式多样:其纹路既有平行的,还有环形的和网状的;纹线有稀有密,方向任意且贯穿于整个图像;常伴随较差的信噪比。网纹伪影有时仅出现在一幅图像上,有时一组图像均有表现。这与本次故障伪影表现相符。
3 故障排除
因网纹伪影一般是由信号中的尖峰干扰造成的,西门子公司在质量保证里提供了相关测试:采用体线圈及大体模,从主机Syngo操作界面中依次点击optionlocal serviceQAspike test可导入测试界面,经连续检测,可高频率发现尖峰点,这说明扫描中的确有尖峰干扰,采集系统部件之间的连接松动、焊接不良及静电干扰都能造成尖峰干扰。
首先排除静电干扰因素,如将一次性床单等由塑料换成纸质,去除耳机、头套等后观察,伪影仍然存在。之后考虑梯度系统,因本机梯度单轴强度达45m T/m,最大切换率为200m T/m/s,梯度引发的物理振动非常明显,因此将梯度关闭,采用体线圈及大体模,连续做尖峰测试,未发现尖峰点,由此确定故障应与梯度系统有关,或由梯度引发的震动导致机械摩擦火花引起。
为了进一步寻找故障源,从梯度柜D10(数模转换)及D70(控制波形调制)板分别启动X、Y、Z向梯度:如X-on/Y-off/Z-off来对X轴梯度做尖峰测试,分别测试后最终发现问题集中于Y轴梯度,为了确定故障是发生于电子柜还是在滤波板至梯度线圈段,在梯度柜至滤波板处将Y、Z轴电缆交换位置,做尖峰测试后故障表现于Z向梯度,说明滤波板前段梯度无故障。在扫描间侧再将滤波板至磁体的Y、Z轴电缆交换后,做尖峰测试后故障表现于Y向梯度,这说明滤波板本身也可排除,故障是在滤波板至梯度线圈段,关机将磁体后盖板打开,使梯度电缆及与梯度线圈接头暴露,仔细观察发现用于固定梯度电缆的一个螺钉松动,此螺钉邻近Y轴梯度电缆。将螺钉紧固后,开机连续做尖峰测试,结果正常,在此之后的连续观察中,未再出现伪影故障。
故障回顾:网纹伪影是由信号中的尖峰干扰,即延续时间短促且幅度较大的一类噪声脉冲造成的。电路元件焊接不良、部件之间的连接松动、模数转换器性能下降等因素均可引起尖峰噪声。如果在时间上满足了一定条件,尖峰干扰就可能在某一相位编码值上被采样。此后该尖峰信号将以K空间“坏点”的形式而存在。由于K空间每个点均与图像中的2D频率相对应,此“坏点”经傅立叶变换形成X方向和Y方向的振荡函数,并在最终图像中表现为某种形式的条纹。条纹的频率和方向取决于“坏点”在K空间的具体位置。“坏点”越大,图像中的条纹越明显。另外,如果尖峰信号不止一个,对应图像中的条纹将更加复杂。
网纹伪影主要在系统工作于极限条件的情形下产生,如使用小FOV和/或高采样速度进行成像的情况。接收通道故障时也可出现这种伪影。引起网纹伪影的其他因素有:信号采集与存储阶段的电磁波峰干扰;梯度功率放大器稳定性欠佳;模数转换器误差增大或故障;受检者衣着或毛毯所致的火花放电等。
参考文献
[1]赵喜平.磁共振成像[M].北京:科学出版社,2004.
[2]钟镜联,等.MR机网纹伪影故障检修[J].影像诊断与介入放射学,1998(3):88.