异质结构

异质结构（共12篇）

异质结构 篇1

由于在功能材料和器件方面的潜在应用前景,近年来,设计、制备具有可控形貌、尺寸、组成的分级结构的纳米材料引起了人们的广泛关注[1,2,3]。已经报导过的分级结构的例子有ZnO[4,5,6],CdS[7],SnO2[8]等同质分级结构,SnO2/Fe2O3[9],ZnO/SnO2[10],V2O5/TiO2[11],TiO2/Fe2O3[12]等异质分级结构。在上述众多的半导体氧化物中,TiO2和ZnO由于其极好的化学、电子、光学性质而被认为是在基础研究和实际应用上都非常重要的材料,因而制备TiO2/ZnO分级结构有着特殊的重要意义。

虽然文献中报导的制备分级结构的方法较多,如电化学沉积[13]、化学气相沉积[14]、热化学沉积[15]等,但这些方法大都需要复杂贵重的试验仪器以及高温高压等苛刻的试验条件,其应用具有一定的局限性。因此探索一种温和简单的制备异质结构的方法已经成为新的研究课题。

水热法因其低温环保是制备分级结构的较为简单的方法,但目前水热法制备分级结构都是同质结构,对异质结构的生长报导较少。Sun et al.[16]采用电纺和水热后处理两步法成功制备了松针状TiO2分级结构,在锐钛矿TiO2电纺丝上生长了金红石相TiO2纳米棒。在此研究的基础上,本工作采用电纺和水热两步法制备了ZnO/TiO2异质结构[17]。首先用电纺法制备了TiO2薄膜纤维,然后用水热法在TiO2纤维上生长ZnO结构。这一方法条件温和、环保、后处理工序简单,适合规模制备。本工作在前期工作的基础上,同时研究了反应时间对ZnO纳米棒的影响,对二级生长的ZnO的生长过程作了初步的探讨。

1 实验

1.1 电纺制备TiO2纤维

首先,在无水乙醇和乙酸的混合溶液中加入一定量的PVP,搅拌1h以得到混合均匀的混合溶液,然后将钛酸四丁脂加入到上述混合好的溶液中继续搅拌1h。将一定量的前驱体溶液加入到注射仪器中,调整好针头的直径,使溶液以一定的流速流出进行纺丝,作为接收器的铝箔放置在距针头尖一定距离处。最后对收集到的电纺丝在500℃下进行2h煅烧,合成出的TiO2薄膜作为下一步水热反应的基底。

1.2 ZnO/TiO2异质结构的低温水热合成

将0.263g醋酸锌,0.168g六次甲基四胺加入40mL去离子水中,得到澄清的反应溶液。然后将溶液倒入聚四氟乙烯内衬的反应釜中,并将TiO2电纺纤维放入反应釜,密封。之后将反应釜放入95℃的烘箱中反应。反应结束将TiO2基底取出,用去离子水和无水乙醇冲洗,所得样品在60℃烘箱中干燥。

1.3 样品表征

采用X’Pert PRO型X射线衍射仪进行物相测定。测定条件为:Kα射线,Cu靶,管压40kV,管流40mA,扫描速度0.4178(°)/s;用S-4300型电子扫描显微镜和透射电子显微镜(TEM)对薄膜进行形貌分析。

2 结果与讨论

2.1 XRD物相分析

样品的X射线衍射图谱(XRD)如图1所示,a,b曲线分别为TiO2纤维和ZnO/TiO2异质结构的XRD图谱。从曲线a可以看出,TiO2纤维的特征峰与锐钛矿相TiO2的特征峰相吻合,且没有其他杂质峰,说明电纺制备的TiO2纤维为具有很好结晶度的锐钛矿单晶结构。将TiO2纤维置于含有Zn(Ac)2-C6H12N4-H2O的水溶液中水热处理后,得到ZnO/TiO2异质结构的XRD曲线,可以看出含有锐钛矿TiO2和六方纤锌矿ZnO的特征峰。其中六方纤锌矿结构的ZnO的晶格常数为a=3.2648,c=5.2194,与标准ZnO晶体的晶格常数值相吻合,在曲线中除锐钛矿相TiO2峰和六方纤锌矿ZnO峰外没有其他的杂质峰,说明ZnO具有很好的单晶结构。

2.2形貌分析

图2a是在500℃煅烧2h后得到的TiO2电纺纤维的扫描电镜图。可以看出,TiO2纤维的直径在几个微米之间,纤维之间相互交织构成薄膜状结构。纤维的表面光滑,没有二级生长的结构。ZnO/TiO2异质结构通过在95℃水热处理含有醋酸锌和六次甲基四胺的水溶液获得。图2b为反应8h后得到的样品的低倍率的扫描电镜图。可以看出,在TiO2基底上生成了较高密度的ZnO结构。图2c为同一个样品的较高倍率的扫描电镜图,可以看出水热反应生成的棒状ZnO结构的长度在2～5μm,直径为300～500nm。图2d为样品的透射电镜图。可以看出,ZnO的直径沿C轴均匀分布,这表明在整个生长过程中,ZnO的生长是严格按照C轴取向的。图4d中的插图为ZnO棒的电子衍射图,可以看出ZnO具有沿[0001]面生长的单晶结构。

2.3 反应时间对产物形貌的影响

TiO2基底上生长的ZnO纳米棒的长度可以通过调节反应时间来控制。图3a为水热反应2h得到的ZnO/TiO2的SEM图,所制得的ZnO棒的长度在400nm～1μm,直径在100～300nm,反应时间延长至4h时(见图3b),ZnO纳米棒的长度增长,反应时间延长至8h(见图3c),ZnO棒的长度增长为3～4μm,直径保持在100～300nm。这说明随反应时间的延长,所得到的ZnO纳米棒的长度增大,而反应时间对ZnO在径向的生长几乎没有影响。

图3d为ZnO纳米棒在TiO2纤维上的生长过程示意图。首先,ZnO在TiO2纤维表面成核析出形成小颗粒;随后析出的粒子已此为成核点围绕这个成核中心相继成核并生长,随着ZnO棒生长,在TiO2纤维表面形成一层ZnO薄膜。

3 结论

(1)通过电纺和水热处理两步法在电纺的TiO2纤维生长了ZnO纳米棒阵列结构,制备了ZnO/TiO2异质结构,实现了两种不同氧化物半导体材料的结合。

(2)本文所提供的制备异质结构的方法简单,环保,且具有普适性,为制备其他各种异质结构提供了一种新的思路。

摘要：采用电纺和水热处理两步法,通过水热后处理在电纺的TiO2纤维上生长了ZnO二级结构,制备了ZnO/TiO2异质结构的复合材料,并研究了反应时间对ZnO生长的影响。采用SEM,TEM对异质结构的微观结构进行了表征,XRD对ZnO/TiO2进行了物相分析。

关键词：ZnO/TiO2异质结构,电纺法,水热法

异质结构 篇2

朋友之间，话不投机半句多；夫妻朝夕相处，生死与共。婚姻离异的缘由，说千道万，除了少数的是出自性障碍之外，绝大多数是源于性格不合。因此，要防备婚姻的裂变，应着眼于夫妻性格不合的矫治。

日本婚姻心理学家泉宇佐，对夫妻争吵的原因进行了调查，结果表明，妻子提出的前三位原因的顺序是：性格（急躁、任性）──社会态度──在家庭里的作用；丈夫提出的前三位原因的顺序是：性格（急躁、发牢骚）──家庭里的作用──生活态度。显然，引起夫妻争吵的要害是性格因素，尤为其中的“急躁”。至于会不会持家、会不会干家务以及带有价值观念的.对社会、对生活的态度等等，都退居其次或再次地位。

日本另一位婚姻心理学家兼子，对夫妻争吵互不原谅而向法院提出离婚者进行调查，发现妻子提出理由的前三位依次是：不贞──肉体上和精神上受到虐待──性格不合；丈夫提出理由的前三位依次是：性格不合──不贞──同亲戚不和。平心而论，夫妻之所以互为不贞，妻子之所以肉体上和精神上受到虐待和丈夫之所以同亲戚不和，原因较为复杂，但大多都与性格不合有关。

有的文学家常说“性格决定命运”，其实，夫妻关系又何尝不常为性格所左右？

心理学认为，性格是人对现实的态度和行为方式中比较稳定的、具有核心意义的个性心理特征。一个人形成了某种性格特征后，犹如戴上有色的眼镜，待人接物，一举一动，无不烙着其特征的印记。比如，急性的人干什么都是风风火火，慢性的人所作所为无不迟迟缓缓。性格是人在适应和改造环境的过程中逐渐形成的，它是人与环境相互作用的产物，是个体社会化的产物。性格虽然具有一定的可塑性，但要改变它却相当缓慢、困难，所以常言道：“江山易改，禀性难移”。因此，性格不合的夫妻，朝朝暮暮，要长期地、无条件地和平共处，委实困难。

但是，问题的另一方面，我们亦必须看到：所谓性格合不合，或者说情意投不投，并非绝对，性格相合是相对而言的。现实生活中，有些小夫小妻，新婚时情投意合，如胶似漆，但到了后来却反目相对，感情上格格不入，成了冤家对头；而另一些夫妻，结婚时性格不合，时有别扭，感情淡薄，但到了后来却夫唱妻和，妻行夫随，好不热乎。

婚姻心理学认为，所谓夫妻性格不合，实质上是这一方没有使另一方如愿以偿。同样道理，所谓性格相合，情意相投，就是夫妻双方彼此都能获得满足。这种互相满足包括物质上的和精神上的，通过努力是可以做到的，因此，夫妻的性格不合，即使已到了见到对方都感到是一种精神折磨的地步，还是不要轻易分道扬镳为好。与其束手待毙地哀叹与对方性格不合，不如身体力行，通过主观努力，在实现家庭职能中相濡以沫，弥缝不合，摆脱困境。

如何摆脱夫妻性格不合的困境，进而弥合夫妻间的缝隙呢？最好是用“异质整合”的方法。夫妻性格的异质整合，一般要经过迁就、接纳、应心三个阶段。

迁就，就是一方顺着另一方。夫妻之间，有各种各样分野，如一方要咸，一方要淡，一方爱音乐，一方好球类之类的兴趣爱好分野；一方当教师，一方当护士，一方当钳工，一方当营业员之类的职业所构成的生活方式分野；一方活泼好动，一方抑郁孤僻，一方急躁，一方沉着之类的气质分野等。有了分野，彼此难免产生不习惯、不适应现象。迁就，就是彼此宽容，面对现实，接受现实，彼此思想认同，行为顺着。

接纳，就是迁就的习惯化。如果说迁就是克己妥协和让步的勉强过程，那么，接纳就是勉强的解除，并渐趋自觉的过程。迁就时间久了，也就习惯了，不仅不觉得勉强，反而觉得非此不可。比如，爱吃甜的苏州人，与爱吃辣的四川人结合，从拒辣到尝辣到吃辣，到后来竟无辣不下饭。至此，这位苏州人的苏州口腹同化于四川美味了。笔者一位朋友，妻子喜欢咋呼，据他说，年轻时“她一咋呼我就头疼”；老来，妻子走亲戚，他整天魂不守舍，“好像缺少了什么，不对味”。瞧，接纳得多彻底！

应心，就是得心应手。夫妻经过接纳，性格、气质、习惯、作风等全面适应，互相熟悉，配合默契，臻于高度的和谐。

性格不合的夫妻进行异质整合，必须牢记：

第一，异质整合从迁就到应心，是个潜移默化过程，久久方得见功，它需要双方付出长期的努力；

第二，夫妻性格异质整合的基础是爱情，如果双方没有维护爱情，维护家庭强烈愿望，一切的一切，都将是侈谈；

关注差异、异质合作 篇3

【关键词】个体差异 小组合作 初中英语

小组合作学习是实现“个性化差异学习”最重要的方法之一。随着新课程理念的推广，小组合作学习模式被越来越多地引入到课堂中。本文以我校推进“小组合作学习”的课堂教学改革为背景，结合我校的实际情况，在实践中探索个体差异理念下，结合笔者自身的一些做法，在英语课堂开展小组合作学习的情况进行总结，以期能挖掘出小组合作学习的精髓，让学生的能力在合作中真正得到提升。

一、尊重差异——合作学习的前提

1.关注个体差异、指导学生分组。每个学生都是一个独立的个体，班级学生的认知水平和学习能力存在一定差异，教师在划分合作小组时，要充分考虑到不同层次学生的学习程度和性格特点，合理划分学习小组是合作学习取得成功的前提。合作学习小组的划分通常遵循“组内异质，组间同质”的基本原则。组内异质是指：小组内的成员应根据学业水平、性格、性别进行合理搭配。而组间同质是指：各个小组的实力均衡。这样的安排有利于充分发挥各个小组合作学习的有效性，更有利于各个小组之间的公平竞争。

2.借助个体差异、激发学生互动。合作学习小组构建完成之后，教师还应该对各个小组的成员进行合理分工，明确每位组员的职责。通常情况下，设立组长一名，负责本小组合作学习的组织和监督；记录员一名，记录组内合作学习的过程情况；联络员一名，负责组内成员之间的沟通和教师之间的交流。刚开始小组内成员的分工采用轮换制，在合作交往过程中，学生之间互相启发、补充，逐渐确定适合自己的角色，教师以此帮助学生构建起小组合作的意识。

二、合作竞争——合作学习的开展

1.课前预习。课前教师提出预习目标，例如：分小组预习单词，由每组由组长事先预习单词，领本组组员朗读，这样既培养了优秀生的自学能力，又能督促后进生投入到学习中，为他们上课扫清一些词汇上的障碍；教师还可以根据本课话题布置一些查资料的任务，在7A Unit 2 Sports第一课时中，可以让学生分组总结有关运动的词汇，课上组间分享，这样提高了课堂效果和学生主动性。在预习过程中对不明白的小组间可进行讨论解决，实在不明白的，可待上课时教师讲解处理。

2.课上活动。

（1）创造性地处理对话。对对话的教学我们往往是讲解重点句型，然后反复进行操练，继而让学生背诵。但久而久之，学生们就会失去兴趣。因此在处理每课或每一单元的对话内容时，我利用小组学习的特点和便利性，首先组内成员分角色熟读书中的对话，然后再小组讨论，编排出一个新对话，可套用书中的句型也可以增加一些自己的内容，并且制定出一个最佳对话进行表演，全班分享。这样做既可以完成书中的内容，又可以进行扩展训练让学生更多的参与到语言的实际运用中来，从而调动每一个学生的学习积极性。

（2）深入性地进行阅读。英语阅读一直是英语教学的重点同时也是难点，而老师的讲解也往往局限于对生词、重难点句型、语法知识点的讲解。但随着新课改的推进，教师需要从文章整体的框架、结构、深层含义以及文化意识等方面进行分析，这就对阅读课提出了更高的要求。那么利用小组合作可以解决其中的一些难题，阅读教学中的小组讨论可以有以下一些主要内容：1）对课文标题、插图等展开讨论，以激发学生的学习兴趣，发挥他们的想象力。2）对课文段落、细节、佳句、体裁、写作特点等进行讨论，以培养学生的鉴赏和概括能力。3）对课文难句、长句、某些词语展开讨论，以提高学生理解和运用语言的能力。4）对课文时代背景、作者的态度和观点展开讨论，以培养学生评价人和事物的能力。最后让学生在全班范围内进行讲述，与学生分享自己的收获并共同解决存在的问题，教师适时进行点拨，让学生在动态的合作交流中获得知识。

三、求同存异——合作学习的评价

1.多元评价、促进学生和谐发展。小组合作学习评价应突破传统学科教学中对作业评价、考试评价模式，它是一种多维的动态评价。小组合作评价的内容不仅有学习成绩，还包括合作中个人的参与意识、学习态度、合作习惯，小组的合作成效及其合作成果等的評价内容。小组合作学习的综合评定使学生通过竞争进行自我约束，加强了学生的合作精神，为学生提高学生的英语语言的运用能力提供了彰显个性的平台。

2.尊重差异、鼓励学生个性发展。小组整体评价的同时也不能忽略组内的个人，但个人评价不能变成优秀学生的独演平台。所以在评价的过程中，不仅应该评价学生知识掌握的程度，还要评价学生努力、学习态度，要加强对学生的进步与潜能的有效评价。而且评价的主体也不应仅仅局限于教师，应加入自我评价、组内互评、组间互评。教师要充分利用评价的积极作用，让每位学生感受到老师的关注、关爱，这样每位学生都会在小组合作这一模式中找到自己的位置、发挥作用，通过合作使个人价值充分体现。

参考文献：

异质结构 篇4

高质量的ZnMgO/ZnO异质结构通常采用分子束外延技术 (MBE) 和脉冲激光沉积技术 (PLD) 制备, 在低温下可观察到量子霍尔效应和Shubnikov-de Hass (SdH) 振荡, 证实了异质界面处2DEG的存在[3,4,5,6,7,8,9,10]。输运实验结果表明, 随着Mg组分的增大, 二维电子气浓度增大, 起源于导带偏移增大和极化效应增强。然而, Mg组分的增大导致ZnMgO势垒层和ZnO沟道层之间较大的晶格失配度, 从而使ZnMgO势垒层中结构位错和缺陷的密度增大, 二维电子气的迁移率大大降低。为了获得高电子迁移率的2DEG, 可以采取AlGaAs/GaAs、InGaAs/InP、AlGaN/GaN等异质结构中广泛使用的调制掺杂技术[11,12]:控制突变异质结两边的掺杂状况, 在窄能隙一边的ZnO沟道中不掺杂 (即为本征半导体) , 而在宽能隙一边的ZnMgO势垒中掺入施主杂质Al, 使电子和散射中心在空间上分离。空间层的引入使电子和散射中心在空间上进一步分离, 从而极大地提高ZnO沟道层中2DEG的迁移率, 故又称这些电子为高迁移率2DEG, 有望用于制备性能优良的高电子迁移率晶体管 (High electron mobility transistor, HEMT) 。

鉴于目前关于调制掺杂ZnMgO/ZnO异质结的报道较少[13,14], 为了促进人们对ZnMgO/ZnO异质结2DEG的认识及相关电子器件的研发, 本研究基于调制掺杂的Zn面ZnMgO/ZnO异质结构模型, 通过自洽求解一维泊松-薛定谔方程, 分析了掺杂浓度、空间层厚度对ZnMgO/ZnO异质界面二维电子气 (2DEG) 的分布、面密度等性质的影响, 并对计算结果进行了分析讨论。

1 调制掺杂ZnMgO/ZnO异质结构模型与计算

未掺杂Zn面ZnMgO/ZnO异质结如图1 (a) 所示, 器件模拟时设定ZnO层厚度为1μm, 完全弛豫, Zn1-xMgxO (x为Mg组分) 势垒层厚度为 (40+d) nm, 完全应变。ZnO层无应变存在, 仅有自发极化PSP (ZnO) , 方向指向衬底;ZnMgO势垒层中自发极化PSP (ZnMgO) 方向与PSP (ZnO) 相同, 由于ZnMgO处于压应变状态, 压电极化PPE (ZnMgO) 方向反平行于自发极化。ZnMgO/ZnO异质界面两边的极化强度不连续导致界面处感生正的极化电荷, 其面密度可以表示为σ=0.029xC/m[2,4,10], 电子被吸引至异质界面处聚集形成二维电子气 (2DEG) 。在未掺杂异质结中, 2DEG主要来源于极化效应诱生的电子。

调制掺杂的Zn面ZnMgO/ZnO异质结如图1 (b) 所示, 为方便与上述未掺杂器件做对比研究, 器件模拟时设定ZnO层厚度为1μm, 完全弛豫, Zn1-xMgxO势垒层完全应变, 总厚度为 (40+d) nm, 其中Zn1-xMgxO帽层厚度为20nm, 调制掺杂层厚度为20nm (掺杂浓度为Nd, 室温下完全电离, 且假设掺杂不会改变ZnMgO势垒层中的极化效应) , 空间层厚度为d, 掺杂浓度Nd和空间层厚度d可调。异质界面处感生的极化电荷面密度仍然为σ=0.029xC/m2, 电子被吸引至异质界面处, 此外施主电离产生的电子在肖特基势的作用下从掺杂层转移到ZnO沟道中。在调制掺杂异质结构中, 2DEG有2个主要来源:由极化效应诱生的电子和由ZnMgO掺杂层转移的电子。

通过自洽求解一维泊松-薛定谔方程 (PoissonSchr9dinger equations) , 可以获得ZnMgO/ZnO异质结的导带轮廓图 (所有能级都是相对费米能级EF而言) 和二维电子气n (z) 的分布。一维薛定谔方程表示为:

式中:m*=0.24me (me为自由电子质量) , z为异质结生长方向, V (z) 为电子势能, E和ψ (z) 分别为电子能量和波函数。一维泊松方程表示为:

式中:ε (x) =8.5+1.3x为Zn1-xMgxO的相对介电常数, φ (z) 为静电势, Nd为掺杂浓度, n (z) 为电子浓度。Zn1-x MgxO/ZnO异质界面处的导带不连续值 (导带偏移) 设定为ΔEC (x) =3.55xeV。本研究采用Gerg Snider的1DPoisson/Schr9dinger软件求解一维泊松-薛定谔方程得到ZnMgO/ZnO异质结中二维电子气的分布、面密度等基本性质, 分析了空间层厚度d、掺杂浓度Nd对二维电子气的影响。计算过程中设定温度T=300K, Mg组分x=0.3, 表面肖特基势垒高度eφb=1.5eV。

2 结果与讨论

2.1 空间层厚度对二维电子气的影响

图2为不同掺杂浓度Nd时, 2DEG面密度NS随空间层厚度d的变化关系。从图2中可以看出, 当异质结未掺杂时 (Nd=0) , 2DEG面密度NS随着空间层厚度d的增加而增大, d=0时的2DEG面密度NS=4.59×1012 cm-2, 而d=20nm时的2DEG面密度NS增大至4.85×1012 cm-2;当异质结调制掺杂时 (Nd=1×1018 cm-3) , 2DEG面密度NS随着空间层厚度d的增加而减小, d=0时的2DEG面密度NS=6×1012 cm-2, 而d=20nm时2DEG面密度减小至NS=5.8×1012 cm-2。在势垒层总厚度 (40+d) 相同的情况下, ZnMgO掺杂层施主电离可以为ZnO沟道输送附加的电子, 从而使2DEG面密度NS明显增大。因此, 除了异质结自身的极化效应诱生的电子 (标记为NS′) , 掺杂层向ZnO沟道转移的电子也是2DEG的重要来源 (标记为NS″) 。从图2中可以估算出极化效应和调制掺杂对二维电子气的贡献, 在d=0的情况下, 当异质结未掺杂时 (Nd=0) , 2DEG面密度NS=4.59×1012 cm-2 (即NS′=4.59×1012 cm-2) ;当Nd=1×1018 cm-3时, 2DEG面密度NS=6×1012 cm-2。由此可以得到, 调制掺杂对2DEG面密度的贡献NS″=NS-NS′=1.41×1012cm-2, 即Nd=1×1018 cm-3时, 极化效应对二维电子气的贡献略高于调制掺杂的贡献, 但为同一数量级。当空间层厚度d增大至20nm时, 由于表面态电子逐渐发射[10,15], 极化效应导致的2DEG面密度NS′增大至4.85×1012 cm-2, 而调制掺杂导致的2DEG面密度NS″减小至0.95×1012 cm-2, 这起源于空间层对掺杂层电子转移的阻碍。图2中2DEG总面密度NS的变化趋势是极化效应和调制掺杂相互竞争的结果, 2DEG总面密度NS随着空间层厚度d的增加而减小, 表明因极化效应增多的电子数小于因空间层阻碍掺杂层电子转移而减少的电子数, 当空间层厚度d从0nm增大至20nm时, 极化效应的贡献增大了0.26×1012 cm-2, 调制掺杂的贡献减小了0.46×1012 cm-2。改变表面肖特基势垒高度, 可以同时改变极化效应和调制掺杂对2DEG的贡献, 从而改变二维电子气总面密度NS及其随空间层厚度d的变化趋势, 例如在eφb=2.5eV的情况下, 当d=0时, 2DEG总面密度NS=4.84×1012 cm-2, 当d=20nm时, 2DEG总面密度NS增大至5.02×1012 cm-2, 表明此时因极化效应增多的电子数大于因空间层阻碍掺杂层电子转移而减少的电子数。

图3为调制掺杂Zn0.7Mg0.3O/ZnO (d=0, 10nm, 20nm) 异质结的导带轮廓图和二维电子气分布。

从图3中可以发现, 随着空间层厚度d从0nm增大至20nm, 二维电子气峰值浓度从2.08×1019 cm-3减小至1.98×1019 cm-3;三角形量子阱的深度从0.269eV缓慢减小至0.263eV;二维电子气浓度峰值与异质界面之间的距离维持在1.3nm附近。Nd=1×1018 cm-3时, 掺杂层区域形成一个浅的势阱, 随着空间层厚度增大, 掺杂层势阱变深, 施主电离产生的电子在肖特基势的作用下从掺杂层转移到ZnO沟道过程中需要跨过更高的势垒 (见图3中ΔE) , 当d=0时, 势垒高度ΔE为0.04eV, 当d=20nm时, 势垒高度增大至ΔE=0.19eV, 表明空间层对掺杂层电子转移的阻碍作用增强。考虑到掺杂层厚度为20nm, 当Nd=1×1018 cm-3时, 可以估算出掺杂贡献的最大2DEG面密度NS″=2×1012cm-2。因此可以推断, 在本研究讨论的ZnMgO/ZnO异质结中, 由于掺杂层势阱的存在, 掺杂实际贡献的2DEG面密度NS″应小于2×1012 cm-2, 且随着空间层厚度d的增大而表现出减小的趋势, 这与图2中的模拟结果一致。

2.2 掺杂浓度对二维电子气的影响

图4为空间层厚度d=10nm时, 2DEG面密度NS随掺杂浓度Nd的变化关系。

从图4中可以发现, 当Nd≤2.5×1018 cm-3时, 2DEG面密度NS随着掺杂浓度Nd的增大近似线性增大, 而后随着Nd的继续增大, NS的增大趋势变缓, 并逐渐达到饱和。Nd=0时 (势垒层未掺杂) , 2DEG面密度NS=4.74×1012cm-2, 当Nd=2.5×1018cm-3时, 2DEG面密度NS增大至7.56×1012 cm-2, 表明掺杂浓度Nd每增大1×1018 cm-3 (考虑到掺杂层厚度为20nm, 可以估算出掺杂贡献的最大2DEG面密度NS″=2×1012 cm-2) , 2DEG面密度增大约1.13×1012 cm-2, 小于理想值2×1012 cm-2。这一变化趋势可以通过图5中的导带轮廓图和2DEG分布较好地进行解释:随着掺杂浓度Nd的增大, 施主电离产生的电子数量增多, 而这些电子必须跨过一个势垒才能转移到ZnO沟道中, 掺杂层中变深的势阱阻碍掺杂层电子向沟道层转移 (当Nd=1×1018 cm-3时, ΔE=0.13eV, 当Nd=2.5×1018 cm-3时, ΔE=0.65eV) , 使2DEG面密度NS随掺杂浓度Nd的变化速率小于理想值, 在这个过程中掺杂层没有出现电荷积累现象。而当Nd>2.5×1018 cm-3时, 掺杂层逐渐开始出现电荷积累, 从而使转移电子的相对数量逐渐减少, 随着Nd增大至1×1019 cm-3, 2DEG面密度NS从7.56×1012 cm-2缓慢增大至8.45×1012 cm-2, 并逐渐趋于饱和。根据模拟结果可以推断:2DEG面密度NS随掺杂浓度Nd的变化趋势取决于势垒层中电离施主浓度、势阱深度和电荷积累3种效应的相互竞争, 即随着电离施主浓度Nd的增大, 掺杂层可以向ZnO沟道转移的绝对电子数量增多, 变深的势阱ΔE阻碍了掺杂层电子向ZnO沟道的转移, 掺杂层电荷积累也会使转移电子的相对数量减少。

从图5中还可以观察到, 随着掺杂浓度Nd的增大, 三角形量子阱加深, 从而使电子受到的限制作用增强, 电子更加靠近异质界面:随着掺杂浓度Nd从0cm-3增大至1×1019cm-3, 二维电子气峰值浓度从1.5×1019cm-3增大至3.3×1019cm-3;三角形量子阱的深度从0.227eV增大至0.341eV, 且增大的趋势逐渐变缓;二维电子气浓度峰值与异质界面之间的距离从1.3nm缓慢减小至1nm。

3 结论

克隆植物分株在异质环境中的分布 篇5

克隆植物分株在异质环境中的分布

将动物的理想自由分布理论与克隆植物相结合,在理论上研究其个体在斑块间的分布模式.在理想自由分布的框架中,忽略间隔子的.形态可塑性后,克隆植物分株的分布应该遵循投入匹配法则.当植物个体的竞争能力不同时,竞争权重的分布也不同,但是符合条件的分株数组合有无数组.同时没有出现不同类型的个体单独分布,总是表现为混合对策.研究表明分析动物分布模式的理想自由分布理论可以应用于克隆植物的分株分布.

作 者：李良 王刚 LI Liang WANG Gang  作者单位：李良,LI Liang(兰州大学生命科学学院,甘肃,兰州,730000;甘肃农业大学资源与环境学院,甘肃,兰州,730070)

王刚,WANG Gang(兰州大学生命科学学院,甘肃,兰州,730000)

刊 名：兰州大学学报(自然科学版)  ISTIC PKU英文刊名：JOURNAL OF LANZHOU UNIVERSITY（NATURAL SCIENCES） 年，卷(期)：2006 42(1) 分类号：Q945.51 关键词：克隆植物   理想自由分布   异质性  

语言、艺术的同构与异质 篇6

《符号，语言与艺术》在符号理论和符号学美学越来越受人注目的今天，为通过批判、改造以丰富并建立符合马克思主义基本精神、符合中国文化现实和文化特色的符号理论迈出了可喜的一步。

本书对语言与艺术在符号意义上的同构与异质的探讨很有启发性，如作者在“系统意义”与“指涉意义”的论述中认为，根据语言、艺术等符号现象中“一体”与“多义”的辩证关系，系统意义是指符号体内部结构的特定秩序，指涉意义是指一个符号体同它以外的外部世界的联系。就语言而言，对句子系统意义的解释，是依据句法的既定秩序对句子进行摹写，语句系统意义的揭示就是句法秩序的显现。在语言行为中，语句的指涉意义主要是通过对词的解释来建立的，而词的指涉往往又是多义的，一个词的指涉意义通常是多种语义的历史集合。语言与艺术在符号意义上的异质，主要表现为符号系统意义的区别。因为话语是线性的语音流，所以语言的系统意义在语句中首先表现为词的顺序；同时系统意义上的词法句法还有一种对词以至整个语句指涉意义的限定作用。但是在艺术作品中，比如小说这样的叙事文学作品，因系统意义的主要功能为表现作用，尽管其叙述同样被语言的句法所限定，但它的语言是一种后设语言，在叙述平面(字面)之下，还有一个“语言”系统；只有在这个符号系统当中，才能真正获得小说作为艺术作品的指涉意义。一般说来，在语言当中，符号的指涉意义是直接的、最终的、明晰的，并呈现为一种“向心”形态和“聚焦”现象。在艺术中，符号的指涉意义则是间接的、衍生的、模糊的，呈现出的是一种“离心”形态和“变焦”现象。“离心性”和“模糊性”越强，艺术的效果越强，联想和回味的余地越大。作者有关艺术和语言在符号意义上的同构与异质的探讨，给我们最重要的启示，乃是如何透过艺术作品的具体叙述景观，去窥探和把握作品更为深远的用意和内涵；这不仅对创作和欣赏至关重大，对批评则尤其显得必要。因为离开了对艺术符号指涉意义的自觉的历史追索，便无法建构新颖、健全、深邃的批评模式。另外，要完整地描述出语言和艺术的交流功用，还必须从符号的实际应用当中来认识符号的意指和交流活动。“语境”在符号学中是一个专门概念，从符号学角度研究语言和艺术，“语境”主要指的是对话情境。“对话”体现了解释的过程，对话情境实际上是解释展开的空间态势，是解释最为重要的实践依托。作者指出，“习惯”是人类思维科学的一个基基本范畴；习惯也就是约定俗成，是人类语言的基本准则。人类选择语言作为基本的信息传递和储存手段，说明语言能够以最小的生理、智力的消耗，表达最大的交际需要和信息储存。语言因“约定”而“俗成”，具有集体特性(空间特性)和历史特性(时间特性)。语言的对话→解释→习惯这样一种机制，同样适宜于艺术作为符号活动的本质内容。在艺术作品中，所有具有符号指涉意义的功能单位，都具有约定俗成性质的规范。即如戏曲中的“程式”，就是帮助编导、演员同观众“对话”的，具体起“对话情境”的作用。程式遵循“经济原则”，具有集体性和历史性的特点。艺术和语言在语境上的区别在于，后者对话的进行是以直接限定的时间空间和语境的关联作为条件的，前者对话的进行则是以语境的直接特征的消失作为条件的。在艺术对话中，正是由于对时空指示的直接特征的消失，读者才能调动和运用驰骋想象的能力，进行一种新的建构活动，根据自己的体验、经验和各自的文化背景，填补艺术作品在时空上的“空白”。所不同的是，象诗这样的艺术形式，一般在自然语言的层面，就脱去了时空的限定；而象小说等叙事型作品，因其语言的构成，要受自然语言句法和词法的限定，只有在进入后设语言这个深层的符号结构时，才会出现由读者想象驰骋的广袤领域。作者关于艺术和语言在符号应用中同构与异质的比较，最起码有三个方面的现实意义。就艺术创作者而言，其真谛在于自觉地追求和创造“空白点”。这种空白不仅是情节、画面等艺术表现要素的空白，而且也是整个作品指涉意义的空白。就接受而言，读者(或观众)可变被动为主动，以自我期待和超前思维，去开拓和填充艺术作品的空白地带。当然在理论批评方面，有了对艺术作品空白点的重视，最终也才能真正把握批评对象的深层意义和广博蕴含。

(《符号：语言与艺术》，俞建章、叶舒宪著，上海人民出版社一九八八年四月出版，3.30元)

异质结构 篇7

光子晶体的概念最早是由美国的 Yablonovitch E.和John S在1987年分别独立提出的[1,2]。光子晶体是一种由介质材料的周期性排列构成的人工晶体。与半导体中的电子一样,当电磁波在光子晶体中传播时,布拉格散射也会形成能带结构——光子能带,光子能带没有重叠,形成同半导体一样的能隙——光子带隙。光子带隙是光子晶体最重要的特征,频率落在光子带隙中的电磁波是禁止传播的。由常规介质构成的光子晶体的光子带隙对晶格常数、光波的入射角和极化方式以及结构的无序性极度敏感。近来,含超常材料的光子晶体由于其奇特的电磁特性和潜在的应用价值受到越来越多的关注[3,4,5,6]。

超常材料包括双负材料和单负材料。双负材料的介电常数ε和磁导率μ同时为负,而单负材料是指介电常数ε和磁导率μ中只有一个为负的超常材料,它包括负介电常数材料(ENG)(ε<0,μ>0)和负磁导率材料(MNG)(ε>0,μ<0)。由于电磁波在单负材料中的波矢量是复数,所以电磁波在其中只存在迅衰场,电磁波不能通过。但是若将两种单负材料组合在一起,这种结构对某些频率的电磁波是透明的,电磁波就能够通过。Alu和Engheta利用等效传输线方法研究得到由负介电常数材料和负磁导率材料组成的双层结构发生共振隧穿满足的条件(阻抗匹配和相位匹配)[7]。文献[6]利用传输矩阵法研究了由两种单负材料交替生成如(AB)M型周期性结构的光子晶体,发现这种新型光子晶体的光子带隙不敏感于光波的入射角、晶格标度和周期数的改变。本文将要讨论的是由四种不同的单负材料交替生成的形如(ABA)M(CDC)N(ABA)M(CDC)N周期性结构的光子晶体,首先依据传输矩阵法得到该结构透射系数表示式,通过数值模拟研究了它的透射谱随结构的晶格标度、周期数和光波的入射角的变化情况,接着讨论了平均介电常数和平均磁导率均为零的异质结构光子晶体隧穿模随不同晶格常数变化的情况,发现其能带随晶格常数的增大而逐渐变窄。

1 理论模型

如图1所示是一个由负介电常数材料和负磁导率材料交替生成的一维光子晶体(ABA)M(CDC)N(ABA)M(CDC)N,其中A(或C)是均匀各向同性负介电常数材料,B(或D)是均匀各向同性负磁导率材料,由于单负材料通常是色散的,它们的电磁参数分别为:

$\begin{array}{l}\text{A}:\epsilon {}_{\text{A}}=1-\frac{\alpha }{\omega {}^2},\mu {}_{\text{A}}=3(1)\\ \text{B}:\epsilon {}_{\text{B}}=3,\mu {}_{\text{B}}=1-\frac{\beta }{\omega {}^2}(2)\\ \text{C}:\epsilon {}_{\text{C}}=1-\frac{\alpha }{\omega {}^2},\mu {}_{\text{C}}=2(3)\\ \text{D}:\epsilon {}_{\text{D}}=2,\mu {}_{\text{D}}=1-\frac{\beta }{\omega {}^2}(4)\end{array}$

其中α=β=100,ω是电磁波的角频率,单位是(1015 rad/s),且入射电磁波的频率必须满足ω<10(1015 rad/s),才能保证各介质层为单负材料。A、B、C和D各层的厚度依次为dA、dB、dC和dD,M(或N)是结构周期数。假设整个结构处于空气中,且这里只讨论横电波TE波的情况,对于横磁波TM波可以此类推。

2 计算方法

设一电场E沿x轴方向的TE波由空气以入射角θ斜入射到由负介电常数材料和负磁导率材料交替生成的一维光子晶体(ABA)M(CDC)N(ABA)M(CDC)N结构上(z>0),如图1所示。运用传输矩阵法可以推得,在该结构同一层的任意两个位置z和z+Δz处的电场强度分量和磁场强度分量间满足以下矩阵关系[6]:

$\begin{array}{l}{\rm M}{}_j(\text{Δ}z,\omega )=\\ \left(\begin{array}{cc}\cos (k{}_z^j\text{Δ}z)& -\frac{\mu {}_j}{\sqrt{\epsilon {}_j\mu {}_j-\sin {}^2\theta }}\sin (k{}_z^j\text{Δ}z)\\ \frac{\sqrt{\epsilon {}_j\mu {}_j-\sin {}^2\theta }}{\mu {}_j}\sin (k{}_z^j\text{Δ}z)& \cos (k{}_z^j\text{Δ}z)\end{array}\right)(5)\end{array}$

其中j=A,B,C,D分别代表各材料层,而:

$k{}_z^j=\frac{\omega }{c}\sqrt{\epsilon {}_j\mu {}_j-\sin {}^2\theta }(6)$

是各单负材料中的有效波矢量,c为真空中的光速。利用电磁场切向分量在界面上连续的条件,可以得到置于空气中的该结构透射系数为[6]:

$t(\omega )=\frac{2\cos \theta }{(x{}_{11}+x{}_{22})\cos \theta +i(x{}_{12}\cos {}^2\theta -x{}_{21})}(7)$

式中xi,j(i=1,2)是连接入射端和出射端总的传输矩阵XN(ω)=${\displaystyle \prod _{j=1}^{{\rm N}}}$Mj(dj,ω)的矩阵元。

3 数值计算与分析

如图2所示是TE波正入射时该光子晶体(ABA)8(CDC)8(ABA)8(CDC)8的透射谱,其中选取各单负材料层的厚度分别为dA=1.0×10-8m,dB=2dA,dC=5dA,dD=1.5dA,周期数M=N=8。从图2中可知,在ω=3.7(1015 rad/s)和ω=8.5～8.9(1015 rad/s)附近至少有5个完全隧穿模。为了考察隧穿模随晶格常数减少的变化规律,计算中保持A层和C层厚度不变,减小B、D层的厚度,得到计算结果见图3,其中图3(a)中B层厚度$d{}_{\text{B}}=\frac{1}{2}d{}_{\text{A}},\text{D}$层厚度$d{}_{\text{D}}=\frac{1}{3}d{}_{\text{A}}$,图3(b)中的$d{}_{\text{B}}=\frac{1}{4}d{}_{\text{A}},d{}_{\text{D}}=\frac{1}{5}d{}_{\text{A}}$。图3与图2比较之后可以看到,随着晶格常数的减小,隧穿模分别向两侧即低频(或高频)移动,能带逐渐变窄,带隙加宽。由于电磁波在单负介质中只存在倏逝波,从单个介质层来看,电场局域在界面上,以迅衰场的形式从界面延伸到介质内部。从整个周期性结构来看,隧穿模局域在两个单周期的交界面上,当晶格常数减小时,两个单周期交界面间的距离减小,隧穿模的波函数发生交叠,距离越近,隧穿模之间的相互作用越强,频率之间的裂距越大;所以,当结构的晶格常数减小时,隧穿模由中心向两侧移动。

为考察结构周期数对隧穿模的影响,在图4中计算了几种不同周期数情况下一维光子晶体结构的透射谱,其中图4(a)中周期数M=N=12,图4(b)中周期数M=N=20,图4(c)中的 M=12,N=20。将图4与图2进行比较可以发现:随着周期数的增大,在ω=3.7(1015rad/s)和ω=8.7(1015rad/s)附近能带稍稍变宽,这说明该结构对周期数的改变不是特别敏感。

为考察入射角对隧穿模的影响,在图5中计算了入射角θ取三个不同角度时的透射谱。将图2与图5进行比较之后可以看到,随着入射角的增大,在频率ω=3.7(1015rad/s)附近的隧穿模几乎没有移动,而高频隧穿模向中心微微移动,与常规材料构成的一维光子晶体随入射角增大所有隧穿模都向高频移动不同。这说明该结构光子晶体的带隙和隧穿模对入射角的改变不敏感,高频隧穿模向中心微微靠拢说明入射角的增大导致隧穿模的简并,这一特性可以用来设计全向双通道滤波器。

这种结构的光子禁带对结构周期数和入射角不敏感,主要是由于在单负材料交界面附近倏逝波间相互作用而导致的。

前面讨论中对各单负介质层的厚度是任意选定的,下面将要讨论的是一类特殊情形:仍取各单负介质的电磁参数关系式不变,适当选择各单负介质层的厚度,使该结构的平均介电常数和平均磁导率均为零,即[5]:

$\begin{array}{l}\overline{\epsilon }=\frac{2{\rm M}d{}_{\text{A}}\epsilon {}_{\text{A}}+{\rm M}d{}_{\text{B}}\epsilon {}_{\text{B}}+2{\rm N}d{}_{\text{C}}\epsilon {}_C+{\rm N}d{}_{\text{D}}\epsilon {}_D}{2{\rm M}d{}_{\text{A}}+{\rm M}d{}_{\text{B}}+2{\rm N}d{}_{\text{C}}+{\rm N}d{}_{\text{D}}}=0(8)\\ \overline{\mu }=\frac{2{\rm M}d{}_{\text{A}}\mu {}_{\text{A}}+{\rm M}d{}_{\text{B}}\mu {}_{\text{B}}+2{\rm N}d{}_{\text{C}}\mu {}_C+{\rm N}d{}_{\text{D}}\mu {}_{\text{D}}}{2{\rm M}d{}_{\text{A}}+{\rm M}d{}_{\text{B}}+2{\rm N}d{}_{\text{C}}+{\rm N}d{}_{\text{D}}}=0(9)\end{array}$

当M=N时,令dC=xdA,dD=ydB,代入上式得:

$4(1+x)(3+2x)d{}_{\text{A}}^2=(1+y)(3+2y)d{}_{\text{B}}^2$

要使上式成立,必须令dB=2dA,且取x=y,于是有dC=xdA,dD=2xdA。根据这些条件,图6中分别计算了当x=2、4、5和6时,该结构的透射谱(分别见图6的(a)～(d)所示)。

从图6中可以发现,平均介电常数和平均磁导率均为零的一维光子晶体(ABA)M(CDC)N(ABA)M(CDC)N带隙结构随着晶格常数的增大,能带两侧向中心收缩变窄,隧穿模变得更尖锐。根据固体物理的紧束缚模型理论,随着周期性结构晶格常数的增大,局域在两个单周期交界面上的隧穿模的波函数相互交叠减少,形成的能带就变窄。这一特性可以用来设计单通道窄带滤波器。经过反复数值计算发现,当x≤1时,能带分布与x=1时几乎一样,没有多大变化,说明这种情况下平均介电常数和平均磁导率均为零的这种结构在晶格常数减小时能带并没有发生分裂,这与前面讨论的各单负介质层厚度任意取的异质结构光子晶体不一样,后者在晶格常数减少时隧穿模向两侧即低频(或高频)移动;当x>1以后,带隙分布变化较大(如图6所示),x=7时,能带已经变得极其狭窄,仅在频率ω=5.8(1015rad/s)附近;当x≥8以后,电磁波就不能通过,表明当晶格常数增大到一定值时,局域在两个单周期交界面上的隧穿模不能发生相互交叠,从而不能形成能带,该光子晶体变为不透明的。

由于单负材料中正入射电磁波的有效波矢量为$k{}_z^j=\frac{\omega }{c}\sqrt{\epsilon {}_j\mu {}_j}$,当$\overline{\epsilon }=0,\overline{\mu }=0$时,k${}_z^j$=0,则电磁波在平均介电常数和平均磁导率均为零的这种光子晶体中传播时相位延迟(k${}_z^j$dj)为零,所以这种结构的光子晶体可以用来设计零有效相位延迟滤波器。

4 结 论

本文应用传输矩阵法研究了以三层单负材料为周期单元的一维光子晶体(ABA)M(CDC)N(ABA)M(CDC)N的光子禁带,相比于由两层单负材料构成的光子晶体(AB)M,具有更狭窄的通带,对结构周期数和入射角同样是不敏感,利用这一特性可以设计全向双通道滤波器。研究还发现,平均介电常数和平均磁导率均为零的异质结构能带宽度随晶格常数的增大而逐渐变窄,这一特性可以用来设计单通道滤波器件,同时其中的电磁波有效波矢量为零,利用这一特点可以设计全向零有效相位延迟滤波器。

参考文献

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[3]Liu Nianhua,Zhu Shiyao,Chen Hong,et al.Superluminalpulse propagation through one-dimensional photonic crystalswith a dispersine defect[J].Phys Rev E,2002,65(4),046607:1-8.

[4]Wang Ligang,Chen Hong,Zhu Shiyao.Omnidirectional gapand defect mode of one-dimensional photonic crystals withsingle-negative materials[J].Phys.Ren.B,2004,70(24),245102:1-6.

[5]邓新华,刘念华,刘根泉.单负材料光子晶体异质结构的频率响应[J].物理学报,2007,56(12):7280-7285.

[6]Jiang Haitao,Chen Hong,Li Hongqiang,et al.Properties ofone-dimensional photonic crystals containing single-negativematerials[J].Phys Rev E,2004,69(6)066607:1-5.

异质结构 篇8

关键词：ZnO纳米棒,太阳能电池,光电转换

0 引言

ZnO是一种六方晶系结构的半导体,它具有很宽的禁带,室温带隙为3.37 ev,且束缚激子能高达60 mV,这使它在表面声波导[1],太阳能电池[2],紫外激光器[4]等方面具有潜在的应用价值。ZnO纳米线由于表面积巨大,产生了其本体块状材料所不具备的表面效应、小尺寸效应和宏观量子隧道效应等[5]。因此,ZnO纳米线在磁、光、电、化学和物理学等方面具有无法比拟的特殊性能和新用途[6],成为了众多领域研究的热点。半导体一维纳米结构体系,其大的表面/体积比能增大对太阳光的吸收能力,而且这些纳米结构中的原子具有定向的有序生长,使电子可以在其中做定向运动[7];另外,一维结构还提高了材料的结晶质量,有效减少了其中的缺陷态密度,使在其中做定向移动的载流子受到散射和被俘获的几率降低[8]。一维结构材料既可以作为太阳电池的光吸收层,又可以单独作为制备太阳电池的材料[9]。因此半导体的纳米结构在提高太阳能电池光电转换效率方面被人们寄予厚望[10]。本研究组采用化学气象沉积方法分别在硅片表面制备面积垂直排列和非规则排列ZnO纳米线阵列,这些阵列具有非常优异的减反射性能,利用这些ZnO纳米线阵列设计和制作了Si基ZnO纳米棒阵列光伏电池。

1 实验部分

1.1 纳米结构的制备

采用两步法,首先用溶胶甩膜法在p型Si衬底上生长一层氧化锌纳米晶薄膜,然后通过化学气相沉积的方法制备了一维ZnO纳米结构。室温下,将二水合乙酸锌溶解在乙二醇甲醚溶液中,然后加入与Zn2+等摩尔浓度的乙醇胺。在60℃条件下形成Zn2+浓度0.7 mol·L-1的透明、均一的溶胶。将制得的胶体旋涂与Si基底上,放入360℃高温炉中,在空气中加热30 min取出。由此得到ZnO纳米晶薄膜。ZnO纳米棒的制备在在高温管式炉中进行。

1.2 器件的制备

将生长在p-Si衬底上的ZnO纳米帮样品放入匀胶机在ZnO纳米线薄膜上旋涂光刻胶,以填充ZnO纳米线之间的空隙,严格控制胶的粘度及甩胶的转速,以使光刻胶涂层的厚度与纳米线的高度相当,进而在经过150℃的坚膜后,用真空镀膜机在PVA薄膜上蒸镀Au做上电极,在Si上蒸镀Al做背电极。

2 结果与讨论

2.1 纳米结构的测试与分析

图1是不同反应温度下所得到的ZnO纳米结构的SEM形貌。从图1(a)和图我们可以看到样品表面为Zn0微米柱+纳米针的复合结构。图1(b)样品表面开始生成大面积的纳米线结构,纳米线的直径和长度也相对变大,其直径大约在40-50 nm。图1(c)是我们得到定向的Zn0纳米棒结构。端呈现的正六边形结构,并且垂直于衬底。图2(d)是在不同形貌下得到的ZnO纳米结构的XRD谱图。图中只出现了典型的纤锌矿Zn0的峰谱,表明制备得到的Zn0为典型的六角纤锌矿结构。说明在上述两种条件下得到的样品都具有沿(002)择优取向并且高度垂直于衬底的特点。随着温度的升高,样品的衍射峰相对强度逐渐增加,也就是说样品的结晶程度逐渐随生长温度的升高而增加。分别将图1三种形貌的ZnO纳米结构的样品定义为样品A、样品B和样品C。

2.2 器件光伏特性的测量

图2为不同ZnO纳米形貌下器件的暗电流曲线。可以看出,在没有光照时,器件呈现出了好的整流特性。可以看出图1(c)形貌下的器件表现出较好的整流特性,在正向电压为1V的时电流为0.189m A,反向电压为-1V时,电流为4.6×10-4mA。

图3为器件在光照下的J-V曲线图,从图中可知样C表现出最好的光伏特性。由图可以得到样品C的开路电压VOC为0.78V,短路JSC电流为6.22mA/cm2。对应的填充因子为45%,光伏器件的效率为2.6%。可以看出器件的性能与纳米棒尺寸,排列取向有关,样品a,b的纳米结构取向杂乱,没有按照同一方向规则排列。这会降低其电导和迁移率。这种光伏器件的光电性能与载流子迁移率,电荷传输性能有很大关系。而电荷传输能力的高低与纳米材料的排列结构关系密切。制备出规则有序排列的ZnO一维纳米阵列结构材料有利于载流子输运和光伏器件光电转换能力的提高。

因为Zn O和Si的禁带宽度分别为3.37e V和1.1eV,在ZnO与Si的接触区形成不对称的能带结构,产生大的能带势垒。所以在ZnO结这一侧电子的扩散和与空穴的复合变得困难。所以在Si表面定向生长宽禁带半导体纳米阵列可以在结区减少漏电流的产生。当光照射器件的表面时,若光子的能量大于Si的能隙而小于ZnO的能隙时,则在Si的一侧,价带上的电子吸收光子能量后,被激发到导带,产生光生电子和空穴。在ZnO/Si异质结势垒区产生的光生电子和空穴,在异质结电场作用下被分离到ZnO一侧和Si的体内,距离异质结边界几个扩散长度范围内的光生载流子,当它们扩散到异质结边界时,在异质结电场作用下,也被势垒电场所分离。这两种运动的结果在ZnO/Si异质结两边形成光生载流的积累,从而产生光电压。

2.3 反射光谱的测试

图4是Si两种不同形貌ZnO纳米结构与原始硅片反射光谱的对比,在200-900nm波长范围内,样品C平均反射率约为5%,样品B平均反射率约为8%,均大大优于普通抛光硅片大于25%的平均反射率。样品B减反射性能略低于样品C的原因可能在于测试时入射光是垂直硅片表面人射的,相对于垂直阵列,不规则纳米结构顶部区域会使得更多的光被反射出去。

3 结论

采用化学气相沉积的方法在p型硅片表面制备出垂直排列和不规则排列的ZnO纳米线阵列,并在此基础上制备n-ZnO纳米线/p-Si光伏器件。试验测得性能最好的器件的开路电压VOC为0.78V,短路JSC电流为6.22 mA/cm2,效率为2.6%。同时,一维结构的ZnO纳米阵列具有非常优异的减反射性能,利用这些ZnO纳米线阵列设计和制作了新型异质结纳米阵列太阳电池,其在200-900nm波长范围内,反射率约为5%。远低于原始Si片25%的反射率。

参考文献

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异质结构 篇9

近年来,结构调整成为我国经济社会发展重点,并取得一定成效,产业结构实现由二、三、一向三、二、一的转化,就业情况也得到有效改善,农村大量剩余劳动力转移到二、三产业。但在结构调整过程中,产业结构与就业结构间出现偏离,第一产业就业人口比重显著大于其产值比重,第二、三产业就业人口比重则小于其产值比重。然而现阶段,我国第二产业吸纳就业能力显著下降,而第三产业创造的就业在绝对值上虽有上升,却未与其产值相匹配,因此,转移劳动力的就业问题日益恶化。同时,由于企业转型、技术进步等因素,企业用人门槛提高,对不同类型劳动力表现出不同需求,而人口结构变化、教育等因素更进一步强化了劳动异质性,产业结构偏离问题更加复杂。面对当前结构调整的迫切任务、复杂严峻的就业形势以及日益加剧的收入分配等问题,我国必须明确产业结构的真实偏离程度与影响因素,合理规划产业结构调整的方向,协调产业结构与就业结构的调整步伐。这将对需求结构、供给结构和城乡结构调整,推动整体结构转化升级,缓解就业压力有事半功倍的效果。

现有研究中,学者们利用偏离———份额分析方法及结构偏离度、就业弹性、协同系数等指标对产业结构和就业结构之间的偏离定量测度,针对不同的主体(全国、长三角等) 进行了数量分析,发现虽然局部之间存在略微差别,但整体来看具有相同趋势,第一产业劳动生产率较低,劳动力迫切需要转出,第二、三产业对劳动力有较强吸纳能力。同时指出,产业结构与就业结构之间偏离的主要影响因素除政府政策外,还包括了城镇化程度、劳动力市场完善情况、劳动力素质以及技术进步等(王少国,刘欢,2014; 杨秋明等,2013; 张美玲等,2015; 戴志敏等,2015)。然而,现有研究没有考虑当前劳动力市场上客观存在的劳动异质性,仅简单地将劳动力视作同质。事实上,我国就业市场上也确实存在 “民工荒”、“技工荒”和大学生就业难这类典型劳动的问题,不同类型劳动力的就业情况不能一概而论。因此,现有不考虑劳动异质性的分析结果虽然有一定的借鉴意义,但却无法解释中国目前所面临的典型就业现象,更不能深入揭示就业结构与产业结构偏离的复杂过程。

本文充分考虑劳动异质性,通过人力资本将劳动异质性引入产业结构偏离分析中,并基于产业人力资本结构重新定义产业结构偏离度,利用这一指标深入考察中国真实的结构偏离,然后构建系统的影响因素分析体系,通过计量分析寻找结构偏离度的影响因素,最终为产业政策、就业政策提供一些可行的战略性建议。

1 相关理论假设与机制

就业结构与产业结构的调整本质上是要素再配置与生产优化的过程。在这一过程中,产业部门作为就业岗位的提供方和劳动力需求方,对劳动就业有直接影响,即在一定程度上,就业结构取决于产业结构。另一方面,产业部门生产发展和优化升级需要相应匹配的劳动力投入,其产品所面对的需求结构也受收入结构的直接影响,故产业结构也受就业结构的影响。总之,就业结构与产业结构相互影响、互为因果,产业结构需要合理就业结构的支撑,就业结构需要产业结构提供强有力的需求拉动。现有关于就业结构与产业结构调整的理论模型主要有刘易斯二元模型、拉尼斯———费景汉模型、托达罗模型和乔根森模型等,这些理论指出在农村存在大量剩余劳动力和劳动同质的假设前提下,产业间劳动生产率的差距会导致产业间收入差距。继而在产业间收入差距作用下,劳动力从生产率较低的产业向生产率较高的产业转移,实现产业结构与就业结构的调整。而在考虑劳动异质性①的情况下,不同类型劳动力的劳动生产率和消费偏好与决策均存在差异,劳动力在产业间的转移不仅会改变产业间相对劳动生产率,对需求结构也有影响,就业结构与产业结构的调整协调过程更加复杂。为针对性讨论劳动力之间劳动生产率差异的影响,本文假设劳动异质性仅表现为劳动生产率的差异,个人消费偏好与决策无差异。则在基本理论框架下,不同类型劳动力通过市场有效定价,在产业间自由转移配置,最终相同类型劳动力在不同产业间的劳动生产率及劳动产出弹性达到一致,实现就业结构与产业结构的均衡。

以上分析从理论上明确了均衡的存在性,但由于各种现实因素,就业结构与产业结构会发生偏离。现有文献中,学者一般使用结构偏离度②来刻画。本文根据结构偏离度的基本内涵,结合劳动异质性特征重新定义,通过产业间人力资本结构考察劳动异质情况下的结构偏离度。即结构偏离度= 产值比重- 人力资本比重。其中,人力资本量通过教育折算法得到,第i产业拥有的人力资本存量,Hi= 第i产业小学及以下受教育程度就业人口 × 1 + 第i产业初中受教育程度就业人口 × 1. 2 + 第i产业高中受教育程度就业人口 ×1. 4 + 第i产业大专及以上受教育程度就业人口 ×1. 77。

注: t为时间,i = 1,2,3。

理论上讲,在完全竞争和出清的产品市场和要素市场情况下,就业结构与产业结构会实现均衡。但在现实环境中,前提假设无法成立,就业结构与产业结构会发生偏离。从劳动力供求理论上看,就业结构与产业结构调整受供给因素、需求结构因素和技术进步等因素的影响。劳动力供给方面,劳动力市场上劳动者素质和技能水平是其参与市场交易的资本,只有实现和用人单位间供求的匹配才能够顺利就业。随着产业结构的调整,企业等劳动力需求方对劳动者的素质和技能要求水平提高,劳动力素质是否与产业结构相匹配,将直接影响到就业结构与产业结构的均衡。劳动力需求方面,生产商的生产决策和劳动需求取决于其产品所面临的需求及生产技术。若第二产业产品需求旺盛,则第二产业将扩大生产,在生产技术不变的情况下,就需要更多的劳动力投入。另一方面,若某产业生产技术取得重大进步,大幅提高劳动者的生产效率,将会减少对劳动力的需求。同时,在不完善的市场机制下,价格无法反映真实的供求关系,较低的市场化程度可能阻碍劳动力的配置。综上,就业结构与产业结构间的均衡会受到劳动供给结构、产品需求结构、技术进步和市场环境的影响。

2 劳动异质情况下的结构偏离度数据分析

通过对劳动同质和劳动异质下产业结构偏离度的定义,利用1978 ~ 2014 年 《中国统计年鉴》和2006 ~ 2014 年 《中国人口和就业统计年鉴》 数据,本文得到劳动同质情况下的结构偏离度Di1,t以及劳动异质情况下的结构偏离度Di2,t,如表2 所示。

对比发现,两种情况下,三次产业结构偏离程度出现明显差异,但偏离的趋势保持一致。平均来看,相较于劳动同质情况,在劳动异质情况下,第一产业结构偏离度低了3 个百分点,第三产业结构偏离度低了约5 个百分点,而第二产业结构偏离度高出2 个点。从测算过程上看,两种情况下出现的差异最直接的原因是三次产业所吸纳的劳动力人力资本水平不同。第一产业劳动力以小学及以下学历为主,人力资本水平最低; 第二产业劳动力以初、高中学历为主,人力资本水平居中; 第三产业劳动力学历水平分布较为广泛,相对较高,主要分布于高中、专科、大学及以上。从整体人力资本水平上看,则主要原因在于中国就业市场上劳动力人力资本水平主要集中于中等偏下水平,且这类劳动力主要集中在第一产业和第二产业之中,而第三产业人力资本水平分布范围较广,且整体水平相对较高。

%

在趋势上,两种情况下得到的结论基本一致。第一产业结构偏离度为负,产业内滞留大量待转移劳动力,且偏离程度以年均5% 的速度缩小;第二、三产业结构偏离度为正,劳动生产率较高,存在吸收第一产业转出劳动力的动力和空间,且第二产业结构偏离度稳步缩减,结构逐渐向均衡靠拢,而第三产业结构偏离度变化无明显趋势,始终维持在低水平小幅波动,如图1 所示。

基于产业结构偏离程度的重新测度,本文重点关注以下两个问题: (1) 第三产业结构偏离度始终维持在较低水平且无明显下降趋势,如何解释; (2) 合理解释 “民工荒”和大学生就业难等典型现实问题,如何解决。

第三产业结构偏离度始终维持在较低水平,说明在短期内第三产业产业结构相对较为均衡。面临大量的劳动力从第一产业转出,第三产业结构偏离度始终维持在低水平且波动幅度小,这一现象表明第三产业始终处于产值比重和就业比重同步上升的状态。即,第三产业发展越好,吸收的人力资本就越多。从长期和整体调整来看,第一产业中还存在大量低人力资本劳动力需要转移出来,第二产业面临着产业结构和劳动力人力资本水平结构升级重任。为实现整体均衡,第三产业需要大力发展,吸纳更多不同层次劳动力,同步推高其产值比重和人力资本比重。目前,第三产业只是接近于低水平均衡状态,需特别警惕这种低水平均衡陷阱。

“民工荒”这一问题由三次产业对民工这种低人力资本劳动力的低供给和高需求共同造就。作为主要转出方,第一产业结构偏离程度逐年下降,可输出的低人力资本劳动力减少;第二产业对人力资本需求整体水平略有上升,但整体仍对低水平劳动力保持旺盛需求;第三产业全面发展,人力资本需求两极分化。“大学生就业难”的问题主要是第三产业发展不足,并已吸纳大量具有高人力资本的劳动力,目前正处于消化不良的低水平均衡状态,短时间内无法进一步扩大对大学生的吸收。

基于以上 “民工荒”和大学生就业难等重点人群的就业问题,本文认为要缓解或者解决这类问题,实现产业结构与就业结构之间的平衡,长期来看,首先必须保证劳动力转移过程的通畅,确保劳动力能够顺利从低劳动生产率的产业转出,顺利进入劳动生产率高的产业。就目前形势来看,更关键地是要扩大劳动力需求。第二产业要全面转型升级,加快技术创新,革新生产条件,减少对操作式劳动力的用工需求,提高对劳动力人力资本水平的需求,提高产业人力资本整体水平。解决大学生和农村转移劳动力就业问题的关键还是在于第三产业的发展。第三产业必须肩负起承接大量不同层次人力资本劳动力就业的重任,加速发展,以多元化的发展吸纳不同水平人力资本的劳动力。

3 劳动异质情况下结构偏离度的影响因素分析

3. 1 影响因素指标体系构建

在现有研究中,学者们通过理论机制和实证上的分析指出,除政府产业政策导向外,城乡政策性和体制性壁垒,消费、投资和出口的需求结构、技术进步、劳动力素质以及城镇化程度和市场化程度等都会对产业结构与就业结构间偏离产生影响( 张抗私,王振波,2014; 杨秋明等,2013; 陈心颖,2012; 张建华等,2012; 乔学斌等,2013; 肖兴志等,2013; 齐鹰飞,王伟同,2014) 。本文综合现有研究中的指标,选取以下指标进行定量分析。

3. 2 影响因素实证分析

3. 2. 1 模型构建

本文试图通过面板数据的回归分析寻找产业结构偏离的影响因素。由于表3 所列举指标间高度相关,本文先通过主成分分析法提取不相关的主成分(除技术进步(F4X1) 外)。主成分分析结果如表4 所示,第一、第二主成分对原指标体系的总变异有85. 7% 的贡献度。在尽量包含原指标信息前提下,出于自由度的考虑,本文使用第一主成分p1 和第二主成分p2。

于是,得到以下变量组合,被解释变量: 第二产业结构偏离度D22,t,第三产业结构偏离度D23,t; 解释变量: 第一主成分p1t,第二主成分p2t,全要素生产率F4X1t。综上,本文构建以下模型进行计量分析:

通过Hausman检验,得到F值为103. 71,确定使用固定效应模型。

3. 2. 2 回归结果

通过STATA回归分析,得到模型估计结果如表5 所示,第一主成分p1 的系数显著为负,即p1 增加一个单位,结构偏离度将下降0. 18 个百分点。又p1是各影响因素的线性组合,故得各项指标的系数如表6 所示。最终,除城镇恩格尔系数(F1X3)、农村恩格尔系数(F1X4) 和外贸出口额占GDP比重(F3X1) 系数为负以外,其他因素的系数均为正。也就是说,城镇、农村居民家庭中食物支出占消费总支出的比重越高,产业结构偏离越严重; 外贸出口额占GDP比重越大,外贸依赖度越高,产业结构偏离越严重; 劳动力素质越高、城镇化和市场化程度越深将有助于消除产业结构偏离。

说明:括号内为p值

特别地,城镇居民生活消费支出占可支配收入比重(F1X1) 和农村居民生活消费支出占其纯收入比重(F1X2) 系数符号相反,表明城镇居民生活消费支出占可支配收入比重越高,结构偏离程度越严重,而农村居民生活消费支出占其纯收入比重却对结构偏离度有负的作用,农村居民生活消费尚未达到饱和状态,农村消费市场存在巨大潜力。其次,农村恩格尔系数(F1X4) 对结构偏离度的影响系数几乎是城镇恩格尔系数(F1X3) 的8 倍,即,同样1 单位的变化,农村恩格尔系数引起的产业结构偏离度的变化是城镇恩格尔系数所引起变化的8 倍。这一结果同样意味着庞大的农村消费市场才是未来扩大内需的巨大潜力所在。

总的来看,影响因素的实证分析结果与主观判断基本一致,具体如表7 所示,产品需求结构的优化、劳动者素质的提高、城镇化和市场化程度的提升都有助于降低产业结构与就业结构之间的偏离。其中,产品需求结构的优化指的是整体内需扩大,城乡尤其是农村恩格尔系数降低,投资需求扩大。最为关键的是,通过实证分析发现,拓展农村消费市场有助于解决产业结构偏离问题,且农村消费市场确实存在巨大潜力。

4 总结和建议

4. 1 总结

本文通过对产业结构偏离度进行重新定义和测度,发现第一产业和第三产业结构偏离程度被高估,第二产业结构偏离度被低估。第一产业仍是低人力资本劳动力转出方,第二产业转型升级进展缓慢,对较低人力资本劳动力有旺盛的需求,第三产业发展不足,且吸纳的就业已接近顶点,陷入低水平均衡状态,对较高人力资本劳动力吸收能力难以为继。

通过对结构偏离度影响因素的面板数据分析,本文发现产品需求结构的优化、劳动力素质的提高、城镇化和市场化水平的提高均有利于缓解产业结构偏离,促进产业结构与就业结构的均衡。特别地,开拓农村消费市场、激发农村消费潜能以及加快第三产业发展对解决结构偏离以及就业问题有显著效果。

4. 2 建议

在我国结构调整过程中,要解决产业结构偏离现状,缓解典型劳动力就业问题,须从影响因素体系入手,有框架、有重点地全面推进。

4. 2. 1 扩大内需,优化产品需求结构

降低对外出口依赖,鼓励投资,激发产品市场活力和金融市场活力,提高城乡收入水平,特别针对农村消费市场,刺激和鼓励农村消费。

4. 2. 2 增加有效教育投入,全面提高劳动者素质

对接劳动力市场需求,针对 “民工荒”、“技工荒”、大学生就业难等结构性问题,优化教育结构,增加专业技能教育投入,提高劳动力供求匹配度。

4. 2. 3 全面推进城镇化进程和市场化改革

推进城乡一体化发展,减小城乡差异,并通过城镇化释放被土地束缚的劳动力,确保劳动力的自由流动。提高市场化程度,确保劳动力市场上供求作用机制的正常运转,实现劳动力在产业间的转移和有效配置。

4. 2. 4 正确把握三次产业发展和结构调整方向

第二产业和第三产业作为第一产业转移出劳动力的吸纳方,是解决当前就业问题的关键。第二产业应加快产业内技术升级,调整产业发展路径,提高对高人力资本的需求,降低对低人力资本的依赖,提升内部人力资本水平。尤为关键的是,第三产业必须全面加快发展,以全面优质的发展吸纳不同人力资本水平劳动力,拓宽就业渠道,实现从短期均衡向长期均衡的跨越。

摘要：本文充分考虑劳动异质性,利用产业人力资本结构,重新核算三次产业结构偏离度,发现第一产业和第三产业结构偏离程度均被高估,第二产业结构偏离被低估,进而指出“民工荒”、大学生就业难等现象产生的原因是第一产业可转出人力资本减少,第二产业需求旺盛,而第三产业由于发展不足陷入低水平均衡状态。最后通过系统的影响因素分析发现,解决我国结构偏离和就业问题的重点在于优化需求结构、合理规划产业发展路径以及全面推进城镇化和市场化进程,关键更在于释放农村消费市场巨大潜力和全面加快第三产业发展。

电子文件的异质备份 篇10

一、在论证层面, 深入调研, 进行电子文件异质备份的科学论证

鉴于电子文件异质备份目前在档案界尚处于起步摸索阶段, 前期投入较大, 还有大量准备和辅助工作要做。需要先进行前期调研和科学论证。科学论证, 即合乎科学的论述与证明。电子文件异质备份, 存在各种不确定的因素, 涉及到各种技术, 因此必须在备份之前, 提前对各项计划及各方面情况实行科学论证。首先是方案论证, 也就是对整个异质备份工作的计划进行论证, 因为计划一旦出错, 或出现哪怕只是细微疏漏, 都可能对电子文件异质备份的安全造成不可估量的严重后果。其次是技术论证, 包括保管技术、存储技术和安全利用技术等各种档案安全技术的研发与使用, 要求电子文件异质备份工作必须遵照各单位自身的实际情况, 对电子文件异质备份过程及环境进行安全分析, 然后对其技术应用进行科学论证。

二、在规划层面, 电子文件异质备份要整体规划, 分步实施

实施电子文件异质备份是有计划有组织的联合行动, 是一个需要较大投资的长期过程, 从一开始就要在深入调研、科学论证基础上, 认真搞好整体规划设计。要着眼于长远建设目标, 紧密结合工作实际, 根据业务工作的需要、数据量的增量多少、软硬件环境、经费投入等分步实施, 在建设中量力而行, 边建边用, 逐步滚动发展。由此而产生的规划、部署, 是组织实施电子文件异质备份建设的基本依据, 决定着建设方向、工作质量和发展效益。

三、在实施层面, 加强电子文件信息资源开发, 以差异化和多元化策略进行电子文件异质备份

(一) 加强电子文件信息资源开发, 实现电子文件信息内容的二次转移。

电子文件异质备份的目的就是为了满足人们对电子文件所含信息内容长期的检索需要, 与传统文件不同, 能长期保存电子文件并不能保证被保存的数字信息内容具有可读性和可存取性, 所以我们需要持续地开发电子文件信息资源, 剔除失去保存利用价值的信息内容, 更好地备份有价值的有用信息, 并通过提供二次内容的开放利用来不断检验电子文件长期保存是否有效, 找准合适的异质备份时机。这样既有效安全地对电子文件进行了异质备份, 又使电子文件信息内容最大限度地得以利用。

(二) 实行差异化策略, 进行选择性备份。

要针对不同机构、不同技术环境和不同价值特征的电子文件, 采取不同的异质备份方案。开展电子文件异质备份工作应有轻重缓急, 严格控制异质备份的范围, 抓住档案本质, 对具有档案特性的电子文件先进行异质备份, 主要包括能反映国家、社会、人类发展历程的有重要价值的电子文件;具有证据性、能发挥凭证作用的电子文件, 如有关民生的医保、社保方面的内容, 这是档案异质备份的主体部分。

四、在评估层面, 构建电子文件异质备份质量和绩效评估体系

以保护数据的程度和成本为基点, 从实践的需求角度出发, 从管理、技术、制度建设、经费投入等多个层面设计出一套新型而科学合理且具操作性的电子文件异质备份质量和绩效评估指标体系。通过建立电子文件异质备份质量评估机制, 建立电子文件异质备份绩效评比机制, 以及电子文件异质备份先进评比和典型示范机制, 构建电子文件异质备份质量和绩效评估体系。在电子文件异质备份规划执行过程中, 强调统筹规划, 层层分解、细化, 并与评比、考核相结合, 以加强对电子文件异质备份的控制力, 避免分散建设和低水平重复建设。

五、在管理层面, 加强电子文件异质备份的管理保障

(一) 国家和各级档案部门应设立专门机构, 负责电子文件异质备份工作。

国家应针对电子文件异质备份工作成立或指定专门机构, 统一计划和指导电子文件异质备份建设;国家各级档案馆应设立专门机构, 负责电子文件异质备份工作。由于电子文件异质备份工作需要进行大量的专业技术工作, 可以建立若干坚固可靠的国家级、省市自治区级电子文件异质备份中心, 对一些大型档案馆而言, 也可以考虑成立专门的电子文件异质备份中心, 从事对电子文件异质备份业务及实用性试验研究。电子文件异质备份中心应充分研究并明确职责, 尤其要加强履行电子文件异质备份全程保护及督查职能, 明确专业职能部门在电子文件异质备份工作中的作用、分工和协作, 档案馆内一些涉及电子文件异质备份的重要建设项目、业务项目及技术项目应统筹管理, 从一开始就充分研究和考虑电子文件异质备份的需求。

(二) 建立电子文件异质备份工作责任制, 提高风险管理意识。

异质董事会与创业议题讨论 篇11

人们经常误以为董事会仅仅是代表股东监督经理们的“专职婆婆”。实际上，在讨论决定企业面临的各种机会时，其主要的职能是咨询和建议。所谓创业议题，是指与企业选择新的市场和新的产品相关的各种问题。

那么，什么样的董事会成员结构对于有效能地讨论创业议题更有价值呢?

《美国管理学会学报》(Academy of ManagementJournal)发表了密苏里大学的Christopher S.Tuggle、Karen Schnatterly和Richard A.Johnson的文章《董事会会议室里的注意力模式：董事会成员构成和会议流程如何影响创业议题的讨论》(Attentt’on Patter In the the Boardroom?How Board CompositionandProcessesAffec，Discussion of Entrepreneuriallssues)。文章从高层梯队理论(upperechelons theory)和团队断裂理论(groupfaultlines)两个角度研究了董事会成员的异质性对创业议题讨论的影响。管理者的特质是其认知偏见的反映，偏见同时影响其如何理解组织环境、组织面临的问题以及如何解决这些问题。因此，董事会成员异质性越大，信息来源和视角的异质性越大，从而在头脑风暴中创造性或者创新性的“火花”越多。

文章选取了1994～2000年期间的184个企业作为样本。其结论是：首先，董事会成员任职的异质性、职能的异质性、产品导向背景异质性、产业／企业背景异质性越大，董事会成员越多将注意力配置到创业议题，并花费更多的时间和精力讨论之。这也符合我们的直觉。逻辑是这样的：管理学的人口统计学特征和经验可以作为其认知框架的参数，认知框架限制了管理者的视角或注意力配置的领域，信息被该框架进行过滤，因此，异质性意味着决策讨论的议题的广泛性，从而导致创新的可能越大。当然，这也可能导致议而不决。

其次，密苏里大学的学者们还研究了团队断裂强度对董事会会议讨论创业议题的影响。所谓团队断裂，是指基于某种分割线，将团队划分为不同的子团队(这是在异质性团队中求同)。值得注意的是，根据不同的分割线(可以是一个特征或者多个特征)，团队成员可能属于不同的子团队。分割变量的选择越多，则子团队内部的同质性越高。该理论认为，多重人口统计学特征的配置能够在团队中制造断裂，这种断裂会妨碍团队的沟通、协调、连贯和相互信任。如果团队断裂强度高，则会影响创业议题的讨论和决策。但是，如果这些特征能在董事会上充分表达而不是形成子团队，将会使得创业议题的讨论更加开放。

音乐课异质分组教学探析 篇12

一、同质分组的局限性和异质分组的优越性

20世纪80年代以来, 一些学校针对学生的差异进行了分层次教学, 这种教学形式属于同质分组, 它为不同层次的学生的学习创造了条件, 在一定程度上促进了学生在原有基础上的进一步发展。但是, 这种分组也有不足之处:首先, 由于教学的分层次, 往往使教师在情感上偏向基础较好的学生, 而基础较差的学生会意识到自己的不足, 产生自卑等不良情绪, 情感上受到伤害, 可能加大两极分化。其次, 分层次教学没有和分层次评价结合。所以这种形式的同质分组教学有待于进一步完善。

而异质分组将不同技能、技术、兴趣的学生分在一起进行教学, 加强了学生之间的交流, 学生通过相互帮助, 促进了竞争学习与合作学习氛围的形成, 为教学的社会适应领域创造了条件。通过教师的组织, 每一名学生都可以成为小组的骨干, 表现出各种各样的个性, 使课堂教学丰富多彩。异质分组对于音乐基础较差的学生有一定的促进作用, 学生从心理上得到肯定, 这种肯定往往会激发其学习热情, 主动正视自己的不足并努力自我提高。对于基础较好的学生, 异质分组可以提高他们的责任意识和进取精神, 通过教师的引导, 他们将成为日后社会音乐活动的组织者。因此, 异质分组更加适应教育改革的需要, 也符合学生全面健康发展的需要。

二、异质分组在课堂教学中的应用

1. 提供方案和学习方法

在音乐课堂教学中, 教师可以根据教学需要, 结合课程内容和教学条件指导学生分组, 并根据学生的差异, 设计出各种学习方案供学生选择。

2. 利用团队力量创造良好的教学环境

加强学生之间的合作学习是异质分组的目的, 也是异质分组的优势。音乐课上学生与学生相互指导、相互帮助, 有助于加深学生之间的友谊, 提高学习效果。团队的力量还可以激励学生奋发向上, 增强班集体的凝聚力, 营造良好的教学氛围。在具体实施时, 可以让一名基础较好的学生与其他学生分在一组, 然后对团队提出要求。

3. 利用激励机制促进差生学习

激励的方式可以有语言激励, 如我相信你行, 你一定能, 你肯定可以等;也可以通过学生的团队力量来实施, 如掌声鼓励等;还可以通过降低教学要求和难度等来激励学生。

4. 利用动态的眼光看待异质分组

学生的差异是变化的, 教师不要总是采用固定小组成员的异质分组形式。当学生出现进步时, 要及时给予表扬和鼓励, 使他们能够以更大的热情参与到课堂学习中来。

三、教学建议

1. 转变观念, 正确对待学生差异

“差异并不是优劣的表现, 只是类型和程度的不同” (毛景焕语) 。音乐教师应该正视学生的差异, 平等地对待每名学生, 无论学生在音乐学习中的起点如何, 他们都应该享受平等的接受教育的权利。

2. 了解学生的差异

了解学生的差异, 从学生的实际出发, 使教学更具有针对性, 在教学过程中, 使学生受到平等公正的对待。同时, 了解学生的差异有利于改变学生的可变差异, 达到全面发展的效果。了解学生的差异还有利于充分发展学生的个性。教师根据学生的差异选择教学方法、教学内容, 有利于满足学生个体发展的需要。了解学生的差异也应该贯穿于教学的全过程, 因为学生的差异是变化的, 只有不断了解学生的差异, 才能收到良好的教学效果。

3. 合理设计教学分组方案, 促进音乐教学的开展

教师在音乐课设计的过程中, 首先, 要考虑教学分组方案是否符合素质教育的要求。其次, 要考虑学生的差异, 平等地对待每个学生。备课时, 要考虑如何利用分组带动所有学生主动地进行学习, 选择最优的教学活动形式和方法, 体现出学生在不同水平上共同发展的目的, 同时重视对个别学生的指导和帮助。再次, 要检查这种教学分组方案是否具有可操作性。总之, 教师在设计课时就应该重点考虑如何利用异质分组的优越性, 充分调动全体学生的学习积极性。

4. 改进评价, 区别对待