超硬材料专利信息

超硬材料专利信息（通用8篇）

超硬材料专利信息 篇1

申请号:2012800023093

名称:立方氮化硼烧结体工具

摘要:本发明涉及一种立方氮化硼烧结体工具, 其中立方氮化硼烧结体 (2) 通过接合层 (3) 而接合至工具基材 (4) , 该立方氮化硼烧结体工具 (1) 具有以下特征。立方氮化硼烧结体 (2) 含有大于或等于30体积%且小于或等于95体积%的立方氮化硼颗粒, 以及大于或等于5体积%且小于或等于70体积%的结合相 (6) 。在沿着与立方氮化硼烧结体 (2) 和接合层 (3) 之间的接合面中的面积最大的接合面垂直的平面所截取的立方氮化硼烧结体工具 (1) 的至少一个截面中, 假定点C和点D表示附图中所示的与点A和点B之间的距离为将点A和点B相互连接起来的线段长度的1/4的点。当将点C和点D相互连接起来的线段、第一立方氮化硼颗粒 (7) 、第二立方氮化硼颗粒 (8) 和结合相 (6) 所包围的区域的面积除以将点A和点B相互连接起来的线段的长度时, 所得到的数值大于或等于0.14μm且小于或等于0.6μm。

申请号:2011800663362

名称:单晶合成金刚石材料中的位错设计

摘要:本发明涉及一种单晶CVD合成金刚石层, 包括非平行的位错阵列, 其中当在X射线形貌断面图中观察或在发光条件下观察时, 非平行的位错阵列包含形成一组相互交叉的位错的多个位错。

申请号:2013102875094

名称:一种金刚石薄膜增强碳/碳复合材料热导率的方法

摘要:本发明涉及一种金刚石薄膜增强碳/碳复合材料热导率的方法, 属于碳/碳复合材料制造技术领域。以T300碳纤维布为原料, 采用直流电弧等离子体喷射沉积技术在T300碳布及纤维表面沉积一层连续的金刚石薄膜, 随后采用低温热压与沥青浸渍增密工艺制备材料, 并控制材料最高热处理温度低于1650℃, 可简化设备需求和制备工艺, 缩短材料制备周期, 实现材料的低成本制备。所制材料导热性能提高的实质在于高热导率连续金刚石薄膜的增强作用。

申请号:2013103136954

名称:高导热金刚石颗粒混杂增强石墨铝复合材料及其制备工艺

摘要:本发明涉及一种高导热金刚石颗粒混杂增强石墨铝复合材料及其制备方法。该复合材料由金刚石、片状石墨和铝或铝合金组成, 所述的金刚石的体积分数为21%~41%, 片状石墨的体积分数为32%~65%, 其余为铝或铝合金。 (1) 将金刚石颗粒和片状石墨混合均匀得到混合粉末; (2) 在混合粉末中加入聚乙烯醇溶液 (PVA) 搅拌, 压制预制块; (3) 预制块在模具中预热和排胶; (4) 铝或铝合金在坩埚中加热熔化至700℃~900℃, 然后将铝或铝合金熔体浇注到模具内; (5) 采用液压机施加轴向压力, 迫使铝或铝合金熔体浸渗进入预制块中的孔隙; (6) 冷却脱模, 取出复合材料。与现有技术相比, 本发明所得复合材料具有高导热性能, 同时获得较高的机械性能。

申请号:2013102148598

名称:利用铰链式六面顶压机制备高性能聚晶金刚石的方法

摘要:本发明公开了利用铰链式六面顶压机制备高性能聚晶金刚石的方法, 其特点是该方法采用金刚石或含部分金刚石的碳粉体为原料, 不添加任何金属或陶瓷粘结剂, 经净化除杂, 粉体表面在真空度4×10-3~4×10-5Pa, 温度800℃~1500℃, 净化处理0.5~5h。表面净化的金刚石粉体预压成型, 放置于铰链式六面顶压机上, 于温度1400℃~2500℃, 压力为8~20GPa, 烧结1~30min, 制得高性能聚晶金刚石块体材料。这种高性能聚晶金刚石物相单一, 晶粒与晶粒之间形成化学键, 大面积紧密结合成高强度金刚石-金刚石界面, 使聚晶金刚石材料硬度与天然的金刚石单晶硬度相当, 热稳定性和硬度优于含粘结剂的人造金刚石聚晶。

申请号:2013102976521

名称:一种纳米结合剂、由该结合剂制成的金刚石复合截齿以及复合截齿的制备方法

摘要:一种纳米结合剂、由该结合剂制成的金刚石复合截齿以及复合截齿的制备方法, 属于金刚石与硬质合金复合材料领域, 其中, 纳米结合剂由下述重量百分含量的原料组成:Co粉95%~99%、TiC粉0.5%~3%、Si粉0.5%~2%。由所述纳米结合剂制成的金刚石复合截齿包括硬质合金球齿基体以及依次设置在基体上的第2过渡层、第1过渡层和金刚石聚晶层, 金刚石聚晶层的原料组成为:金刚石粉93~97wt%和纳米结合剂3~7wt%。所述复合截齿经组装、预压、真空处理、高温高压烧结等几个步骤制备而成。本发明提供的纳米结合剂在高温高压下具有很好的烧结促进作用, 有助于提高聚晶层内金刚石的体积比, 增强金刚石复合截齿的耐磨性和抗冲击性能, 延长其使用寿命。

申请号:2013102298241

名称:一种新型金刚石刀头及其制备方法

摘要:本发明提出一种新型金刚石刀头, 包括依次交错叠合在一起的金刚石层和胎体结合剂层, 金刚石层包括金刚石颗粒和对金刚石颗粒进行固结的胎体结合剂;金刚石层的厚度与该层所有金刚石颗粒中粒径最大的金刚石颗粒的粒径相等。如此, 本发明, 由于其金刚石层的厚度为该层所有金刚石颗粒中的最大尺寸, 突破现有金刚石刀头的金刚石层的尺寸构造形式, 整个刀头的刀刃呈规则、均匀、致密、线条分明的齿纹状, 克服现有金刚石刀头的刀刃模糊、错落无致而带来的不锋利、耐磨性弱、切割或磨削加工质量差等缺陷, 与现有技术相比, 本发明的刀刃锋利, 耐磨性强寿命长, 加工质量好;本发明还提出一种制备金刚石刀头的方法, 操作简单, 效率高, 利于扩大生产。

申请号:2013102817296

名称:一种多层复合式钻齿的金刚石钻头

摘要:本发明公开了一种多层复合式钻齿的金刚石钻头, 属地质勘探取芯用孕镶金刚石钻头。由钻齿和钢体构成, 在于钻头钻齿底部设连接层与钢体连接, 连接层上面由含金刚石层和不含金刚石层径向交替排列构成, 总层数为单数。所述钻齿的内外表面还排放有聚晶块。其在钻进过程中有利于含金刚石层中的金刚石颗粒自锐出刃, 产生的环状沟槽有效防止钻头横向滑动, 增强钻头的钻进效率, 提高其耐磨性和使用寿命。

申请号:2013103786331

名称:立方氮化硼合成尾料中碱回收工艺与回收设备

摘要:本发明涉及一种立方氮化硼合成尾料中碱回收工艺与回收设备, 所述的回收工艺包括废碱液收集、过滤、蒸馏及碱块收集工艺步骤, 所述的回收设备包括储液罐、离子膜过滤装置、真空罐、真空泵及保温炉;所述的储液罐的出液口与离子膜过滤装置的进液口连通, 离子膜过滤装置的出液口与真空罐的进液口连通, 真空罐的出液口与保温炉连通, 真空罐上端的出气口与真空泵连接;所述的离子膜过滤装置上设置有杂质出口。本发明是通过离子膜过滤设备过滤掉立方氮化硼合成尾料中的六方氮化硼, 达到回收六方氮化硼的目的, 过滤掉六方氮化硼之后的碱液, 蒸发掉碱液中的水分, 得到固态碱, 达到回收碱的目的, 该发明能减少污水排放, 保护环境, 减少原料的浪费, 降低生产成本。

申请号:2013102330266

名称:立方氮化硼制品金属结合剂及其生产方法

摘要:立方氮化硼制品金属结合剂及其生产方法, 其特征在于:其原料及重量百分比为:二氧化硅SiO255%~60%、三氧化二铝Al2O310%~15%、氧化钾K2O 6%~8.5%、氧化钠Na2O 2.5%~5.5%、铜粉Cu6%~10%、锡粉Su0.5%~1.5%和锌粉Zn0.3%~1%。本发明的制作结合剂, 具有较低的耐火度和较高的强度, 在600℃~960℃之间烧结, 适用于制备金刚石及立方氮化硼磨具, 可使超硬材料磨具的使用速度达到160m/s以上。

申请号:2012101570732

名称:一种用于金刚石合成的新型触媒

摘要:本发明涉及一种用于金刚石合成的新型经济环保触媒。在触媒成分中Ni占0~30%;Zn占0~30%;Co占0~5%;Cu占0~0.5%;还可以含微量的N, O, Al, Si等元素, 余量为Fe。触媒的不同制备方式及形状对合成的金刚石性质没有影响, 并且对金刚石的合成条件也基本没有影响。其主要特征为在新型触媒中尽可能地以金属Zn替代了当前触媒中的Ni, 降低了触媒中Ni的含量, 节约了成本, 降低了Ni对环境造成的污染。产品合成出的金刚石特征为色泽呈黄色, 透明度高, 强度高, Fe3C含量极低。

专利信息 篇2

本发明提供一种喷墨打印装置包括放纸装置、收纸装置、打印模块和固化装置，其特征在于，还包括一缓冲纸库，该缓冲纸库包括一滑动装置、第一压紧装置、第二压紧装置和一驱动机构，滑动装置设置在第一压紧装置和第二压紧装置之间，驱动机构驱动滑动装置在第一压紧装置和第二压紧装置之间来回运动从而带动打印介质向前或向后运动。本发明中的喷墨打印装置通过在放纸装置和收纸装置之间设置一缓冲纸库能够有效的避免打印模块与固化装置之间的已打印图像因不及时固化而使图像失真，保证不浪费打印介质和墨水，特别适于昂贵打印介质和墨水的喷墨打印工作。

专利号：CN103587242A

陶瓷喷墨打印用色釉混合型抗菌墨水及其

制备方法

本发明提供一种陶瓷喷墨打印用色釉混合型抗菌墨水及其制备方法，属于陶瓷砖装饰技术。本发明提供的陶瓷喷墨打印用色釉混合型抗菌墨水，其中包括的各种组分按质量百分比为：色料：28%～35%；钙基釉粉：11.5%～17%；含有银离子的抗菌剂：0.5%～3%；碳酸镁：1%～5%；二甘醇：45%～55%；分散剂：1%～3%；结合剂：0.5%～2%；表面活性剂：0.5%～2%。使用此种墨水在陶瓷砖坯上喷墨打印后形成的喷墨印花层在烧结后具有良好的抗菌效果，而且印花层耐磨，抗菌效果持久，特别适用于对抗菌要求迫切的公共空间底面装饰。

专利号：CN103602144A

一种纳米石墨导电油墨的制备方法

本发明公开了一种纳米石墨导电油墨的制备方法，其步骤为：将纳米银颗粒、羧甲基纤维素钠、羟乙基纤维素、BYK-024、BYK-028、Surfynol 465、颜料加入到丙三醇与乙二醇溶液中混合搅拌，再进行超声分散，过滤，得纳米石墨导电油墨。本发明中各组分间配合平衡，墨水导电性能优良。本发明中添加了羧甲基纤维素钠与羟乙基纤维素作为粘合剂，使得墨水的稳定性增加。

专利号：CN103613986A

陶瓷喷墨打印用防静电的色釉混合型墨水及其制备方法

本发明提供一种陶瓷喷墨打印用防静电的色釉混合型墨水及其制备方法，属于陶瓷砖装饰技术。本发明提供的墨水中包括的各种组分按质量百分比为：色料：25%～30%；釉粉：10%～15%；碳酸镁：1%～5%；二甘醇：45%～55%；分散剂：1%～3%；结合剂：0.5%～2%；表面活性剂：0.5%～2%；半导体氧化物：5%～10%。通过本发明提供的墨水形成的印花层具有良好的防静电效果，利用其生产的防静电陶瓷制品适用于特殊工程用途。

专利号：CN103614003A

一种C/C复合材料高温抗氧化涂层材料的

制备方法

本发明公开了一种C/C复合材料高温抗氧化涂层材料的制备方法，a.将0.16mol/LAl2（SO4）3溶液150～200mL加入到50g硅微粉中，超声波混合分散预处理，在搅拌下滴加0.16mol/LNaHCO3溶液200mL，滴速为1d/s，静置过夜，抽滤水洗，真空干燥，于600℃烧结保温2h，得硅包覆物，b.在玛瑙罐中加入石英，高岭土，硼酸钠，羧甲基纤维素钠水溶液，硅溶胶水溶液，水，球磨机上研磨，得白色乳液，c.在白色乳液中加入硅包覆物，超声波混合分散预处理，磁力搅拌至乳液中没有聚集态颗粒，得分散均匀的黑色乳液，d.将黑色乳液均匀地涂在熔块表面，在5～8℃/m升温速率下升温至1000℃用马弗炉烧结保温2h，即在熔块表面形成致密的高温抗氧化涂层。本发明用于制备C/C复合材料高温抗氧化涂层材料。

超硬材料相关专利信息 篇3

名称:一种立方氮化硼生产复合陶瓷的方法

摘要:一种聚晶立方氮化硼的制备方法, 包括以下步骤。其特征在于:以立方氮化硼及结合剂为原料, 将立方氮化硼及结合剂混合后球磨, 球磨时球料比为5∶1, 转速为600~1000转/分, 球磨时间为4~20小时;将球磨后的混合料干燥, 干燥后加入有机粘结剂, 混合均匀, 过300目筛网;冷压成型, 压力范围为0.8GPa~2GPa;将成型后的坯体进行高温烧结, 烧结后即制得成品。本发明制得的聚晶立方氮化硼PcBN呈灰色, 形成的氧化铝和氧化锆复合体系, 材料纯度高、力学性能优良, 可以后续用于多种工程应用, 如铸钢件和钢铁熔炼后浇铸过程中的过滤等。

申请号:2013102030401

名称:镀氮化钛涂层的立方氮化硼高温高压直接合成方法

摘要:一种镀氮化钛涂层的立方氮化硼高温高压直接合成方法, 涉及一种超硬材料的高温高压合成方法, 它以六方氮化硼为原料, 以碱金属氮化物或碱土金属氮化物或硼氮化物为触媒, 以金属钛粉或金属钛化合物为添加剂, 将六方氮化硼:碱金属氮化物或碱土金属氮化物或硼氮化物按重量配比为1∶0.1~0.3混合后, 按总混合料的0.5wt%~10wt%添加金属钛粉或金属钛化合物, 经高温高压合成镀氮化钛涂层的立方氮化硼产品, 合成温度1000℃~1800℃, 合成压力4.0~6.0GPa, 保温保压时间3~15分钟。本发明合成的立方氮化硼具有高硬度、高耐磨性、耐高温、韧性好、导热导电的特性, 尤其适用于制备聚晶立方氮化硼制品和工具。

申请号:2013102937902

名称:一种由合金发热管加热的金刚石合成装置

摘要:本发明提供一种由合金发热管加热的金刚石合成装置, 其从里层到外层依次包括用于作为实现金刚石合成容器的大腔体, 用于构成大腔体内壁的氧化镁层, 用于通过金属片连通外部电源与合金发热管的钢圈, 用于对金刚石合成进行加热的合金发热管, 用于对大腔体进行保温并阻止叶蜡石层相变的白云石层, 用于将外部压力传入大腔体内部并进行密封的叶蜡石层;其中, 合金发热管具有两端薄、中间厚的对称结构。本发明能以较低成本、较高精度的结构消除金刚石合成装置内温度分布与压力分布不匹配问题, 以提高金刚石的产量, 故本发明可广泛应用于超硬材料合成应用领域。

申请号:2013103235589

名称:孕镶金刚石钻头用孕镶柱胎体粉及用其制造胎体的方法

摘要:本发明公开了一种孕镶金刚石钻头用孕镶柱胎体粉, 其由以下组分混合而成:1) 由按质量百分比计的以下组分构成的包裹粉料:铸造碳化钨:20%~30%;单晶碳化钨:25%~35%;钨粉:5%~15%;铜粉:15%~25%;镍粉:5%~15%;锰粉:1%~10%;锌粉:1%~10%;钴粉:1%~10%;2) 金刚石, 其体积比占上述包裹粉料的17.5%-30%。本发明还公开了一种孕镶金刚石钻头用孕镶柱胎体的制造方法, 其包括以下工艺步骤:1) 混合;2) 造粒;3) 装料;4) 烧结;5) 保温;6) 冷却, 得到孕镶柱胎体。本发明的孕镶柱胎体粉具有良好的耐磨性、硬度和把持力度。该制造方法可使金刚石在胎体粉中分布均匀、包裹可靠。

申请号:201310319625X

名称:一种提高金刚石制备效率的装置与方法

摘要:本发明涉及一种提高金刚石制备效率的装置与方法, 其主要包括激光发生系统、靶材系统和提纯系统。本发明方法是:制备纳米金刚石过程中, 利用高能束强激光作用于靶材系统内的石墨粉末靶材, 以制备出金刚石溶液, 然后通过提纯系统从金刚石溶液中提炼出金刚石纳米颗粒, 本发明装置和方法能够有效防止被作用物溅出并且使石墨接受激光循环作用, 此举大大提高了纳米金刚石的转化率, 从而提高了石墨的利用率及金刚石的制备质量, 且由高抗冲击强度透明钢化玻璃制成的靶材容器, 不仅便于观察容器内的靶材受激光作用情况, 而且还提高了制备过程的安全性。

申请号:2013103160281

名称:一种金刚石表面金属化的复合处理方法

摘要:本发明公开了一种金刚石表面金属化的复合处理方法, 包括:对金刚石颗粒进行化学镀处理, 使其表面均匀涂覆一层化学镀层;对金刚石颗粒进行表面金属化处理, 将吸波材料与化学镀金刚石颗粒装入球磨罐均匀混料, 填充在刚玉坩埚中, 将坩埚表面封盖放置在真空微波加热炉中, 缓慢旋转进行加热保温, 加热温度在750℃~900℃, 加热和保温过程的时间在10~30分钟, 真空度为1.3×10-3 Pa;将金刚石颗粒与吸波材料分离。本发明将化学镀和真空微波快速加热技术结合起来, 化学镀沉积温度低, 获得镀层比较均匀致密, 真空微波加热更有效地利用热能, 还可以促进冶金扩散反应速度, 缩短处理时间, 在真空环境处理能较好阻止金刚石的石墨化。

申请号:2013103141204

名称:一种大颗粒金刚石砂轮的气中放电修锐修齐方法

摘要:本发明公开了一种大颗粒金刚石砂轮的气中放电修锐修齐方法, 本方法是先将金刚石砂轮固定在砂轮轴上, 导电电极固定在水平面上;金刚石砂轮、电极、石墨电刷、电源和导线形成放电回路;电源正极接砂轮, 电源负极接电极;金刚石砂轮旋转的同时在电极表面作来回往复直线运动, 利用电极与砂轮的金属结合剂之间产生的脉冲电火花将金属结合剂去除, 使得金刚石磨粒从砂轮表面出刃, 同时利用出刃的金刚石磨粒切削铜电极产生的导电切屑卷起与金属结合剂之间发生电火花放电, 产生的瞬时高温通过切屑传到接触切削的金刚石磨粒切削刃上, 使其切削刃尖端气化修平, 达到砂轮微出刃修锐修齐的目的, 产生更多的有效磨粒数, 实现高效率的光滑镜面磨削加工。

申请号:2013102841558

名称:一种陶瓷空心球多层钎焊金刚石节块及其制作方法

摘要:一种陶瓷空心球多层钎焊金刚石节块, 其特征在于, 由以下原料按照质量百分比含量制备而成:12%-20%的金刚石磨粒, 2%~4%的镀镍石墨颗粒, 7%~20%的陶瓷空心球, 余量为含Cr的镍基合金, 含Cr的镍基合金的熔点低于1000℃。本发明的有益效果:首先, 与传统烧结金刚石工具相比, 由于采用了活性钎料NiCr-Cu-B-Si或Ni-Cr-P钎焊的方法, 在金刚石界面处形成Cr的碳化物, 使其把持强度大幅提高, 其次加入镀镍的陶瓷空心球, 镀镍使得陶瓷空心球与钎料之间也形成化学冶金结合, 不仅满足了砂轮对气孔率的要求, 而且气孔为球形。另外, 陶瓷空心球的加入, 使得节块有一定的脆性, 有利于节块的自锐性。添加的石墨可以增加润滑性和降低金刚石的热损伤, 在Ni-Cr-B-Si中添加Cu有利于降低金刚石的热损伤。

申请号:201180068064X

名称:用于制造合成金刚石的微波等离子体反应器和基底

摘要:一种用于通过化学气相沉积制造合成金刚石材料的微波等离子体反应器, 所述微波等离子体反应器包括:微波发生器, 所述微波发生器构造成以频率f产生微波;等离子体室, 所述等离子体室包括基部、顶板和侧壁, 所述侧壁从所述基部延伸至所述顶板, 从而限定了位于基部和顶板之间用于支持微波共振模式的共振腔;微波耦合构造, 所述微波耦合构造从微波发生器将微波供应至所述等离子体室;气体流动系统, 所述气体流动系统用于将处理气体供应至所述等离子体室以及从所述等离子体室移除所述处理气体;基底保持件, 所述基底保持件布置在所述等离子体室中并且包括用于支撑基底的支撑表面;基底, 所述基底布置在所述支撑表面上, 所述基底具有生长表面, 在使用中, 所述合成金刚石材料将沉积在所述生长表面上, 其中, 基底尺寸和在所述共振腔内的位置选择为在使用中横跨所述生长表面产生局部轴对称的EZ电场分布, 所述局部轴对称的EZ电场分布包括由更高的电场环所界定的大体平坦的中央部分, 所述大体平坦的中央部分在所述基底的所述生长表面的面积的至少60%上延伸并且具有不超过所述中央EZ电场强度的±10%的EZ电场变化, 所述更高的电场环布置在所述中央部分周围并且具有比中央EZ电场强度高10%至50%的峰值EZ电场强度。

申请号:2013103048900

名称:一种用于金刚石工具的羰基铁磷粉的制备方法

摘要:本发明涉及一种用于金刚石工具的羰基铁磷粉的制备方法, 其具体步骤为:选用碳含量<0.9%、氧含量<0.3%、氮含量<0.9%、其他杂质元素总量<0.15%的羰基铁粉为基础粉末, 将基础粉末与单质磷在氮气保护下进行混合后, 加入耐热石英管内, 耐热石英管充氮保护加热, 停止加热保温让其反应, 冷却至常温, 采用流态床气流粉碎方式对羰基铁磷粉进行粉碎, 混合过筛得到用于金刚石工具的3%~15%磷含量的羰基铁磷粉。本发明选用高纯度、粒度细的羰基铁粉为原料, 解决了常规方法生产磷铁粉杂质含量高、粒度粗等问题。本发明工艺简单, 装置操作方便, 产品性能好, 易于进行产业化生产。

申请号:2013103221410

名称:一种金刚石表面镀钨的方法

摘要:本发明涉及一种金刚石颗粒表面镀钨的方法, 采用盐浴镀钨法, 将金刚石颗粒表面去除油污、粗化并进行敏化-活化处理后与钨粉在坩埚中混合, 然后在熔盐环境中进行高温盐浴镀钨, 结束后采用清水煮沸法清洁干燥得到成品。去除油污粗化的方法为:将金刚石颗粒放置于稀碱中超声振荡清洗后再用去离子水清洗;然后用稀酸浸泡清洗再水洗至中性;加入硝酸溶液中煮沸3~10min, 进行粗化处理, 并用去离子水洗至中性, 然后进行敏化-活化处理;再用酒精或丙酮清洗后, 用去离子水洗净干燥;盐浴镀钨是在真空炉内进行。该法可有效地在金刚石颗粒表面镀上一层致密且均匀的镀层, 物相主要由WC和W组成, 过程中不会产生有毒害的物质;工艺简单, 成本低。

申请号:2013103244145

名称:一种金刚石线锯及其快速生产方法

摘要:本发明公开了一种金刚石线锯及其快速生产方法。所述金刚石磨粒利用化学镀在表面包裹镍层, 并通过电镀镍层固定于有预镀镍层的镀铜琴钢丝基体上, 加厚镍层使磨粒固结更牢固。所述金刚石线锯的快速生产方法包括以下步骤:1、去除金刚石磨粒表面油脂及氧化物, 并对其敏化、活化和化学镀镍;2、去除金属基体表面油脂及氧化物, 预镀镍层作为缓冲层;3、金刚石线锯的复合电镀、加厚电镀及热处理。本发明对金刚石磨粒进行化学镀镍实现导电化, 能使磨粒在电场作用下有序运动, 并实现化学固结;此外, 在电镀过程中引入强力搅拌, 实现高电流密度电镀, 为金刚石线锯工业化生产提供了一种高效、快速的方法。

申请号:201210133699X

名称:一种金刚石纤维及其制备方法和用途

摘要:本发明公开了一种金刚石纤维的制备方法及其用途, 所述方法包括如下步骤:a) 将镀Ti金刚石和Cu-10Sn-5Ti钎料粉末按体积比1∶1~1∶1.2混合均匀后, 与石蜡基粘结剂一起混炼制备喂料;b) 在注射成型机上将步骤a) 制备的喂料注射成纤维状试件, 并将纤维状试件切断为长短均一的纤维;c) 对金刚石纤维进行脱脂处理以脱除其中的粘结剂;d) 对脱脂后的金刚石纤维进行真空钎焊烧结。本发明制备的金刚石纤维金刚石把持强度大, 不易脱落, 可提高金刚石的利用率, 同时由于金刚石纤维具有一定的长径比和宏观尺寸, 能实现人为的有序排布, 可进一步用于砂轮的制备中。

申请号:2012101336881

名称:一种金刚石纤维砂轮制备方法及节块模具

摘要:本发明公开了一种金刚石纤维砂轮的制备方法及节块模具, 金刚石纤维砂轮的制备方法包括如下步骤:1.制备砂轮节块:将条状金刚石纤维匀整固定在已设计的节块模具周向, 金刚石纤维的一端朝向节块模具的中心, 呈辐射状排布, 然后将胎体材料加入节块模具中进行热压成型制备成砂轮节块;2.砂轮节块整体热压成型:将多个砂轮节块与砂轮基体材料一起热压成型得到金刚石纤维砂轮。本方法中使用的节块模具周向排列有多列小孔。采用本发明方法制备的金刚石砂轮使用寿命长, 金刚石不易脱落, 容屑空间和散热能力得到提高, 能有效避免或降低工件的热损伤。

申请号:2012101179927

名称:使金刚石绳锯用于大截面地下岩石工程的方法

摘要:一种绳锯机和孔内锚固导向器用于地下半圆弧形大截面岩石工程的方法。包括以下步骤:从设计的半弧形洞室的顶部到底部, 分为若干台, 每台分为若干块;从洞口向洞里纵深方向分为若干段。用绳锯机和孔内锚固导向器在W (一) 台的中间位置块切进一段, 然后再向两边锯切, 完成W (一) 台段的切割;用同样的方式再向里锯切一段W (二) 台段;再用同样的方法切割下一台A (一) 台段。按此方式由外向里, 由上到下阶梯式向纵深推进, 可完成整个岩石切割工程。

申请号:2011800568372

名称:具有优化的材料组成的多晶金刚石结构

摘要:包括金刚石主体的金刚石结合结构, 该金刚石主体包括晶粒间结合的金刚石和间隙区。所述主体具有工作面和分界面, 并可以结合至金属基底。所述主体具有约大于1.5%的梯度金刚石体积, 其中在该分界面处的金刚石含量小于94%, 并朝向工作面增加。所述主体可以包括基本不含有催化剂材料的区域, 否则该催化剂材料分布在所述主体内, 并存在梯度含量。所述主体内可包括附加材料, 该附加材料存在变化的量。所述主体可通过例如6200MPa至10000MPa的高压HPHT工艺来形成, 以产生烧结主体, 该主体具有特有的金刚石体积分数与平均晶粒尺寸之间的关系, 区别于传统压力HPHT工艺形成的金刚石结合结构中金刚石体积分数与平均晶粒尺寸之间的关系。

申请号:2013102769786

名称:一种自锐性树脂金刚石合成工艺

摘要:本发明公开了一种自锐性树脂金刚石合成工艺, 包括以下主要步骤:将200-350目的石墨粉与镍基合金触媒粉末按重量比7∶3~6的比例充分混合。将混合料置入三维混料机内混合10~12小时, 等静压后粉碎至50目以细, 在真空炉中做800~900℃下的真空除氧60~70分钟, 自然冷却至室温, 得到混合物料。将混合物料装填至模具内, 利用四柱压机压制成柱状合成棒, 合成棒尺寸为φ34×33mm, 合成棒密度2.1~2.7g/cm3。将合成棒与叶腊石、导电钢圈、导电管和导电片和保温管、保温片等组装成金刚石合成块, 然后将金刚石合成块放入六面顶压机合成, 实际合成压力9.5~11GPa, 实际合成温度1450℃~1550℃。实际合成温度和合成压力分别采用控制功率曲线和控制压力曲线保证。本发明用于一种自锐性树脂金刚石合成工艺技术。

申请号:2013103107970

名称:一种金刚石切割片及其制备方法

摘要:本发明公开了一种金刚石切片及其制备方法, 由金属基胎和金刚石颗粒组成, 该金刚石切割片中金刚石浓度为16%~28%, 粒径为12~45微米;按质量比, 金属基胎的组成为:纳米铜粉45%~67%、纳米锡粉15%~45%、银粉5%~16%、钴粉2%~15%、镍粉1%~8%、碳化硅粉10%~15%。上述金刚石切割片通过混料-成型-烧结-加工-研磨的过程制备得到;具有高强度和硬度、低烧结温度并且解决了现有技术中由于传热不良造成的切偏问题, 使用寿命长, 符合半导体行业对切割片要求厚度薄、强度高的问题;制备方法简单, 原料来源广泛, 适于工业化生产。

申请号:2013102546241

名称:金刚石表面双阴极等离子沉积纳米涂层的装备与工艺

摘要:本发明公开了一种双阴极等离子溅射沉积手段在金刚石表面制备纳米涂层的装备以及其制备工艺。该装备包括真空室, 双阴极结构, 靶材装置、料盘、震荡器, 进气口和出气口;双阴极结构包括两个阳极和两个阴极, 其中一个阴极连接靶材装置, 另一个阴极连接料盘, 采用双阴极等离子溅射沉积手段, 通过调节靶材和料盘电压以及靶材和料盘中金刚石的距离, 控制沉积时间和温度, 使靶材金属在金刚石表面形成涂层。本发明通过双阴极等离子溅射沉积手段, 所制备的涂层和金刚石有良好的结合力。

申请号:2013102769790

名称:一种粉末合成金刚石后电解提取触媒中金属的回收方法

摘要:本发明公开了一种粉末合成金刚石后电解提取触媒中金属的回收方法, 包括以下步骤;a、将碎后的金刚石合成棒粉末装入阳极袋中, 同时将阳极板也放入阳极袋中, 放入电解槽里;b、电解槽里注入水, 以阳极袋完全浸入水中为准, 然后加入导电盐, 按所加水总量比为3~10%加入缓冲剂, 制配成电解液;c、将制配好的电解液进行循环加热至51℃~65℃, 保持该温度3~5小时后将阴极板放入配好的电解液中, 封闭电解槽, 通电, 通电后使金属离子沉积于阴极板上实现电解回收, 阴极电流密度控制在1~8A/am2, 通电过程中电解液的温度始终要保持51℃~65℃之间。本发明适用于一种粉末合成金刚石后电解提取触媒中贵重金属的回收方法。

申请号:2013102800505

名称:一种提高电化学法合成硬碳膜中金刚石含量的方法

摘要:一种提高电化学法合成硬碳膜中金刚石含量的方法, 属于先进材料制备的技术领域, 涉及到液相电化学沉积类金刚石薄膜。其特征是在反应液中通入氧化剂臭氧气体, 由臭氧分解的大量活性氧原子对伴生石墨相有强的刻蚀作用, 从而提高薄膜中金刚石相的相对含量。本发明的效果和益处是:活性氧原子有效地抑制了石墨相的生长, 使沉积薄膜中的金刚石相对量提高;通入臭氧气体对反应液起搅拌作用, 可调节反应温度, 提高沉积薄膜的均匀性。

申请号:2011800663377

名称:控制合成金刚石材料的掺杂

摘要:一种制造合成CVD金刚石材料的方法, 所述方法包括:设置微波等离子体反应器, 所述微波等离子体反应器包括:等离子体腔;一个或多个基底, 所述一个或多个基底设置在所述等离子体腔中, 在使用时提供所述合成CVD金刚石材料在其上沉积的生长表面区域;微波联接结构, 所述微波联接结构用于将微波从微波发生器进给到所述等离子体腔内;气体流动系统, 所述气体流动系统用于将工艺气体进给到所述等离子体腔内和将所述工艺气体从所述等离子体腔中移除;将工艺气体注入到所述等离子体腔内;通过所述微波联接结构将微波从所述微波发生器进给到所述等离子体腔内以在所述生长表面区域上形成等离子体;以及在所述生长表面区域上生长合成CVD金刚石材料, 其中, 所述工艺气体包括从硼、硅、硫、磷、锂和铍中的一种或多种选取的呈气体形式的以等于或大于0.01ppm的浓度存在的至少一种掺杂剂和/或以等于或大于0.3ppm的浓度存在的氮, 其中, 所述气体流动系统包括气体入口, 所述气体入口包括与所述生长表面区域相对设置且配置为将工艺气体朝向所述生长表面区域注入的一个或多个气体入口喷嘴, 以及其中, 所述工艺气体以等于或大于500标准cm3/min的总气体流速朝向所述生长表面区域注入, 和/或其中所述工艺气体以范围为从1至100的雷诺数通过所述气体入口喷嘴或每个气体入口喷嘴注入到所述等离子体腔内。

申请号:2013102566546

名称:表面沉积有WC/W复合涂层的金刚石颗粒的制备方法

专利信息 篇4

专利申请号:CN200680023073.6公开号:CN101208289

申请日:2006.06.23

公开日:2008.06.25

申请人:德国巴斯福股份公司

本发明涉及一种制备式(I)的取代的苯基丙二酸酯的方法:其中R为烷基,Q为卤素、烷基、烷氧基、卤代烷基或卤代烷氧基和m为1-5的整数,该方法包括步骤A)和B):A)使其中各变量如对式(I)所定义的式(II)化合物卤化得到式(III)化合物,B)将式(III)化合物加氢脱氯得到式(I)的取代的苯基丙二酸酯,本发明还涉及新的苯基丙二酸酯衍生物及其作为中间体的用途。

用于合成阿那曲唑及纯化一种阿那曲唑中间体的方法

专利申请号:CN200680023060.9

公开号:CN101208312

申请日:2006.06.27

公开日:2008.06.25

申请人:美国西科尔公司

本发明涉及阿那曲唑中间体3,5-二(2-氰基异丙基)甲苯的纯化方法、阿那曲唑的制备方法、阿那曲唑药物组合物的制备方法,以及用本发明方法制备的阿那曲唑和阿那曲唑药物组合物。

制备氯吡格雷的方法和其中使用的中间体

专利申请号:CN200580050232.7

公开号:CN101208347

申请日:2005.11.28

公开日:2008.06.25

申请人:韩国韩美药品株式会社

可以通过如下方法以高产率制备旋光纯的氯吡格雷:使用旋光胺旋光拆分式(II)的化合物的外消旋形式,以形成式(III)的化合物或其酸加成盐的旋光形式;并将式(III)的化合物或其酸加成盐甲基化。

白术挥发油药用中间体及其制备方法

专利申请号:CN200710125227.9

公开号:CN101199573

申请日:2007.12.18

公开日:2008.06.18

申请人:深圳海王药业有限公司

本发明涉及一种含白术挥发油的药用中间体及其制备方法。所述中间体通过将白术挥发油与特定的水溶性载体按照一定比例制备。其中,特定水溶性载体为聚乙二醇6000,其与白术挥发油的优选比例为10∶1;特定水溶性载体还可以是表面活性剂泊洛沙姆188,其与白术挥发油的优选比例为20∶1。所述聚乙二醇6000与白术挥发油的中间体采用研磨法制备,泊洛沙姆188与白术挥发油的中间体采用溶剂—冷冻干燥法制备。根据需要,本发明所述中间体可以进一步制成片剂、混悬剂等药用固体或液体剂型。

抗糖尿病药那格列酮中间体的制备方法

专利申请号:CN200610147304.6

公开号:CN101200416

申请日:2006.12.15

公开日:2008.06.18

申请人:扬子江药业集团上海海尼药业有限公司

本发明公开了抗糖尿病药那格列酮的中间体制备新方法。以6-甲氧基-2-萘醛、邻氟氯苄、噻唑烷二酮为原料,以无水三氯化铝、碳酸钾、哌啶、冰醋酸为试剂,简便、高效。本发明涉及的芳环甲基醚化合物脱甲基的方法适用于任何含甲氧基的芳环化合物脱甲基反应。本发明方法工艺简单、适于工业化生产。

对映体纯4,4',6,6'-四(三氟甲基)-联苯-2,2'-二胺及其中间体和制备方法

专利申请号:CN200710168659.8

公开号:CN101200440

申请日:2007.12.07

公开日:2008.06.18

申请人:武汉大学

本发明涉及一种制备对映体纯的(R)和(S)-4,4’,6,6’-四(三氟甲基)-联苯-2,2’-二胺及其中间体和合成方法,外消旋体的4,4’,6,6’-四(三氟甲基)-联苯-2,2’-二胺和手性拆分试剂反应分离制得一对非对映异构体,再经解离得到光学纯4,4’,6,6’-四(三氟甲基)-联苯-2,2’-二胺。本发明首次获得的光学纯4,4’,6,6’-四(三氟甲基)-联苯-2,2’-二胺是一种新型的轴手性芳香二胺,可以应用于一系列的不对称催化反应中。本发明采用的拆分方法不仅原料简单易得,操作简单,收率很高,而且工艺简单,制备周期短,拆分效率高,所用试剂廉价易得。

并环碳苷类化合物、碳苷中间体化合物以及它们的制备方法与应用

专利申请号:CN200610165278.X

公开号:CN101200470

申请日:2006.12.15

公开日:2008.06.18

申请人:中国科学院化学研究所

本发明公开了一类并环碳苷类化合物、碳苷中间体化合物以及它们的制备方法。本发明所提供的并环碳苷类化合物,结构如式I或式II,其中,R1,R2,R3各自分别或同时为氢、C1～8烷基、C1～8烷酰基、芳酰基、稠芳酰基、芳基、稠芳基、环烷基、芳烷基、硅烷基;R4为氢、C1～8烷基、C1～8烷酰基、芳酰基、稠芳酰基、芳基、稠芳基、环烷基、芳烷基、硅烷基、烷氧羰基、烷撑基;R5为氢、C1～8烷基、芳基、稠芳基、环烷基、芳烷基、烷撑基。本发明所用原料为硝基烯糖和烯胺,其中烯胺合成方法简单,通过简单的蒸馏即可得到。本发明化合物的合成方法十分简单,产率较高,还具有良好的杀虫活性,在农药和医药创制方面应用前景广阔。

一种药物中间体的生产工艺方法

专利申请号:CN200610130130.2

公开号:CN101200485

申请日:2006.12.13

公开日:2008.06.18

申请人:天津天药药业股份有限公司

一种孕甾-1,4-双烯-3,20-双酮-11,16,17,21-四羟基物生产工艺方法,以孕甾-1,4-双烯-3,20-双酮-11,16,17,21-四羟基-21-醋酸酯为原料,用甲醇氯仿混合溶媒作为溶剂,加入氢氧化钾,反应结束,浓缩结晶,冷却,甩料,干燥,得到孕甾-1,4-双烯-3,20-双酮-11,16,17,21-四羟基物。该工艺既改善了反应介质,使反应更充分,又减少了杂质产生的可能性。从而使生产出来的孕甾-1,4-双烯-3,20-双酮-11,16,17,21-四羟基物收率大幅提高,质量得到了明显改善。

用于制备β-异头物富集的21-脱氧,21,21-二氟-D-呋喃核糖核苷的中间体和方法

专利申请号:CN200580049120.X

公开号:CN101203524

申请日:2005.09.23

公开日:2008.06.18

申请人:印度达布尔医药有限公司

用于制备通式(II)所示的β-异头物富集的21-脱氧-21,21-D-呋喃核糖二氟核苷及其生理学可接受盐的糖基化方法,该方法简单、经济,具有高度立体选择性。具体地说,通过利用通式(I)所示的新颖的三氯亚氨逐乙酸酯,提供纯度大于99%的通式(11b)所示的吉西他滨盐酸盐的β-富集异头物。

喹啉类化合物及其中间体、制备方法和应用

专利申请号:CN200610148118.4

公开号:CN101210011

申请日:2006.12.27

公开日:2008.07.02

申请人:上海医药工业研究院

本发明公开了一类如式A所示的喹啉类化合物及其药学上可接受的溶剂化物、光学异构体或多晶型物和其如式D所示的反应中间体化合物;其中,R1、R2和R3分别独自的为H,卤素或如式H所示的基团;其中,R为H,卤素,C1～C4的烃基或C1～C4的烃氧基。本发明还公开了其制备方法和在制备抑制HMG Co A还原酶以及治疗高血脂相关性疾病的药物中的应用。与现有技术中已有的氟伐他汀,瑞舒伐他汀和匹伐他汀相比,本发明的喹啉类化合物具有更好的抑制HMG Co A还原酶的活性,可用于治疗高血脂相关性疾病。

甲氧基头孢菌素中间体

专利申请号:CN200610171587.8

公开号:CN101210019

申请日:2006.12.31

公开日:2008.07.02

申请人:北京金源化学集团有限公司

本发明涉及合成甲氧基头孢菌素中间体的制备方法,是以C4,7位保护、C3位卤甲基的头孢化合物为原料,代替常用的7-ACA,先经过C3位功能化,再经过C7位甲氧基化,最后经过去保护得到甲氧基头孢菌素中间体化合物,该化合物可便利的用于各种甲氧基头孢菌素药物的合成。本发明有明显的优点,即路线明晰、步骤简短、所需试剂种类少且便宜、溶剂比较单一有利于回收套用、原料成本和操作费用低。

光学活性氨基戊烷衍生物的制造方法、以及中间体以及其制造方法

专利申请号:CN200680023723.7

公开号:CN101213173

申请日:2006.06.28

公开日:2008.07.02

申请人:日本藤本株式会社

本发明提供期待作为向精神药、抗抑郁药、抗帕金森(氏)病药、抗阿尔茨海默病药以及细胞凋亡抑制剂等的光学活性氨基戊烷衍生物的制造方法、以及对其制造极其有用的新的光学活性中间体氧杂噻唑烷衍生物以及其制造方法。从式(式中,*是不对称碳原子的位置,表示R构型或者S构型。N为0或者1。)表示的新的光学活性氧杂噻唑烷衍生物制造工业上有利的光学活性氨基戊烷衍生物。

氟伐他汀钠中间体精制及氟伐他汀钠制备方法

专利申请号:CN200810002594.4

公开号:CN101215257

申请日:2008.01.10

公开日:2008.07.09

申请人:深圳信立泰药业股份有限公司

本发明提供了一种氟伐他汀钠中间体I(E)-7-[3-(4-氟苯基)-1-(1-甲基乙基)-1H-吲哚-2-基]-5-羟基-3-氧-6-庚烯酸甲酯的精制方法。本发明采用乙酸乙酯和正己烷溶剂体系对氟伐他汀钠中间体I进行精制,提高了精制后的产品的纯度,同时为后续制备氟伐他汀钠免除了难以去除的杂质的干扰。同时本发明还提供了一种包含上述中间体精制步骤的氟伐他汀钠制备方法。

与甲基丙烯酸酯连接的可光致异构化的发色团,它的合成方法和中间体

专利申请号:CN200680024200.4

公开号:CN101218205

申请日:2006.05.04

公开日:2008.07.09

申请人:美国梅姆派尔有限公司

本发明揭露了新型的连接到甲基丙烯酸酯部分上的二腈基1,2-二苯乙烯,其可作为三维光存储器中的活性发色团,另外还揭露了它的合成和它的中间体。

罗苏伐他汀的制备方法和中间体

专利申请号:CN200680024717.3

公开号:CN101218210

申请日:2006.07.03

公开日:2008.07.09

申请人:英国阿斯利康(英国)有限公司

本文描述了一种通过立体选择性醛醇反应来制备式(V)化合物的方法,所述化合物可用于制备罗苏伐他汀。本文还描述了制备它们的新中间体和方法。

制备吡唑-O-苷衍生物的方法及该方法的新颖中间体

专利申请号:CN200680024699.9

公开号:CN101218244

申请日:2006.07.20

公开日:2008.07.09

申请人:德国贝林格尔·英格海姆国际有限公司

本发明涉及用于制备通式I化合物的方法,其中基团R1至R6及R7a、R7b、R7c如权利要求1所定义。此外本发明涉及用于制备上述方法中的分离物及中间体的方法,且涉及该中间体。

生产亚硫酸氢钠穿心莲内酯的中间体及制备方法

专利申请号:CN200810052120.0

公开号:CN101220011

申请日:2008.01.18

公开日:2008.07.16

申请人:李宏;浙江九旭药业有限公司

本发明公开了一种生产亚硫酸氢钠穿心莲内酯的中间体及制备方法,生产亚硫酸氢钠穿心莲内酯的中间体命名为:2-(6-羟基-5-(羟甲基)-5,8a-二甲基-2-甲叉基十氢萘-1-基)-1-(2-氧-2,5-二氢呋喃-3-基)乙基磺酸,由本发明方法进一步反应合成亚硫酸氢钠穿心莲内酯,其纯度高,其含量在99.8%以上,完全达到生产莲必治注射液的原料用药要求,本发明的方法不对环境造成污染。

4-取代苯氧基喹啉类化合物及其中间体、制备方法和应用

专利申请号:CN200710036427.7

公开号:CN101220021

申请日:2007.01.12

公开日:2008.07.16

申请人:上海医药工业研究院

本发明公开了一类如式A所示的4-取代苯氧基喹啉类化合物及其药学上可接受的溶剂化物、光学异构体或多晶型物和其如式D所示的反应中间体化合物;其中,R1、R2和R3分别独自地为H,卤素或如式H所示的基团;其中,R为H,卤素,C1～C4的烃基或C1～C4的烃氧基。本发明还公开了其制备方法和在制备抑制HMG Co A还原酶以及治疗高血脂相关性疾病的药物中的应用。与现有技术中已有的氟伐他汀,瑞舒伐他汀和阿托伐他汀相比,本发明的4-取代苯氧基喹啉类化合物具有更好的抑制HMG Co A还原酶的活性,可用于治疗高血脂相关性疾病。

甘油衍生物及其中间体的制备

专利申请号:CN200680026155.6

公开号:CN101223121

申请日:2006.07.18

公开日:2008.07.16

申请人:韩国株式会社ENZYCHEM

专利信息 篇5

名称:金刚石工程薄壁钻基体的加工方法

摘要:本发明涉及薄壁钻头制造技术领域, 尤其涉及一种金刚石工程薄壁钻基体的加工方法, 为了解决传统的金刚石工程薄壁钻基体加工工艺的效率低、精度低、损耗大的问题, 其特征是金刚石工程薄壁钻基体由钢管体、接头片和接头组成, 接头片的外径与钢管体的外径相等, 接头片与钢管体连接部位设有凸台, 凸台的外径与钢管体的内径间隙配合, 接头片的内孔一周均匀分布若干个齿凹, 接头的一端设有与齿凹配合的齿凸, 钢管体的加工夹持采用中心架的弹性套装置, 所述的弹性套装置设有管状弹性套, 弹性套内孔一端设有钢管体定位座, 弹性套筒壁上沿轴向设有若干条通槽, 弹性套外径上装有定位套和锁紧螺母。原材料损耗低, 生产效率高。

申请号:201110341743.1

名 称: 多孔陶瓷结合剂立方氮化硼磨具

摘 要:本发明公开了一种多孔陶瓷结合剂立方氮化硼磨具, 其原料组成及其原料质量份数比为:立方氮化硼磨料100份, 陶瓷结合剂15～30份, 临时粘结剂糊精5～10份, 活性炭成孔剂7～9份;所述陶瓷结合剂的组成及其原料重量百分比为:40%～55%SiO2, 9%～11%Al2O3, 17%～21%B2O3, 3%～8%Na2O, 3%～8%K2O, 5%～7%BaO, 0%～8%TiO2, 0%～3%P2O5。本发明的有益效果是, 多孔陶瓷结合剂的成孔材料活性炭在成孔过程中具有新型环保、无毒无害、气孔可调性大, 对磨具坯料性能损害小的优点, 可以取代有机物及木粉等成孔材料。多孔陶瓷结合剂cBN磨具可适用于高效高精度的磨削。

申请号:201110257546.1

名 称:一种使用金刚石线切割的太阳能级硅晶片及其切割方法

摘 要:本发明公开了一种使用金刚石线切割的太阳能级硅晶片及其切割方法, 它采用金刚石线对单晶硅方棒进行切割, 所述切割方法是:单晶硅圆棒经过开方、磨削和研磨加工后形成的单晶硅方棒进行粘棒, 通过粘棒将单晶硅方棒固定在树脂条上, 树脂条固定在粘料板上, 再将粘料板连同单晶硅方棒放入工作舱内, 预热并使切割液在工作舱循环工作, 而后进行金刚石切割, 将切割的单晶硅片倒置于脱胶设备上进行脱胶, 再用超声波进行清洗, 再进行甩干制造而成。本发明提高了单晶硅片的光电转化效率和切割效率, 可生产厚度为140～200μm的硅片, 产品合格率达到98%以上;硅粉可以回收利用, 节约了宝贵的硅资源, 生产过程真正实现绿色生产。

申请号:201110359901.6

名 称:制备金刚石线锯的设备及使用其制备金刚石线锯的方法

摘 要:本发明公开了一种制备金刚石线锯的设备及使用其制备金刚石线锯的方法。制备金刚石线锯的设备包括:上砂电镀槽, 所述上砂电镀槽中容纳有金刚石颗粒与第一电镀液的混合物, 且所述上砂电镀槽中设有用于使至少一部分金刚石颗粒保持匀速运动的传送带, 所述上砂电镀槽用于将所述金刚石颗粒电沉积在所述芯线表面上的同时在所述芯线表面形成所述结合层以将所述金刚石颗粒固定在所述芯线表面;以及加厚电镀槽, 所述加厚电镀槽位于所述上砂电镀槽的下游, 所述加厚电镀槽中容纳有第二电镀液, 所述加厚电镀槽用于增加在上砂过程中形成于所述芯线表面的结合层的厚度。

申请号:201110253286.0

名 称:一种表面改性的纳米金刚石颗粒及其制备方法和应用

摘 要:本发明公开了一种表面改性的纳米金刚石颗粒的制备方法, 包括以下步骤: (1) 清洗纳米金刚石颗粒; (2) 对步骤 (1) 处理后的纳米金刚石颗粒进行表面氢化处理, 使纳米金刚石颗粒表面形成C-H键; (3) 进行表面化学改性:将步骤 (2) 得到的纳米金刚石颗粒置于浓度为20%～50%的过氧化氢溶液中浸泡2～5小时, 同时使用紫外光照射;在纳米金刚石颗粒表面形成OH键。本发明还公开了上述方法制备的表面改性的纳米金刚石颗粒及其应用。相对于现有技术, 本发明制备的表面改性的纳米金刚石颗粒对湿度非常敏感, 而且制备方法简单易行, 可在湿度监控领域和生物改性领域得到广泛应用。

申请号:201010297623.1

名 称:一种用于加工深孔用的金刚石刀具

摘 要:本发明揭示了一种用于加工深孔用的金刚石刀具, 包括刀体, 所述刀体的工作端分布有金刚石刀片, 金刚石刀片的切削端设有挤光刃带, 所述挤光刃带朝刀体分布处延伸有抗偏刃带, 相邻两个挤光刃带之间通过至少一个排屑槽连接, 所述排屑槽上设有出水孔。本发明提高了产品质量, 提高了加工稳定性及生产效率, 降低了刀具磨损和生产成本。

申请号:201010554325.6

名 称:一种降低金刚石刀具磨损的方法

摘 要:本发明属于超精密加工、抑制单晶金刚石刀具磨损, 具体涉及一种降低金刚石刀具磨损的方法, 达到改变材料的切削性能, 为金刚石刀具切削黑色金属的研究开辟一条新的道路的目的。为达到上述目的, 本发明采用的技术方案是, 在金刚石刀具周边施加不同的物理场, 物理场是电场、磁场或者激光辐射, 通过形成较低能量状态的位错形式, 改变晶体界面构造和界面能, 使纳米级精度切削过程中的材料发生固态相变, 从而改善材料的切削性能, 抑制超精密加工中单晶金刚石刀具的磨损。本发明主要应用于超精密加工。

申请号:201110408467.6

名 称:多晶金刚石在制作金刚石线锯方面的应用

摘 要:本发明涉及多晶金刚石在制作金刚石线锯方面的应用, 将经过表面处理的多晶金刚石微粉通过电镀沉积或树脂包覆的方法固着在钢丝线或有机丝线上, 制成多晶金刚石线锯。所述多晶金刚石微粉粒度为0.1μm～200μm。采用该方法制作的线锯能显著降低被加工件的表面粗糙度, 提高切削效率, 降低加工成本。

申请号:201210236552.3

名 称:一种磨料优化排布烧结金刚石工具及其制造方法

摘 要: 本发明公开了一种磨料优化排布烧结金刚石工具及其制造方法, 所述工具的刀头结构为三层, 分别是中间胎体层和两外侧胎体层, 所述工具包括钢基体、磨粒以及胎体结合剂, 所述磨粒包裹在胎体结合剂内部, 所述中间胎体层的金刚石磨粒是随机、无序排列的, 所述两外侧胎体层的磨粒是有序排列的。所述磨料优化排布烧结金刚石工具的制造方法, 包括优化设计磨料有序排布间距的方法和磨料优化排布烧结金刚石工具的制作工艺。本发明提供的磨料优化排布烧结金刚石工具能减小刀头与被加工材料的接触面积, 切割效率比普通热压烧结金刚石工具提高30%以上, 并降低了材料成本、节约10%以上金刚石用量, 且工具刀头在加工过程中不会偏摆。

申请号:201210305720.X

名 称:自锐性好的金属结合剂金刚石砂轮

稀土磁性材料专利分析综述 篇6

本文着重研究了稀土磁性材料在全球的专利申请状况、中国专利申请状况以及重点申请人及其关键技术分布情况进行统计与分析,以期掌握稀土磁性材料的发展状况及研究热点和重点。以期为国内申请人在稀土磁性材料专利布局和研发提供借鉴。

根据稀土功能材料的应用领域的特性,将稀土功能材料分为:稀土磁性材料、稀土催化材料,稀土发光材料和稀土储氢材料。稀土磁性材料是应用领域最为广泛的稀土功能材料。本文着重研究了稀土磁性材料在全球的专利申请状况、在中国的专利申请状况以及重点申请人及其关键技术分布情况进行统计与分析,以期掌握稀土磁性材料的发展状况及研究热点和重点。

研究内容

鉴于发明专利有效期一般为20年,本文利用国家知识产权局专利检索系统的数据库,检索了截止到2015年的稀土磁性材料领域的发明专利情况,并分析了其申请态势、技术构成、重点专利。

全球专利申请状况

在dwpi数据库中检索到稀土磁性材料领域的全球专利申请量为31909项(未经人工筛选)。本节基于该专利数据从专利申请态势、目标市场国家、技术来源分布以及申请人排名等方面进行重点分析。

发展态势分析

图1是稀土磁性材料领域全球专利申请趋势,从图中可以看出在1980年前全球申请量基本维持在200项以下,这是由于早期对于稀土磁性材料的开发合理用存在较多障碍,一些稀土材料的分离困难,并且价格昂贵,抑制了其应用领域的扩展;而在进入1980年以后,随着全球稀土本身的开发,以及应用领域扩展到电子电器、汽车、通信、医疗仪器等领域,成为与人们生活息息相关的基础材料,并且自1983年开始进入第三代的稀土磁性材料,在该领域的全球专利申请迅速增加,出现第一个井喷期,随着风力发电、电动汽车、节能家电等方面对于稀土磁性材料的需求的增加,接着在1995年以后开始第二个井喷期。然后进入持续的增长阶段。

目标市场国家分析

图2是稀土磁性领域全球专利申请的目标市场国家情况,主要反映了该领域专利申请对于全球主要经济体(中国、美国、欧洲、日本、韩国、俄罗斯)的布局情况,由图中可以看出,日本是该领域首要的技术布局地区,进入日本的申请量达到22296件,这与日本的电子工业、汽车工业比较发达,对于稀土磁性材料领域的需求量比较大有关,而中国也是主要的目标市场之一,进入中国的专利申请量达到8327件,这与中国是全球制造业基地以及主要消费市场的地位是相对应的,另外欧美作为全球主要的消费市场,进入美国和欧洲的专利申请分别达到5662和4647件。

技术来源国家分析

图3反应了全球稀土磁性材料领域技术来源国情况,可以看出在该领域主要的技术来源于日本,以日本申请为优先权的申请量达到21238件,反映出日本的稀土磁性材料领域技术处于较为领先的地位,另外来自中国和欧洲的专利申请量达到5904和4647件。

申请人排名分析

图4是稀土磁性材料领域全球专利申请前十位申请人分布,由图中可以看出前十位的申请人全部为日本申请人,并且其中排名第一位的日立金属和第二位的住友均是在稀土磁性材料领域具有技术垄断的巨头,两家企业现在已经将稀土方面的业务合并成为一家公司,对于整个稀土磁性材料领域具有重要的影响。而日本的TDK株式会社也在该领域有着重要的专利布局。总体来说,日本申请人排名靠前与日本的磁性材料技术有一定的领先以及日本的专利申请政策有关。

中国专利申请状况

在CPRS数据库中检索获得经过筛选后的稀土磁性材料领域的中国专利申请量为4768件。本节基于该专利数据从发展态势、重点申请人、区域分布等方面进行重点分析。

发展态势分析

图5反映中国稀土磁性材料专利申请态势,在2004年以前,国内涉及稀土磁性材料的申请量总体变化不大,进入2005年后申请量迅速增加,反映出国内申请人对于该领域的技术研究越来越重视,也与国内的对于磁性材料的需求增加有很大的关系。

中国稀土磁性材料专利申请自1985年开始,在80年代后期主要是由钢铁研究总院、包头稀土研究院、北京三环新材料(中国科学院)、以及住友特殊金属为主的申请人的申请;1985年北京钢铁学院首次提出涉及制造铁-稀土-硼磁性材料的方法(ZL85100860)的申请,而住友特殊金属则在1985年提出生产磁性体的方法的专利(ZL89101649,2001年有效期限届满,涉及使用烧结体经过两阶段热处理获得磁性体的方法,得到的产品磁能积至少为32MGOe,矫顽力至少12.6k Oe),这一阶段,该公司共申请3件相关的生产磁性体方法的专利,均是提高磁能积和矫顽力。

其他的日本申请人如东芝则是在2009开始进行申请,涉及的方法则是用于电动机和发电机方向的磁性体,日立则在1987年开始进行相关的申请,持续到2011年;信越化工和TDK株式会社、株式会社新王磁材也申请了相当数量的稀土磁性专利。

美国通用电气公司自1987年开始进行相关的申请,涉及磁性体的生产方法(其中包括涉及医疗成像系统的磁性体的制造),并且在1999年和我国包头钢铁合作申请含有铈、钕和/或镨的铁-硼-稀土型磁性材料及其生产方法(ZL99102207,2013年费用终止失效);另一家美国稀土巨头麦格昆磁则于2000年申请了涉及通过添加其他元素取代Fe、Nd、B来改变磁性材料磁性的方法,降低成本提高淬火性(ZL00813322),其在中国稀土磁性材料总申请量为3件。

中国稀土磁性材料领域主要申请人

图6是中国稀土磁性材料专利申请人排名,经过对稀土磁性材料领域中国申请人的分析发现国内申请人和日本来华申请人占据申请量前十位,其中国内申请量较大的申请人大多前身是科研院所改制的企业或大学,这其中以北京三环新材料和北京科技大学为代表,前者是中国科学院改制企业为前身,其相关企业包括北京三环新材料、,而北京科技大学作为我国金属材料研究比较集中的院校,在稀土材料的开发以及应用领域扩展发面也有较强科研实力,总体而言,在稀土磁性材料领域我国企业的申请占据了一定的地位,然而日本来华企业不论是在数量还是专利申请质量上都占据主要地位,其中日本来华企业主要是日立、住友、新王磁材料、TDK株式会社、信越化学,而目前日立和住友的稀土材料部门已经合并,其研发实力进一步提升,并且在稀土磁性材料领域的生产技术方面具有绝对的垄断地位。

稀土磁性材料领域中国专利申请地域分布

图7是稀土催化材料领域中国专利申请地域分布,其中来自北京的申请占全国申请重量超过五分之一,反映出北京地区的研发实力较强;另外自美国、日本、联邦德国的申请也占据国内申请地域分布的前列。

结语和建议

通过以上分析,得出以下结论:

1.全球专利状况

稀土磁性材料领域全球专利申请共计31909项,在1980年前全球申请量基本维持在200项以下,而自1983年开始进入第三代的稀土磁性材料,在该领域的全球专利申请迅速增加,出现第一个井喷期,接着在1995年以后开始第二个井喷期。然后进入持续的增长阶段。稀土磁性材料领域日本是全球主要的申请来源国家,其中日立金属和住友金属申请量位居前两位。

2.中国专利申请状况

稀土磁性材料领域中国专利申请量为4768件,中国稀土磁性材料专利申请自1985年开始;中国专利申请量前十位申请人中日本来华企业有日立、住友、新王磁材料、TDK株式会社、信越化学,其余除北京三环新材料以外均是大学申请,并且北京三环新材料前身也是中国科学院改制企业。中国专利申请国内申请量主要是北京、浙江、辽宁。

针对以上结论,提出如下建议:

(1)全面利用国内高校的研究力量,形成产学研一体化,助力国内稀土行业的发展;

稀土发光材料专利分析综述 篇7

关键词：稀土,发光材料,专利分析

0 引言

根据稀土功能材料的应用领域的特性,将稀土功能材料分为:稀土发光材料、稀土催化材料、稀土磁性材料和稀土储氢材料。稀土发光材料是应用领域最为广泛的稀土功能材料。本文着重研究了稀土发光材料在全球的专利申请状况、在中国的专利申请状况以及重点申请人及其关键技术分布情况,对其进行了统计与分析,以期掌握稀土发光材料的发展状况及研究热点和重点。

1 研究内容

鉴于发明专利有效期一般为20年,本文利用国家知识产权局专利检索系统的数据库,检索了截止到2015年的稀土发光材料领域的发明专利情况,并分析了其申请态势、技术构成、重点专利。

1.1 全球专利申请状况

在DWPI数据库中检索到稀土发光材料领域的全球专利申请量为11352项(未经人工筛选)。本节基于该专利数据从专利申请态势、目标市场国家、技术来源分布以及申请人排名等方面进行重点分析。

1.1.1 发展态势分析

图1是稀土发光材料领域全球专利申请趋势图。自1964年高校的稀土红色荧光粉问世以来,发光材料(荧光粉)已经发展成为信息显示、照明光源、光电器件等领域的关键支撑材料之一。在20世纪60年代,是稀土离子发光及其发光材料的基础研究和应用发展的转折点,随着上转换材料的发展,使得稀土发光材料迎来第一个高峰期,从图1中可以看出,在20世纪60年代后期相应的专利申请量有了显著的增加;在20世纪70年代,由于世界石油能源危机的刺激,新一代荧光灯-紧凑型等灯用稀土荧光粉开始出现,但在此期间该领域的专利申请量趋于稳定;然而进入20世纪90年代初,稀土发光材料迎来发展高峰,在该领域的专利布局数目也有一定的增加,年均在100件左右;20世纪末以来,为了适应高效节能、绿色环保的三基色节能照明、半导体照明以及高清平板显示技术等的发展需求,发光材料的研究以及产业的发展步入活跃期,由图1中可以看出,在90年代末期该领域的申请量已经开始迅速的增长,反映出全球申请人对于该领域技术研究以及保护的重视程度。

1.1.2 目标市场国家分析

图2是稀土发光材料领域全球专利申请目标市场国家分布,其中进入日本、中国、美国、欧洲的申请量分别为5832件、4716件、4153件、3126件,可见,日本和中国是该领域的主要市场国家,这与日本的电子工业较为发达以及中国的制造业相关行业需求有关。

1.1.3 技术来源国家分析

图3是稀土发光材料领域全球专利申请技术来源国家分布,其中来源于日本、中国、美国、欧洲的申请量分别为4263件、3069件、1784件、3126件,可见,日本和中国是该领域的主要研发和生产国家,这也与日本的电子工业较为发达以及中国的制造业相关行业需求有关。目前世界上稀土荧光粉研发和生产主要集中于日本、荷兰、德国、韩国、美国、中国等国家。其中,美国GE公司和日本的日亚化学(Nichia)、东京化学等公司的灯用荧光粉技术水平较高。美国稀土荧光粉主要生产企业为GE公司,主要产品为稀土荧光灯用荧光粉。美国还生产X-射线增感屏荧光粉(杜邦公司)、白光发光二极管用荧光粉(英特美公司)等。近年来,荷兰Philips公司稀土荧光灯生产线不断向中国转移,所需荧光粉大多采用中国产品。德国主要稀土荧光粉生产企业为欧司朗公司。近年来,欧司朗公司在中国不仅建立了数家稀土荧光灯厂,而且建立了灯粉厂。日本2009年的稀土荧光粉产量为5000吨左右,仅次于中国。日本是国外最大的稀土荧光粉生产国,其产量占国外总产量的70%。日本稀土荧光粉生产厂家主要有日亚化学、化成光学、东芝、根本特殊化学、东京化学、欧司朗麦克尔(德国欧司朗在日本建立荧光粉生产厂)等,产品主要为节能灯用荧光粉、LCD背光源粉、PDP发光材料、X-射线增感屏材料、白光发光二极管发光材料等。韩国稀土荧光粉主要由三星公司生产,生产的荧光粉以自用为主。日本在PDP发光材料、液晶背光源荧光粉及白光LED用荧光粉生产及技术方面占全球主导地位,PDP用荧光粉生产基本为日本企业垄断,主要有三菱化成、日亚化学、根本特殊化学等企业。2011年全球白光LED发光材料(主要为黄粉)约为20吨,其中中国的产量占90%。主要的生产厂家有美国的英特美公司,日本根本特殊化学公司,中国的有研稀土、中村宇极、江苏博睿、大连路明和四川新力等公司。就目前已商用的蓝光LED芯片+黄色荧光粉合成白光体系而言,相关的荧光粉专利掌握在日本的日亚化学(Nichia)、美国的Gelcore和欧洲的Osram。

1.1.4 申请人排名分析

图4是稀土发光领域全球专利申请申请人前十位,可以看出日本和欧美占据绝对的优势,相关的照明设备生产企业如飞利浦、西门子、松下等拥有相当数量的申请,而美国的GE公司则对其稀土荧光粉产品有一定的专利申请保护,日本的日亚化学则在稀土荧光粉、PDP发光材料领域拥有较强的专利保护,我国的深圳海洋王照明也进入全球前十位的申请人,反映出我国虽然稀土发光材料研究起步较晚,但也有一部分申请人拥有一定的技术积累和保护。

1.2 中国专利申请状况

在CPRS数据库中检索获得经过筛选后的稀土发光材料领域的中国专利申请量为4403件。本节基于该专利数据从发展态势、重点申请人、区域分布等方面进行重点分析。

1.2.1 发展态势分析

图5是稀土发光材料领域中国专利申请发展趋势,在该领域早期申请量相对较少,说明在此期间我国稀土发光材料开发应用水平较低,然而在进入2000年后开始呈现迅速增长的趋势,在2013年达到顶峰,这期间我国稀土发光材料领域研究越来越受到重视,这也与稀土发光材料的应用领域迅速扩展以及应用需求迅速增加的市场环境有关。目前国内的稀土发光材料基本上应用于节能灯、显示器和特种光源三个方面。

1.2.2 中国稀土发光材料领域主要申请人

图6是稀土发光材料领域中国专利申请人排名前十二位的专利申请情况,从图中可以看出,在前十二位的申请人中,生产企业有3家,其余为研究所或高校,反映出我国稀土发光材料领域,高校和科研院所是技术研发和科技创新的主体力量,掌握了相当一部分专利技术,导致专利的转化和产业化程度相对较低,另一方面国内的相关企业却缺少高端技术支撑,难以适应知识经济时代的竞争。排名第一位的是深圳海洋王照明科技股份有限公司,但该公司是2009年开始布局稀土发光材料领域的专利,进入该领域较晚,但专利申请力度较大,在短短几年内相关领域的申请量迅速增加,反映出该公司的专业化程度高和有一定的技术研发实力。然而,总体来看,我国国内稀土发光材料产业集中度不高,罕有较大规模的企业,大部分企业的技术实力较差,行业上领先的企业对于知识产权的保护意识也不够。

1.2.3 稀土发光材料领域中国专利申请地域分布

图7是稀土发光材料领域中国专利申请地域分布,其中广东、上海和江苏占据前三位。我国稀土发光材料与下游应用产业的发展密切相关,从目前的消费结构以及应用领域来看,稀土发光材料越90%的需求来自于节能照明以及电子信息行业,而上述地区集中着我国相当一部分电子信息企业和照明企业,相应的这些企业在稀土发光领域的专利申请相对较多,也更为重视专利布局。

2 结论和建议

通过以上分析,得出以下结论:

2.1 全球专利状况

在DWPI数据库中,稀土发光材料领域全球申请量为11352项,在20世纪60年代后期相应的专利申请量有了显著的增加,在20世纪70年代该领域的专利申请量趋于稳定,然而进入20世纪90年代初,稀土发光材料迎来发展高峰,在该领域的专利布局数目也有一定的增加,年均在100件左右;20世纪末以来,发光材料的研究以及产业的发展步入活跃期,在20世纪90年代末期该领域的申请量已经开始迅速的增长。稀土发光材料领域全球申请中日本、中国、美国、欧洲的申请量分别为5832件、4716件、4153件、3126件。稀土发光领域全球专利申请申请人前十位,日本和欧美占据绝对的优势,我国的深圳海洋王照明也进入全球前十位的申请人。

2.2 中国专利申请状况

在CPRS数据库中,稀土发光材料领域中国专利申请量为4403件,该领域早期申请量相对较少,然而在进入2000年后逐渐保持迅速增长的趋势,在2013年达到顶峰。稀土发光材料领域中国专利申请人排名前十二位的专利申请人中,生产企业有3家,其余为研究所或高校,排名第一位的是深圳海洋王照明科技股份有限公司,但该公司是2009年开始布局稀土发光材料领域的专利,进入该领域较晚;稀土发光材料领域中国专利申请地域分布中广东、上海和江苏占据前三位。

针对以上结论,提出如下建议:

(1)全面利用国内高校的研究力量,形成产学研一体化,助力国内稀土行业的发展;

我国磁性材料产业专利地图分析 篇8

本文以中国知识产权网为平台, 利用磁性材料专利数据, 制作磁性材料的管理专利地图和技术专利地图, 以期使相关政府部门和企业熟悉磁性材料产业的发展历程、技术动态和未来的研发趋势, 从而为政府和企业做出更加科学合理的决策提供参考。

数据来源与研究方法

本文研究数据来源于中国知识产权网, 检索范围包括国内外在我国申请的所有专利, 时间范围是1985年至2012年12月。共检索到检索摘要中含有“磁性材料”关键词的5450篇磁性材料专利文献。

本文利用检索平台批量下载的功能, 将检索结果以EXCEL文件的形式保存。通过阅览各条专利信息, 剔除不相关专利与重复专利后剩余4928项。利用EXCEL数据分析功能, 对筛选过的4928项专利数据的各个字段进行分析, 绘制出我国磁性材料产业的专利地图, 得出了我国磁性材料产业的现状与发展趋势。

我国磁性材料产业专利管理地图分析

1.专利发展动向

从我国磁性材料产业专利申请数量的趋势 (见图1) 可以看出, 2000年以前, 我国磁性材料产业一直处于低速较平稳的发展态势, 每年专利申请增长量在10~20件。其中有个别年份增长超过50件、个别年份出现负增长, 但每年专利申请量均未超过100件, 增长不够明显。其原因主要是, 磁性材料相关技术在世界范围内已基本成熟, 部分国际磁性材料技术逐步向中国转移。而2000年以后, 随着国际磁性材料产业加大向我国转移, 以及国家产业政策的扶持, 使我国磁性材料市场更加规范, 2001~2006年的专利申请量增速明显。2009~2011年, 专利申请量出现较快增长。这主要得益于国家扩大内需的政策刺激了磁性材料产业的加快发展。2012年, 专利申请量下降, 主要是由于本文统计时间截止2012年10月, 时间上存在差异。总之, 磁性材料产业在我国是一个具有发展潜力的新兴产业, 如果制定并实施合适的专利战略和相关政策, 就有可能在全球磁性材料产业中取得主动。

2.专利国别分布

从申请人的国别来看 (见图2) , 磁性材料在中国知识产权库中分布于29个国家, 其中, 我国申请的磁性材料专利共有3771项, 约占总数的76%。各国在我国申请的专利达到1157项, 约占总数的24%, 比例较大。其中, 日本在我国申请的磁性材料专利高达647项, 其次是美国, 第三是荷兰。韩国、德国、法国、瑞典、瑞士的专利申请量均超过25项。说明日本、美国、荷兰等国高度重视我国市场, 企图通过专利保护形式对我国市场进行专利战略部署, 以期达到控制我国市场的目的。

3.专利地区分布

从专利申请所属地区分布来看 (见图3) , 我国磁性材料产业具有高度集中的地域特点, 主要分布在浙江、江苏、北京、广东、上海、山东、辽宁、四川等省 (市) , 这8个地区申请的专利数量占全国磁性材料产业专利申请总数的67%。事实上, 上述地区或为磁性材料或原料生产基地, 或为磁性材料研发和应用基地。

4.专利类别分布

从专利类别的结构来看 (见图4) , 在磁性材料相关专利中, 发明专利申请量为2862件, 占总量的58%;实用新型专利申请量为1954件, 占总量的40%;外观设计专利极少, 仅占总量的2%。从1985年开始, 发明专利和实用新型的专利申请量呈现递增的趋势, 特别是1997年以来, 发明专利年申请量及年增长速度均超过了实用新型, 而外观设计的申请主要集中在近三年。这表明磁性材料技术在我国正处于技术发展时期, 尚有较大的发展潜力。

5.专利申请人分析

表1列出了国内磁性材料专利申请量前10位的专利申请人。

从表1可看出, 日本企业是我国磁性材料专利最主要的申请人。在排名前10位的申请人中, 日本企业占据6席, 以松下电器表现最为突出, 从1985至今, 共申请了44件, 主要技术领域是H02K (电机) 。东芝、索尼、TDK、日立、住友等其他几个日本企业研发的重点集中在G11B (基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储) 和H01F (磁体、电感、变压器、磁性材料的选择) 。另外4个研发机构中有3个是科研机构, 其中湖州师范学院申请专利最多, 但都是外观设计类的。浙江大学和金属研究院分别申请了26件和23件, 主要集中在IPC分类中的A (日常生活必须品) 和C (化学、冶金) 类, 也涉及H (电学) 类。值得注意的是, 前10位申请人中属于我国企业的只有1家, 即横店集团东磁股份有限公司, 拥有25件专利, 技术领域涵盖了H、C、B等类别。由此可见, 日本等磁性材料技术发达国家在目标市场上, 往往采用申请专利来达到保护市场的目的。同时, 也说明国内企业对磁性材料的研发投入和研发动力不足, 不能真正发挥研发主体作用。这也正是影响我国磁性材料产业进一步发展的原因之一。

磁性材料产业专利技术地图分析

1.IPC分布

(1) 磁性材料专利IPC分类雷达图 (见图5) 显示, 我国磁性材料产业发明专利与实用新型专利集中分布在H、B、G、F、C类。其中, H类专利最多, 共1415件, 将近占总数的30%;B类和G类专利也较多, 分别为790件和786件, 约占总数的16%;F类和C类专利量分别是453件和449件, 约占总数的9%。这表明我国磁性材料专利技术主要是在电学、物理、作业、运输等领域, 人类生活必需品、纺织、造纸类的数量很少。因此, 未来可进一步拓展磁性材料技术在人类生活必需品方面的应用。

(2) 从IPC小类级分布 (见表2) 可看出, 目前, 我国磁性材料技术的相关专利申请主要集中在, H01F、H02K、G11B、G01R、C04B等类。其中H01F专利最多, 占H类专利的44%。其次是H02K、G11B、G01R、C04B。特别需要指出的是, A61H类69件, 占A类专利的91%, 是磁性材料在理疗装置中的运用。由此表明, 目前国内有关磁性材料的制造方法、技术的研发已达到一定水平。随着下游行业加速向数字化和智能化的方向发展, 对磁性材料的性能要求越来越高, 将促使磁性材料的制备方法和装置进一步发展。同时, 磁性材料在电机、陶瓷、电子元器件、理疗装置等方面的应用仍然是未来比较关注的热点。

2.技术生命周期

(1) 技术生命周期图。将某一技术在不同时间段内专利申请量与专利申请人数之间的关系图形化, 可得到技术生命周期图, 从而可以清楚地了解技术发展状态。技术生命周期大致可以分为, 技术的起步期、发展期、成熟期、衰退期和复活期。从磁性材料专利技术生命周期 (见图6) 可看出, 1985~2000年, 我国磁性材料技术处于起步期, 专利申请量和专利人数都较少, 磁性材料领域内研究者不多, 专利成果较少;从2001年开始, 专利申请数量和申请人数有了较大幅度的增长, 说明磁性材料产业专利正处于发展期, 其中2007年较特殊, 有明显的下降。2008年以后, 专利申请量和专利人数都大量增加, 说明我国磁性材料处于技术生命周期的高速发展阶段。这主要得益于政府相继出台一系列拉动内需的政策, 家电下乡、3G放号等, 对家电、通讯等磁性材料下游产业产生了良好的刺激作用, 从而促进了我国磁性材料产业的迅猛发展。

(2) 技术发展程度计量分析。计量分析专利文献统计参数, 可以度量某一技术的发展阶段, 主要的统计参数如表3所示。由磁性材料专利统计参数时间趋势图 (见图7) 可知, 1999~2011年, 我国磁性材料技术生长率波动较大, 但具有递增趋势, 总体上表现出微弱的生产特性;技术成熟系数总体呈现增长趋势, 表明磁性材料技术在我国尚未成熟;技术衰老系数基本上没有多大变化, 主要是有关磁性材料的外观设计总量较少, 其中, 2011年申请量占多数, 技术衰老系数有所变小, 但总体上没有体现明显的技术衰老特征;新技术特征系数的变化, 基本上和技术生产率的变化规律相同, 总体呈现递增趋势, 表现出一定的新技术特征。计量分析结果表明, 我国磁性材料技术仍处于发展时期, 与技术生命周期分析结果相同。

(注:a为当年某技术领域的发明专利申请 (公布) 数量;b为当年某技术领域的实用新型专利申请 (公布) 数量;c为当年某技术领域的外观设计专利数量;A为追溯5年某技术领域的发明专利申请〈公布〉累积数量)

结论与建议

1.结论

通过制作与分析我国磁性材料产业的专利地图可知, 我国磁性材料技术领域研究与开发虽然起步较晚, 但经过十几年的发展, 已有了一定的基础, 涉及的技术领域较多, 主要集中于磁体、电感、变压器、磁性材料的选择、电机、基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储、测量电变量和测量磁变量等技术领域。尤其是金融危机之后, 得益于国家刺激内需及鼓励发展战略性新兴产业等政策, 磁性材料产业加快发展, 磁性材料产业的专利申请量呈现快速增长趋势。

从地区分布看, 我国磁性材料技术的研发, 主要集中在浙江、江苏、北京、广东、上海等经济发展较快的地区;从专利类别分布看, 以发明专利和实用新型专利为主, 且发明专利申请量及增长速度均超过实用新型, 体现了技术的成长性;从专利申请人分析可得, 日本等磁性材料技术发达国家的企业在我国申请了较多的专利, 以期采用申请专利来达到保护市场的目的, 也体现了我国企业对于磁性材料的研发投入和研发动力相对不足;从技术生命周期的分析得出, 磁性材料技术在我国仍处于发展时期。

2.建议

(1) 学习发达国家的发展经验, 注重企业的研发投入。一方面政府应加大对企业研发支持的力度, 激发企业研发的积极性;另一方面, 企业之间可以恰当地重组并购, 以提高竞争力, 构建核心研发企业。同时, 我国企业也要进一步提高知识产权保护意识, 积极利用专利对创新成果进行保护。

(2) 浙江、江苏、北京等磁性材料产业重点发展地区, 可以充分发挥产业集群作用, 集聚更多的技术研发力量, 打造研发基地。

(3) 加强科研机构、个人与企业的合作, 提高我国磁性材料技术成果产业化和市场化的程度, 促进磁性材料产业的快速发展。

摘要：本文利用专利地图的理论和方法, 绘制了包括专利发展动向、专利国别分布、专利地区分布、专利类别分布、专利申请人分布等在内的国内磁性材料专利管理地图, 以及包括专利IPC分布、技术生命周期等在内的国内磁性材料专利技术地图, 对我国磁性材料产业的技术发展状况进行了深刻的剖析, 以期促使人们对磁性材料产业技术发展及知识产权保护给与更多的关注。

关键词：磁性材料,专利管理地图,专利技术地图

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